據(jù)DigiTimes網(wǎng)站報(bào)道，韓國(guó)媒體Digital Daily與美國(guó)媒體Forbes報(bào)導(dǎo)，三星電子（Samsung Electronics）繼2006年8月將80nm制程的1Gb DDR 2標(biāo)準(zhǔn)型DRAM進(jìn)入量產(chǎn)階段后，27日又發(fā)表了針對(duì)手機(jī)與移動(dòng)設(shè)備推出的80nm制程DDR存儲(chǔ)器芯片，容量為1Gb，厚度較前代產(chǎn)品薄20％，耗電量減少30％。三星預(yù)計(jì)將在2007年第二季量產(chǎn)該產(chǎn)品，并預(yù)計(jì)屆時(shí)市場(chǎng)上對(duì)1Gb容量的手機(jī)存儲(chǔ)器芯片需求量將大幅增加。

三星表示，這款新產(chǎn)品將會(huì)使用在較高端的移動(dòng)應(yīng)用場(chǎng)合，除了手機(jī)外，數(shù)碼相機(jī)、便攜式多媒體播放器、掌上型游戲機(jī)等產(chǎn)品也能夠搭載80nm制程的存儲(chǔ)器芯片。三星的作法能夠加大手持裝置存儲(chǔ)器容量，進(jìn)而再推出單一封裝高容量的1.5Gb、2Gb產(chǎn)品，并借助自動(dòng)溫度檢測(cè)機(jī)制，調(diào)整耗電量以提高移動(dòng)設(shè)備的電力續(xù)航時(shí)間。

近來(lái)針對(duì)更高端制程存儲(chǔ)器技術(shù)發(fā)展的消息甚多，日廠爾比達(dá)（Elpida）就直接跳過(guò)80nm制程，在2007年第一季先推70nm制程的DDR 2標(biāo)準(zhǔn)型DRAM芯片，之后也要推出針對(duì)手機(jī)、服務(wù)器平臺(tái)的70nm制程芯片。而另1家韓國(guó)廠商海力士（Hynix）則是著手66nm制程的開(kāi)發(fā)，不過(guò)尚未有確切的量產(chǎn)時(shí)間。