一、北京電子信息材料領域技術的現(xiàn)狀及優(yōu)勢

　　北京信息產業(yè)已經成為首都經濟發(fā)展的重要支柱產業(yè)，2006年，北京信息產業(yè)的工業(yè)增值超過1300億，占全市GDP的16.6%，信息產業(yè)的快速發(fā)展強勁拉動了我市電子信息材料產業(yè)的發(fā)展。目前，北京電子信息材料領域已經初具規(guī)模，整體技術水平居于國內領先地位。優(yōu)勢產業(yè)主要集中在集成電路配套材料、光電顯示材料和磁性材料三大領域。

　　首先我們來看集成電路配套材料領域。北京聚集了中科院半導體所、中科院物理所、有色金屬研究總院等多家國家半導體材料領域的頂尖級科研機構，科研成績顯著。已成功研制出具有自主知識產權的12英寸摻氮硅單晶、研制出新型的半絕緣磷化銦晶片，在氮化鎵基器件的基礎材料和器件技術以及關鍵裝備方面取得了集群性突破。例如在12英寸硅片的工程化技術，8英寸鍺硅外延實驗室技術、248納米光刻膠工程化技術、193納米光刻膠實驗室技術等方面都居于國內領先水平。北京已經建立起涵蓋硅及硅基材料、光刻膠等十余種關鍵電子信息材料在內的產業(yè)鏈，是國內最重要的硅材料研發(fā)和生產基地。此外，北京在鍵合金絲、光刻膠以及氧塑封料等集成電路配套材料的研發(fā)方面也有較好的技術優(yōu)勢。

　　其次是光電子材料領域，北京光電子材料領域主要集中在半導體的照明材料、光電顯示材料、激光材料等方面。在半導體照明材料方面，中科院半導體所、中科院物理所、北京大學、清華大學、北京工業(yè)大學等諸多技術力量，在半導體照明用外延材料及芯片的研究方面領域都具有國內較強的科研實力，并初步形成了半導體照明材料研發(fā)、器件設計和管芯制備、封裝、測試和應用等各個環(huán)節(jié)，相對完整的技術鏈;在光電顯示材料方面，北京TFT-LCD面板生產技術水平處在世界先進行列，在OLED相關材料、器件、模塊等方面擁有各類專利60多項，并一直領跑國內的OLED的顯示屏研發(fā)和生產;在激光材料方面，借助于中電科技集團11所、中科院理化所、北京光電技術研究所、國科激光、海特光電等單位的科研優(yōu)勢，北京成為國內激光晶體和非線性光學晶體的研發(fā)重地，在非線性晶體研究、大功率激光二極管以及紫外、深紫外全固態(tài)激光器研究方面擁有多項自主知識產權，處于國際領先地位。

　　第三在磁性材料領域，北京作為國內科技資源非常豐富的地區(qū)，磁性材料領域不僅集中相關高校的優(yōu)勢，還有3家國家重點實驗室，2家國家工程技術中心，2家國家工程研究中心。北京在磁性材料方面的優(yōu)勢主要體現(xiàn)在鐵氧體、稀土永磁中的釹鐵硼和釹鐵氮等方面，無論是技術研發(fā)、還是產業(yè)規(guī)模均在國內外競爭中占據(jù)優(yōu)勢的地位。例如“北礦磁材公司”開發(fā)的鐵氧體永磁生產技術，打破了日本對我國的技術封鎖，推動了國內磁性材料和器件行業(yè)的技術進步和發(fā)展;北京大學楊應昌院士帶領的研究團隊，攻克了釹鐵氮磁性材料關鍵制備技術，成為稀土永磁材料中唯一擁有我國自主知識產權的永磁材料，并具有國際領先水平，不僅提高了我國磁性材料產業(yè)技術水平，也打破了國外對我國的技術封鎖。

　　二、北京市電子信息領域科技工作的進展和收獲

　　“十五”以來，北京市科委圍繞信息產業(yè)發(fā)展需求，重點開展兩方面工作，一方面通過實施科技項目，集成和發(fā)揮科技資源的優(yōu)勢，不斷提升重點產業(yè)的創(chuàng)新能力和核心競爭力。另一方面，通過搭建條件資源服務平臺和信息資源服務平臺等工作，為領域內自主創(chuàng)新能力的提升提供共性技術的支撐和優(yōu)質的科技服務。

　　在科技計劃項目實施方面，“十五”以來，北京市在信息產業(yè)相關的材料領域先后共實施了16個科技計劃的重點項目，共投入科技經費1億7百多萬元，吸引了社會資金3億3千多萬元。重點支持了半導體硅材料、半導體照明材料、激光材料及器件、釹鐵氮永磁材料等方面的發(fā)展，并取得以下三個方面的成績：

