超高速電子正迅速地填補(bǔ)著介于最高僅數(shù)百GHz的半導(dǎo)體，以及可高達(dá)數(shù)百THz的光學(xué)頻率之間的‘THz間隙’。眾所周知，頻率達(dá)到THz時(shí)的波長(zhǎng)通常以毫米為單位，而由Phiar公司所發(fā)明的新型金屬-絕緣體電子技術(shù)，顯示出其頻率已高達(dá)3.8THz，可望成為填補(bǔ)‘THz間隙’的新技術(shù)。 

Phiar聲稱該公司在業(yè)界擁有多家技術(shù)開發(fā)合作伙伴，使其技術(shù)得以克服許多應(yīng)用中的障礙，包括60GHz天線邊緣頻率轉(zhuǎn)換、平行快閃固態(tài)儲(chǔ)存硬盤、單芯片毫米波雷達(dá)、用于安全領(lǐng)域的‘X光透視’系統(tǒng)和芯片間RF互連的整合式THz檢測(cè)器數(shù)組。

“我們的技術(shù)將成為自真空管推出以來第一種可行的半導(dǎo)體替代技術(shù)?！盤hiar公司業(yè)務(wù)開發(fā)總監(jiān)AdamRentschler宣稱。 

近日，Phiar和摩托羅拉實(shí)驗(yàn)室(MotorolaLabs)共同完成了一項(xiàng)以Phiar的金屬-絕緣體二極管為基礎(chǔ)的60GHz天線開發(fā)工作，這種天線能實(shí)現(xiàn)數(shù)Gb的無(wú)線射頻，并用以傳送多信道的未經(jīng)壓縮高解析視訊訊號(hào)。該組件符合最新的60GHz無(wú)線標(biāo)準(zhǔn)IEEE802.15TG3c。一直以來，速度能夠滿足60GHz天線要求且具有性價(jià)比的組件，只有昂貴的分離式砷化鎵二極管。但隨著Phiar公司推出不用半導(dǎo)體的金屬-絕緣體二極管后，摩托羅拉公司已經(jīng)成功地開發(fā)出60GHz的無(wú)線電設(shè)備和天線原型。 

“摩托羅拉在數(shù)年前就成功展示了頻率很高的數(shù)Gb傳送器和接收器，目前正對(duì)組件的尺寸、性能和總體成本進(jìn)行改進(jìn)?！蹦ν辛_拉毫米波RF技術(shù)經(jīng)理RudyEmrick透露道。 

采用Phiar公司的技術(shù)后，60GHz的無(wú)線訊號(hào)可透過較不昂貴的模擬金屬-絕緣體電路而下降為2~3GHz訊號(hào)，因而在消費(fèi)設(shè)備之間實(shí)現(xiàn)高解析視訊的無(wú)線傳送。Phiar技術(shù)還能實(shí)現(xiàn)低價(jià)的THz雷達(dá)和成像設(shè)備，例如能夠準(zhǔn)確穿透衣物以辨識(shí)是否藏匿武器的機(jī)場(chǎng)安全系統(tǒng)。 

Phiar公司還宣稱已與一家未透露名字的‘美國(guó)主要閃存制造商’簽署了一份合約，計(jì)劃使用金屬-絕緣體技術(shù)以實(shí)現(xiàn)用于固態(tài)硬盤的平行閃存，據(jù)稱能達(dá)到NOR的速度與NAND的密度。 

除了60GHz二極管以外，Phiar公司也展示了可搭配的檢測(cè)器和AM接收器，以及60GHz混頻器、調(diào)變器和變?nèi)荻O管的概念原型、500GHz二極管與THz檢測(cè)器。該公司并預(yù)期將在今年展示THz晶體管原型?！巴高^將高密度NAND內(nèi)存(通常是串行設(shè)備)配置成像NOR內(nèi)存般的隨機(jī)存取裝置，金屬-絕緣體晶體管可實(shí)現(xiàn)固態(tài)硬盤，并具備實(shí)現(xiàn)隨機(jī)存取固態(tài)硬盤的潛力?！盠uxResearch公司資深分析師VaheMamikunian表示。 

淘汰半導(dǎo)體 

金屬-絕緣體電子技術(shù)采用第二層絕緣體和金屬，取代了金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)組件中的半導(dǎo)體，因而形成‘金屬-絕緣體-絕緣體-金屬’的四層堆棧架構(gòu)。使得該技術(shù)順利運(yùn)作的主要原因在于：兩種金屬及其絕緣體經(jīng)過仔細(xì)裁剪后，在只允許高能量穿隧效應(yīng)的絕緣體間有效地形成了一個(gè)量子阱。因此，當(dāng)施加于頂部金屬的電壓超過其閾值時(shí)，彈道傳送機(jī)制產(chǎn)生作用，因而加速穿隧電子通過間隙。

“我們促進(jìn)了通過氧化層的量子穿隧效應(yīng)，而氧化層厚度總共也才60埃(0.6nm)左右?！盤hiar公司總裁兼執(zhí)行長(zhǎng)BobGoodman說道，“由于量子穿隧是一種傳送機(jī)制，它發(fā)生的速度比半導(dǎo)體領(lǐng)域中的任何事物都快，在我們的組件中是飛秒(10-(SUB/)15(/SUB))數(shù)量級(jí)，這將打破半導(dǎo)體的物理定律?！?nbsp;

因此，金屬-絕緣體組件的最高頻率已達(dá)3.8THz，而半導(dǎo)體由于不可避免地會(huì)降低電子流動(dòng)速率，因此目前CMOS半導(dǎo)體的最高速度只能達(dá)到60GHz，SiGe半導(dǎo)體也只有400GHz。 

金屬-絕緣體技術(shù)據(jù)稱在制造方面比高速芯片技術(shù)更容易，因?yàn)樗捎玫氖桥cCMOS晶圓廠相同的成熟制程步驟，而且組件幾乎可以在所有基板上制造──即使是在消費(fèi)性組件的塑料外殼內(nèi)面上也一樣行得通。