安森美半導(dǎo)體過(guò)壓保護(hù)IC用于便攜充電
作者：eaw
時(shí)間：2005-04-28
來(lái)源：eaw
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安森美半導(dǎo)體推出的NCP346過(guò)壓保護(hù)電路，采用強(qiáng)化BiCMOS工藝制造，可在少于1ms內(nèi)關(guān)斷一系列PFET且可承受高達(dá)30V的過(guò)壓瞬變(或25V穩(wěn)態(tài)電壓）。此器件的檢測(cè)臨界為4.45V 或5.5V，具有優(yōu)良的電壓能力且關(guān)斷速度比標(biāo)準(zhǔn)CMOS監(jiān)測(cè)電路更快，適用于手機(jī)、數(shù)字相機(jī)、便攜計(jì)算機(jī)、PDA和便攜式CD播放機(jī)。 www.onsemi.com
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