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          世界半導體市場展望

          作者:葉鐘靈 時間:2014-12-04 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            IC Insights給出了世界市場的歷史數(shù)據(jù)如圖3所示,自1993~2013年的20年間,世界市場從830億美元發(fā)展到3250億美元,年均增長率為7.1%,表現(xiàn)不俗。依公司提供數(shù)據(jù),1993~2003年10年間的年均增長率為8%,2003~2013年10年間下降為6.2%,2008~2013年5年表現(xiàn)最差,僅為4.4%,預計2013~2018未來5年有所回升,為5.8%,可望達到4310億美元。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/266381.htm

            報告作者McClean說:世界市場“2015年還會有進一步增長,此后則將繼續(xù)保持6%~7%的穏定成長,唯2017年因宏觀經(jīng)濟的走弱而預期半導體市場將隨之下降。”并具體地對世界半導體市場1998~2013年15年間和2013~2023年10年的出貨量、平均銷售價、市場銷售值作了對比,其間銷售量的年均增長率將從8.5%下降到6%,平均銷售價和銷售值則都有所上升(表1),IC單價平均銷售價上揚的原因包括今后新廠難有增加、投資減少和走向450mm晶圓的步伐轉緩等。

            同時,我們看到IHS Global公司首席分析師日本南川明在今年所寫的一篇文章中說,世界半導體市場在2008年金融危機以前50年間曾以年率12%的速度快速成長,但近幾年約在30萬億日元左右徘徊,預計今后10年間大約只能以3%~4%的年率緩慢前進。去年,另一日本資深記者、產(chǎn)業(yè)時代公司董事長泉谷涉也作文指出,現(xiàn)今世界半導體市場約為25萬億日元,近7~8年間上上下下,幾乎停滯不前。他預測,到2030年,世界半導體市場將從25萬億日元躍升到40萬億日元(估計年均增長率僅為2.4%),其中IT領域所占比重將下降至60%~70%,其余為醫(yī)療、環(huán)保、新型綠色汽車等。日本在上世紀90年代起電子工業(yè)從輝煌一時演變至無奈失落的兩重光景下,半導體業(yè)也隨之失色,著名廠商出賣的出賣,合并的合并,對半導體業(yè)的前景也相應作出了悲觀的預測。

            中國為扭轉電子工業(yè)“無芯”之痛,今年國務院頒發(fā)了《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》,綱要提出,在政策、資金的強力支持下,到2015年,集成電路產(chǎn)業(yè)銷售收入超過3500億元,2020年與國際先進水平的差距逐步縮小,全行業(yè)銷售收入年均增速超過20%,2030年產(chǎn)業(yè)鏈主要環(huán)節(jié)達到國際先進水平,一批企業(yè)進入國際第一梯隊,實現(xiàn)跨越發(fā)展,信心滿滿。市調公司IC Insights在同一報告中也認為,近幾年來中國在PC、移動電話、汽車、數(shù)字電視等產(chǎn)品市場均居世界第一,將拉動本土半導業(yè)的快速發(fā)展。盡管集成電路與石油為中國最大宗的兩項產(chǎn)品,但預計未來5年內(nèi),本土生產(chǎn)集成電路的速度和所占份額都將凌厲加快和提升(圖4)。據(jù)圖所示,從2013~2018年的5年間,中國IC市場將以每年8.9%的速度增長,而本土產(chǎn)值則將以15.8%的年率更加快速增長,大大高于世界半導體市場的5.8%,無疑增強了我們的信心,同期本土生產(chǎn)所占市場的份額將從11.7%提高到16%,而中國IC市場所占世界IC生產(chǎn)的比重也將從27%提升到31%,中國市場在世界半導體業(yè)中的比重仍在增高,說明了中國市場的地位是多么重要!

            半導體技術

            摩爾定律是由公司創(chuàng)始人之一戈登•摩爾(Gordon Moore)于1965年提出,其內(nèi)容為:集成電路上可容納的晶體管數(shù)目,約每隔18個月增加一倍,性能也將提升一倍而價格不變。這一定律迄今已近50年,被以為代表的世界半導體業(yè)界視為金科玉律,作為技術發(fā)展的前進努力方向一直沿用至今。但在近年人們相繼提出了質疑:摩爾定律是否已走到了盡頭? 可意見并沒有統(tǒng)一,有外媒于近日報道,美國POET Technologies公司預言砷化鎵(GaAs)很快會取代硅,成為未來高性能芯片的選用材料,曾任職貝爾研究所的該公司共同創(chuàng)辦人暨首席科學家Geoff Taylor表示,上述論點自上世紀80年代就已經(jīng)被提出。砷化鎵能在提升晶體管性能的同時,整合光學電路的功能,這些特點將帶來更高的性能以及創(chuàng)新的芯片架構,因此能使摩爾定律壽命無限延長。大多數(shù)三五族元素,包括銦(In)、鎵(Ga)、砷(As)及磷(P),都比硅具有更高的電子遷移率,不過在制造上還存有特殊困難,但POET說已經(jīng)研發(fā)出了一種解決方法。與此同時,多數(shù)有關單位/人士則持有不同的觀點,10月在美國硅谷舉辦的IEEE(電氣和電子工程師協(xié)會)研討會,探索了未來20年的技術發(fā)展,曾任處理器架構師(architect)顧問的Robert Colwell的看法是:摩爾定律已到晚年,至于何時走向終點,應該不會超過2035年,而且目前尚未找到可靠的替代方案。這波認為是一種代表性的觀點。未來20年內(nèi)預期將出現(xiàn)全新的器件和非馮諾依曼結構的系統(tǒng),最可期待的便是模仿人腦的神經(jīng)系統(tǒng)(neuromorphic system),該系統(tǒng)需要轉換為模擬運算技術,這種耗電量大的技術又必需尋求新材料、新器件(所謂后CMOS)的支持,在這方面,碳納米管又重新引起了研究人員的關注。



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