如何用可重構射頻前端簡化LTE設計復雜性
射頻前端包含收發(fā)器輸出和天線之間的元器件。傳統(tǒng)上,它是由眾多廠商在不同技術混合使用的基礎上獨立設計的一組產品。但隨著移動數(shù)據(jù)推動頻段的大量增加,以及LTE和載波聚合這些先進技術的發(fā)展,傳統(tǒng)解決方案已經不能很好地滿足市場需求。
在LTE市場中,基于頻段、不同的調制方案、功率放大器模式、天線調諧狀態(tài)和下行鏈路載波的數(shù)量相乘估算,射頻前端的復雜度將增大5,000倍。因此,業(yè)界需要真正的可重構射頻前端,來滿足可配置、可調諧的需求。
一個全球通用的SKU(Stock Keeping Unit)設計將具有更大的靈活性,并能顯著降低成本。以蘋果公司的IPhone 5S為例,Peregrine半導體與Gartner、IHS iSuppli和Strategy Analytics等行業(yè)領先的分析公司經研究后發(fā)現(xiàn),iPhone 5S中含有5個SKU,以適應全球不同區(qū)域的需要。研究表明,這些器件之間最明顯的區(qū)別就是射頻前端的不同。試想一下,如果有一項技術可供蘋果公司使用,一個SKU就能滿足全球需要,那么,在設計、驗證、制造以及供應商管理和存貨管理等方面,將可節(jié)省巨大的成本支出。
可重構射頻前端系統(tǒng)的實現(xiàn)
Peregrine的UltraCMOS Global 1是一種易于使用的可重構射頻前端系統(tǒng)(圖1)。它采用單一平臺設計,適用于所有模式和頻段,隔離性能好,解決了互操作問題,實現(xiàn)了一個SKU能夠在全球所有地區(qū)運作。該系統(tǒng)能夠擴展支持更多的頻段,開關損耗小,可調諧。它集成了業(yè)界首個LTE CMOS功率放大器(PA),可以達到砷化鎵(GaAs)功率放大器的性能。UltraCMOS Global 1功率放大器提供寬頻帶功放通道,支持中國的TDD-LTE技術網(wǎng)絡。
圖1:UltraCMOS Global 1系統(tǒng)圖。
Peregrine市場總監(jiān)Duncan Pilgrim表示,這樣高水平的可重構能力主要得益于Peregrine的UltraCMOS 10技術平臺。它采用了先進的CMOS工藝,利用射頻SOI基片,比起同類的解決方案,在性能方面提高了50%。
UltraCMOS Global 1對于整個無線生態(tài)系統(tǒng)是有利的:平臺提供商和原始設備制造商(OEM)可以建立一個單一的平臺設計來面向全球市場,從而加快產品上市時間;消費者可以得到更長的電池壽命、更好的接收效果、更快的數(shù)據(jù)傳輸速率和更廣闊的漫游范圍;最后,使用更高性能的射頻前端可以擴大覆蓋范圍并減少掉線,無線運營商可以降低其在網(wǎng)絡上的資本投入。
采用首個LTE CMOS功率放大器
在射頻SOI領域處于領先地位的Peregrine一直致力于在CMOS基礎上實現(xiàn)一個集成射頻前端。Peregrine亞太區(qū)及日本總經理賴炫州表示,這樣做的最大的好處就是,它的高度可重構性賦予射頻工程師極大的靈活性。從簡單的偏置控制到整個射頻調諧,可以有不同程度的可重構性。
UltraCMOS Global 1采用業(yè)界首個LTE CMOS功率放大器,它的性能與領先的砷化鎵功率放大器相同。在相鄰信道泄漏比(ACLR)為-38dBc的情況下,使用WCDMA(語音)波形,UltraCMOS Global 1功放的PAE(功率附加效率)性能接近50%。這個性能與領先的GaAs功放的性能處于同一個水平,超過其他CMOS功放十個百分點,這表示效率提高了33%(圖2)。此外,對于LTE波形,在不同資源塊分配的情況下,UltraCMOS Global 1功放的PAE性能與GaAs功放相當。達到這個水平性能,并不需要增強包絡跟蹤,也不需要數(shù)字預失真,而CMOS功放與砷化鎵功放在進行性能對比測試時,往往要加強包絡跟蹤,并使用數(shù)字預失真。
圖2:UltraCMOS Global 1功放達到GaAs功放水平,比現(xiàn)有CMOS功放效率提升33%。
據(jù)了解,Peregrine已經為市場提供了超過20億個開關和調諧器,而UltraCMOS Global 1功放的誕生具有重要意義,它成為完成可重構射頻前端所需的最后一個元件。UltraCMOS Global1射頻前端系統(tǒng)的平臺整合將在2014年完成,并將在2015年后期投入大批量生產。
評論