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          安森美半導體推出硅技術的 PNP 與 NPN 器件

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          作者: 時間:2007-07-07 來源:EEPW 收藏
          安森美半導體推出采用先進硅技術的 PNP 與 NPN 器件,豐富了其業(yè)界領先的低 Vce(sat) 雙極結晶體管 (BJT) 產品系列。這兩種新型晶體管與傳統的 BJT 或平面 MOSFET相比,不僅實現了能效的最大化,而且還延長了電池的使用壽命。最新的低 Vce(sat) BJT 包括WDFN、SOT-23、SOT-223、SOT-563、ChipFET 及 SC-88等多種封裝形式,非常適用于多種便攜式應用。

          安森美半導體分立產品部副總裁兼總經理 Mamoon Rashid 指出:“安森美半導體提供目前市場上最豐富的高性能 BJT 選擇。我們的 Vce(sat) BJT 是低功率耗損和高散熱性能領域的領先產品,為控制提供了非常經濟的解決方案。這種器件非常適用于移動電話和汽車等多種開關應用 (strategic switch),為設計人員提供高性價比的解決方案,從而有助于他們推出領先的產品?!?

          安森美半導體最新推出的 NSSxxx 低 Vce(sat) 表面貼裝器件專為對能效控制要求極為嚴格的低壓轉換應用而設計。電流為1 A時,該器件可提供45 mV的超低飽和電壓及300倍的電流增益。這種低 Vce(sat) BJT 還提供超過8 kV的較高的靜電放電 (ESD) 容差,因此能在突發(fā)浪涌情況下自我保護,避免受損。由于實現了出色的電氣性能及較低的溫度系數,因此這種器件可提高能效,在無需額外 ESD 保護電路就能實現更好的電池節(jié)能。相對于 MOSFET而言,這種器件比較適中的開關速度降低了噪聲諧波,因此更適于需要控制電磁干擾(EMI)的應用。  

          安森美半導體的低 Vce(sat) BJT 系列產品采用多種業(yè)界領先的封裝,包括SOT-23、SOT-223、SOT-563、WDFN3、WDFN6、ChipFET、SC-88、SC74和TSOP6等。每10,000片的批量單價為0.14~0.27美元。

          如欲了解安森美半導體的全系列低 Vce(sat) BJT 產品詳情,歡迎訪問:www.onsemi.com.cn,請用 NSS 作為關鍵詞進行搜索。您也可下載 Spice 模型、應用注釋及設計理念等。
          如欲了解更多詳情,歡迎垂詢張華艷,其電子郵件為:meggie.zhang@onsemi.com。


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