色婷婷AⅤ一区二区三区|亚洲精品第一国产综合亚AV|久久精品官方网视频|日本28视频香蕉

          新聞中心

          EEPW首頁 > 測試測量 > 設(shè)計應(yīng)用 > 測試DIY:自力更生構(gòu)建測量裝置 

          測試DIY:自力更生構(gòu)建測量裝置 

          作者: 時間:2012-03-21 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏


            LTC5533的電路框圖如圖2所示??梢娒柯稲fin輸入端接有由一對肖特基檢波二級管構(gòu)成的電橋,每個二極管的工作電流是50μA,電橋輸出由RF檢波運放器放大后從晶體管跟隨器輸出至緩沖級的十輸入端。緩沖級的輸入Vout是經(jīng)過信號調(diào)理后的RF輸入功率,正常狀態(tài)下輸出電流達到4mA,足夠驅(qū)動儀器級直流電流表。為了功率檢波器芯片更適合測量運作,芯片的6個引腳與內(nèi)部電路的連接如下:



            ·Vcc是2.7V~6.0V的直流供電電壓端,外接陶瓷旁路電容以降低電源紋波和寄生干擾。

            ·Rfin是被測RF信號輸入端,應(yīng)在外部串聯(lián)口PF-200PF的高頻電容,電容容量的選擇根據(jù)RF功率和頻率而定,保證RF量程是-32dBm—+12dBm。Rfin的參考地是Vcc,內(nèi)部端接電阻用500Ω,峰值檢波電容是25PF。

            ·Vout是肖特基峰值拾波電橋的電流經(jīng)過RF檢波運放和緩沖運放兩級放大后的峰值電流輸出。

            ·Vos是Vout的補償電壓輸入端,用來調(diào)節(jié)無RF信號時的Vout電壓值,Vos直流電壓輸入經(jīng)電平調(diào)節(jié)運放后,與RF檢波運放的輸入疊加,同相送入至緩沖運放的+輸入端。Vos<130mV時,Vout不受Vos的影響;Vos>130mV時,Vout=Vos+Rfin檢波電壓。

            ·SHDN輸入是待機控制輸入,SHDN處于邏輯高態(tài)時,檢波器選通;邏輯低態(tài)時,下拉電阻160K使RF檢波器運放沒有輸出,同時Vout通過280Ω接地,芯片進入待機狀態(tài)。

            ·GND是芯片接地引腳。

            肖特基二極管的檢波特性是半對數(shù)變化,需要線性讀數(shù)的場合,可在芯片Vout輸出端連接信號調(diào)理器。需要數(shù)字顯示時,最簡便的方法是使用數(shù)字面板表,或者A/D轉(zhuǎn)換器。

            RF下變頻器

            被測信號的頻率在100MHz以上時,通用的辦法是變換成10MHz以下的基帶、視頻或音頻,傳統(tǒng)采用超外差下變頻接收法,現(xiàn)今更多采用直接變換接收法。超外差法的電路比較復(fù)雜,分立元件較多,占用面積較大,直接變換法的電路比較簡單,直截了當(dāng)將RF變換成基帶。測量儀器的頻譜分析儀、網(wǎng)絡(luò)分析儀、數(shù)字示波器等設(shè)備的射頻前端都借助下變頻器獲得基帶信號,然后對基帶信號作精確的數(shù)字處理。如果我們測量的信號對象比較簡單,測量項目不多,則不必購買昂貴的專用儀器,而自動構(gòu)建實用的RF。

            能夠構(gòu)建RF下變頻的多種集成電路中,近年跟蹤/保持和放大器(T/HAmp)特別令人注目,它具有很高的集成度和RF直接變換,電路結(jié)構(gòu)簡潔,適合自建RF信號。跟蹤/保持和放大器的電路框圖如圖3所示,輸入的差分RF信號(INP、INN)經(jīng)輸入緩沖放大器1(IN1UF)放大,送到高速開關(guān)2(SW2),最后經(jīng)緩沖放大器(OUT BUF)輸出(OUTP、OCTN)。T/H Amp電路的重點是SW1和SW2,它們是異步開關(guān),SW1接通時SW2斷開,SW1斷開時SW2接通。SW1和SW2可由同一時鐘(CLK1)或兩個時鐘(CLK1、CLK2)選通,選通時間即跟蹤和保持時間是1ns級。因為由SW1跟蹤的RF信號立刻轉(zhuǎn)換由SW2保持,所以這種過程亦稱取樣/保持過程,能夠?qū)?0GHz的RF信號直接變換成10MHz級的基帶信號,然后經(jīng)由視頻 A/D轉(zhuǎn)換,實現(xiàn)各種數(shù)字處理。



            當(dāng)前有兩種市售T/H Amp芯片具備自建RF的條件,它們是Inphi公司的1820TH/1320TH(18GHz和13GHz)和Hittite微波公司的HMC660LC4B(4.5GHz)。1820TH和HMC660LC4B兩種芯片的主要特性如表1所示,1320TH芯片除頻率是13GHz之外,其它參數(shù)與1820TH完全相同。



            兩種芯片各有特點,1820TH的帶寬最高達18GHz,而HMC660LC4B的取樣率是3.0Gs/s。由于Hittite公司采用SiGe BiCMOS工藝,今后還有更新的T/H Amp芯片推出。兩種芯片都有詳細數(shù)據(jù)表和應(yīng)用指南可供參改,HMC660LC4B還提供多種評估用電路板,非常適合自建RF測量裝置之用。一種型號1143450-1的評估用PCB板如圖4所標,PCB中央是兩塊HMC660LC4B串接芯片,分別作為SW1和SW2,PCB左邊的J1和J2是SMA同軸連接器的差分輸入,PCB右邊的J3和J4是差分輸出,PCB下方是兩組差分時鐘輸入,PCB上方是電源和輔助信號的輸入插座,沒信號輸入、輸出和時鐘微帶線兩旁的小圓圈是接通PCB上、下兩面金屬層的貫通孔,提供良好的射頻接地。


          評論


          相關(guān)推薦

          技術(shù)專區(qū)

          關(guān)閉