日前，RF Micro Devices(RFMD)宣布推出專有微機(jī)電系統(tǒng) (MEMS) - 面向 RF 及其他應(yīng)用的技術(shù)。RFMD 期望其專有的 MEMS 技術(shù)將在 RF 及其他應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)突破性的性能及空前水平的功能整合。

　　RFMD 推出的第一批 RF MEMS 器件將是面向 3G 多模手機(jī)的 RF MEMS 發(fā)送/接收開(kāi)關(guān)及 RF MEMS 模式開(kāi)關(guān)。通過(guò)極大減小產(chǎn)品占位面積并提高效率，從而延長(zhǎng)手機(jī)通話時(shí)間，RFMD 的 MEMS 開(kāi)關(guān)技術(shù)將有助于加速 3G 部署。當(dāng)與面向前端解決方案(GaAs、SOI 及硅)的 RFMD 業(yè)界領(lǐng)先工藝技術(shù)相結(jié)合時(shí)，RFMD 的 RF MEMS 開(kāi)關(guān)技術(shù)將樹(shù)立低成本、小尺寸及超高性能前端的新標(biāo)準(zhǔn)。

　　RFMD 的 MEMS 開(kāi)關(guān)還將在功率放大器 (PA) 的輸出電路中使用，以創(chuàng)建可調(diào)諧的 PA，公司預(yù)計(jì)這將實(shí)現(xiàn)真正自適應(yīng)的收發(fā)器解決方案。

　　RFMD 研發(fā)副總裁 Victor Steel 指出：“RFMD 專有 MEMS 技術(shù)的商業(yè)化以及我們 200mm MEMS 研發(fā)制造廠的建設(shè)強(qiáng)調(diào)了 RFMD 不斷致力于通過(guò)一流的創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品領(lǐng)先地位。RFMD 是唯一能夠?qū)⒒旌闲盘?hào) CMOS、功率管理、功率放大器、RF 開(kāi)關(guān)及 RF MEMS 結(jié)合在低成本晶圓級(jí)封裝的單片解決方案中的公司。隨著我們業(yè)界領(lǐng)先 MEMS 功能的商業(yè)化，我們將能夠進(jìn)一步提供可預(yù)計(jì)并超出我們客戶日益增長(zhǎng)的 RF 需求的高整合度 RF 解決方案?！?/P>

　　加州大學(xué)圣地亞哥分校教授 Gabriel M. Rebeiz 強(qiáng)調(diào)：“現(xiàn)有 RF MEMS 開(kāi)關(guān)技術(shù)基于小制造批次及晶圓到晶圓封裝技術(shù)，這最終會(huì)增加器件成本。RFMD 方法及其硅片上的高整合度針?shù)h相對(duì)地解決了這一問(wèn)題，并最終將提高產(chǎn)量及性能以及極大降低成本。”

　　RFMD 的 RF MEMS 開(kāi)關(guān)為高功率歐姆接觸式 MEMS 開(kāi)關(guān)，它們是 RF CMOS SOI 晶圓上后處理的 IC，密封在晶圓級(jí)封裝 (WLP) 電介質(zhì)圓頂中。使 RF MEMS 開(kāi)關(guān)運(yùn)行所需的所有必要電路均被集成到了基本 CMOS 中，包括可靠接通功率 MEMS 開(kāi)關(guān)所需的大電壓及控制信號(hào)的產(chǎn)生。RF MEMS 開(kāi)關(guān)完全支持 RFMD 苛刻的蜂窩 RF 功率模塊要求，包括低插損及高隔離(典型0.2dB/35dB @ 1.9GHz)以及高諧波抑制(典型>90dBc)，同時(shí)還符合嚴(yán)格的可靠性及設(shè)計(jì)與生產(chǎn)成本要求。

　　除 RF MEMS 開(kāi)關(guān)外，RFMD 還正在積極推動(dòng)其他 MEMS 器件的商業(yè)化，例如 RF MEMS 濾波器、RF MEMS 共鳴器(晶體替代器件)及 MEMS 傳感器。公司期望其 MEMS 技術(shù)連同其在高性能射頻系統(tǒng)中的現(xiàn)有核心能力將最終實(shí)現(xiàn)能夠適應(yīng)任何無(wú)線協(xié)議 – 蜂窩或非蜂窩 – 的單片前端及軟件定義無(wú)線電。

　　RFMD 將構(gòu)建 200mm 研發(fā)晶圓制造廠以支持其不斷的 MEMS 開(kāi)發(fā)。該 MEMS 研發(fā)制造廠將與 RFMD GaN 研發(fā)機(jī)構(gòu)共同位于北卡羅萊納 Mooresville 的新工廠中。