　　1. 在集成電路配套材料研制方面形成國內領先優(yōu)勢，扭轉長期依賴進口的局面。

　　通過實施“直徑12英寸硅單晶拋光片的研制及相關材料工程化應用研究”和“集成電路互連線制造用高純金屬/合金靶材的的關鍵技術研究以及產業(yè)化”等4個科技項目，研究開發(fā)出滿足100納米寬集成電路需求的12英寸的硅單晶拋光片，集成電路制造用的高純金屬/合金靶材，實現(xiàn)12英寸硅單晶拋光片的大規(guī)模國產化生產。另外，在砷化鎵和片材研究方面也取得重大進展和突破，縮小與國際先進水平的差距。

　　2. 在光電子材料和器件研究與應用方面突破了多項關鍵技術，知識產權與技術創(chuàng)新碩果累累。

　　我們通過“產生紅綠藍三基色激光的晶體材料和元件研究”、“半導體激光器產業(yè)化關鍵技術研究”等6個項目的實施，在激光方面，不僅完成了大尺寸晶體生產的關鍵技術研究，重點突破了超光滑表面的拋光工藝的關鍵技術，為全世界在該領域的基礎研究和應用作出重大貢獻，還在LED傾向外延生長技術、激光剝離技術等方面形成突破，形成20余項國內專利，特別是氮化鎵單芯片實現(xiàn)白光、單有源區(qū)域隧道結實現(xiàn)白光的發(fā)光技術等方面形成三項原創(chuàng)性國際專利，突破了國外的專利覆蓋;在激光材料運用方面，突破了DVD用半導體激光器外延片、大功率半導體激光器、光通信用半導體激光器批量化生產的關鍵技術，并實現(xiàn)了規(guī)?；a，在國內首次實現(xiàn)60英寸激光投影大屏幕顯示的原理性演示裝置，獲得了色彩鮮艷、圖像清晰的DVD動態(tài)圖象。此外，完成激光打標機、激光切割機等應用方面的整機開發(fā)，為國內大功率全固態(tài)激光器的大規(guī)模應用奠定了良好的技術基礎。

　　3. 在磁性材料基礎研究與工程化技術開發(fā)方面，形成了國際先進的技術和明顯的產業(yè)優(yōu)勢。

　　通過實施“新型稀土永磁材料釹鐵氮產業(yè)化開發(fā)研究”等六個項目，對釹鐵硼在基礎研究和產業(yè)化關鍵技術研究方面給予支持，開發(fā)高性能的N50系列的產品，大大推動了我國的釹鐵硼磁性材料的技術進步。此外，北京在國內率先完成了釹鐵氮稀土磁性材料的開發(fā)，開發(fā)出具有自主產權的批量生產釹鐵氮的新工藝，繞開了國外專利技術壁壘，取得了我國擁有完全擁有自主產權的技術成果，實現(xiàn)了新型稀土磁性材料研究方面的歷史性突破。

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　　三、我想介紹一下下階段北京市電子信息材料領域科技工作的設想

　　“十五”以來，北京市科委通過積極努力，開展新材料領域取得的一些有目共睹的成績，尤其是信息產業(yè)相關的材料領域成績斐然，下一階段將在市科技工作的整體思路指導下，認真貫徹“需求導向、主題引題、匯聚資源、領域支撐、示范帶動”20字工作方針，深入落實“八大科技工作的主題計劃”，圍繞重點產業(yè)發(fā)展的需求和國家戰(zhàn)略的需求，首都城市建設和城市管理的需求，通過實施一批技術攻關項目和營造良好的創(chuàng)新環(huán)境，集成和發(fā)揮科技優(yōu)勢，不斷提升新材料領域自主創(chuàng)新的能力，使新材料技術更好地服務于首都經濟和社會的發(fā)展，努力推動新材料領域轉變?yōu)樯鐣l(fā)展的競爭優(yōu)勢。

　　在電子信息材料領域，下一階段科技工作的重心將集中在大力支持集成電路配套材料方面，配合國家集成電路重大專項的實施，充分發(fā)揮北京在以集成電路為主導的微電子領域的多方面的科技資源的優(yōu)勢，開展跨領域、多學科的產學研相結合的技術公關，通過大規(guī)模的關鍵材料的技術，積極推進北京電子信息材料領域的發(fā)展，有利支撐北京和國內信息產業(yè)的發(fā)展。

　　北京市科委將對大規(guī)模集成電路關鍵材料的開發(fā)，從以下四個具體方面來支撐首都電子信息材料領域的發(fā)展：一是先進半導體硅材料技術的研究，二是高端光刻膠產業(yè)化關鍵技術的研究，三先進互連材料的開發(fā)及產業(yè)化，四是先進封裝用材料的開發(fā)和產業(yè)化。