今年第一季度NAND閃存出現(xiàn)了產(chǎn)能過剩的情況，尤其是多層單元NAND閃存，價格也隨之大幅度下跌，這對新達公司的影響很大。一季度他虧損57萬5000美元，而去年同期是盈利3510萬美元。今年一季度毛利潤率為14.2%，去年則為28.4%。存儲卡平均容量達到了1231MB，年增長率為87%，季度增長率 為11%。而每MB平均價格年下跌率為62%，季度下跌率為23%。

對于出現(xiàn)這種局面的原因，公司主席兼首席執(zhí)行官Eli Harari解釋說芯片制造商處在單層單元閃存到多層單元閃存的換代中，老型號的清倉導(dǎo)致了新型號的NAND閃存的積壓。但是這種不平衡會很快消失，價格也會回到正常水平上來。新達公司所產(chǎn)芯片的99%都是多層單元結(jié)構(gòu)的。現(xiàn)在多層單元結(jié)構(gòu)產(chǎn)品的價格已經(jīng)回到正常水平了，但是仍有很多多層單元結(jié)構(gòu)NAND芯片流入市場，價格仍會波動?，F(xiàn)有庫存都售出后，價格才會真正穩(wěn)定在合理水平。

Harari說雖然現(xiàn)在可以看到價格回升的曙光，但仍要降價，因為市場占有率對新達公司來說太重要了。我們雖然在第一季度也進行了大幅度的降價，但幅度仍不及競爭對手，我們因此失去了北美的部分零售市場。

新達公司目前正在加緊研制56nm 閃存的步伐。公司已經(jīng)開始在3號工廠開始進行56nm芯片的批量生產(chǎn)，容量有16GB與8GB兩種。他預(yù)測容量高達8Gb和16Gb的芯片在今年第四季度會成為市場的主流。

3號工廠計劃2007年內(nèi)加工15萬枚晶圓，超過了原先13萬6千的計劃。而據(jù)Harari所說4號工廠會在2008年的上半年也投入這些產(chǎn)品的生產(chǎn)。除了56nm的計劃外，新達公司還打算在2008年上半年開始研發(fā)45nm閃存的產(chǎn)品。