3.選擇電感

電感主要有紋波電流ΔI決定。通常將ΔI設(shè)定為典型輸入電壓下，最大輸出電流的30%~50%，這里取為30%.





考慮30%的裕量，選取電感的直流電流大于3.2A，飽和電流大于3.9A.選取WURTH電感744770122，感值22uH，直流電阻45m？，最大直流電流4.1A，最大飽和電流5A. 4.選取電流檢測電阻

…………（11）

VCL：過流門限電壓，為100mV.ICL：過流保護(hù)電流值，設(shè)定限流值為最大峰值電流的1.3~1.5倍。

選取25m？采樣電阻，過流保護(hù)值設(shè)為4A. 5. MOSFET選擇MOSFET承受的最高電壓為VINMAX ，考慮到拋負(fù)載保護(hù)，選取耐壓40V以上的MOS.MOSFET的損耗，可由以下公式估算，導(dǎo)通損耗：

tON， tOFF為MOSFET開通和關(guān)斷時間。

ISINK：為驅(qū)動下拉電流，NCV8852的驅(qū)動下拉電流典型值為200mA.

ISRC：為驅(qū)動的輸出電流，NCV8852的驅(qū)動輸出電流典型值為200mA

選取ONSEMI的NVTFS5116PL，耐壓60V，導(dǎo)通電阻Rdson=52m？@VGS=10V， QGD=8nC，封裝u8FL，參考熱阻（芯片結(jié)溫到環(huán)境溫度）47OC/W.由QGD可先計(jì)算出MOSFET的開通關(guān)斷時間為：

計(jì)算MOSFET功耗：在最高輸入電壓下

TA_MAX為最大環(huán)境溫度，車載USB電源一般要求為85oC.150oC為最大結(jié)溫。

在最低輸入電壓下

MOSFET的結(jié)溫為

6.續(xù)流二極管的選擇續(xù)流二極管上的最大反向壓降為VINMAX ，流過二極管的最大峰值電流為2.96A，流過二極管的最大平均電流為

…………（18）

建議二極管正向電流為流過二級管的平均電流的1.5倍。這里選取ONSEMI的MBRA340, 最大正向平均電流為3A， 反向耐壓40V， SMA封裝，參考熱阻為81oC/W。2.5A，100oC結(jié)溫時的正向?qū)▔航导s為0.32V

二極管損耗（忽略寄生電容產(chǎn)生的損耗）為：