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          NEC電子強化化合物半導(dǎo)體業(yè)務(wù)領(lǐng)域

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          作者: 時間:2007-08-08 來源:EEPW 收藏
          為了進一步推動在領(lǐng)域的發(fā)展,電子近日公布了在該領(lǐng)域的發(fā)展戰(zhàn)略及相應(yīng)的措施。電子的業(yè)務(wù)主要包括以GaAs等及硅為材料的光及微波半導(dǎo)體。

          電子此次公布的化合物半導(dǎo)體業(yè)務(wù)發(fā)展主要將發(fā)展重點集中在今后將會出現(xiàn)高速增長的光耦及GaAs開關(guān)IC等產(chǎn)品領(lǐng)域,以期望通過開拓此類領(lǐng)域,擴大在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展。NEC電子期望在此兩類市場中NEC電子的份額均能達到世界第一。為了實現(xiàn)該目標(biāo),NEC電子將在今后的1--2年內(nèi)相繼推出10款光耦產(chǎn)品及20款GaAs開關(guān)IC;同時,NEC電子還將不斷加強此兩類產(chǎn)品的生產(chǎn)能力,預(yù)計今后的2年內(nèi),光耦產(chǎn)品的生產(chǎn)能力將達到2億個/月;在今年的下半年,小型及薄型GaAs開關(guān)IC的生產(chǎn)能力將達到去年同期的10倍左右。

          NEC電子化合物半導(dǎo)體事業(yè)部希望通過在積極鞏固現(xiàn)有的重點領(lǐng)域的同時,切實推進此次的新發(fā)展戰(zhàn)略,在2010年實現(xiàn)750億日元的銷售額,使銷售額增長到2006年的1.5倍。

          NEC電子的化合物半導(dǎo)體業(yè)務(wù)始于1960年前后,目前,NEC電子的化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品已經(jīng)被廣泛的應(yīng)用在寬帶、手機網(wǎng)絡(luò)及多媒體等使用的光半導(dǎo)體及微波半導(dǎo)體領(lǐng)域。其中,在光半導(dǎo)體領(lǐng)域,NEC電子可為用戶提供光耦及播放光頭(Pick Up)用受光IC及DVD用可視光激光二極管等產(chǎn)品;在微波半導(dǎo)體領(lǐng)域,NEC電子可以為用戶提供GaAs開關(guān)IC及信號晶體管等。NEC電子推出的接收衛(wèi)星廣播信號用的低噪音GaAsFET及手機用信號晶體管占據(jù)著全球第一的市場份額;用于DVD刻錄機及家庭用游戲機等的關(guān)頭用受光IC產(chǎn)品占據(jù)著全球第二的市場份額。2006年,NEC電子的化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品的銷售額突破了500億日元。

          為了推動化合物半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的進一步發(fā)展,NEC電子將在今后會出現(xiàn)高速增長的領(lǐng)域,將光耦及GaAs開關(guān)IC定位為重點發(fā)展產(chǎn)品之一,不斷擴大化合物半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。
          此次,NEC電子半導(dǎo)體事業(yè)部準(zhǔn)備重點發(fā)展的2個領(lǐng)域的業(yè)務(wù)概況如下。

          (1)光耦業(yè)務(wù)
          2006年NEC電子在光耦領(lǐng)域的銷售額約為800億日元,2010年預(yù)計將增長8%。NEC電子目前在該領(lǐng)域全球排名第3,市場份額約為全球份額的13%。NEC電子在光耦業(yè)務(wù)領(lǐng)域的目標(biāo)是到2010年獲得全球17%的市場份額,在該領(lǐng)域排名第一。
          在光耦領(lǐng)域,NEC電子擁有微波半導(dǎo)體的高頻設(shè)計技術(shù)等電路設(shè)計技術(shù);高速的雙極技術(shù)、模擬MOS技術(shù)、耐高壓BiCMOS技術(shù)等NEC電子獨有的光硅片工藝技術(shù);以及小型高密度封裝技術(shù)等從電路設(shè)計到封裝的整套技術(shù)。

          (2)GaAs開關(guān)IC
          2006年NEC電子在GaAs開關(guān)IC領(lǐng)域的銷售額約為200億日元,2010年預(yù)計將增長15%。NEC電子目前在該領(lǐng)域全球排名第3,市場份額約為全球份額的15%。NEC電子在GaAs開關(guān)IC領(lǐng)域的目標(biāo)是到2008年獲得全球25%的市場份額在該領(lǐng)域排名第一。
          在GaAs開關(guān)IC領(lǐng)域,NEC電子不僅擁有HJFET(Hetero Junction Field Effect Transistor)技術(shù),還擁有該領(lǐng)域最小的超小型、薄型封裝技術(shù)。


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