記者近日從北京大學(xué)物理學(xué)院獲悉，以馮慶榮教授為首的研究組成功制備出了具有超高載流能力的干凈極限MgB2(二硼化鎂)薄膜樣品，以及超高上臨界場的碳摻雜MgB2薄膜。該項研究成果將發(fā)表在今年3月28日出版的《前沿科學(xué)》上。

　　據(jù)介紹，作為973計劃項目“超導(dǎo)材料科學(xué)及應(yīng)用中的基礎(chǔ)問題研究”的子課題，以馮慶榮為首的研究組在甘子釗院士支持下，與國內(nèi)外科研小組合作，利用改進的物理化學(xué)氣相沉積方法開展研究。研究組莊承鋼博士成功制備出了具有超高載流能力的干凈極限MgB

　　2薄膜樣品，各種參數(shù)均達到世界最好水平。樣品的超導(dǎo)臨界電流密度接近MgB2超導(dǎo)臨界電流密度的理論極限值，為目前世界上臨界電流密度最高的報道值。在此基礎(chǔ)上，馮慶榮等又設(shè)計并建造出一種新的熱絲輔助混合物理化學(xué)氣相沉積裝置，成功地利用甲烷作為碳源，實現(xiàn)了對干凈MgB2樣品的可控碳摻雜。

　　據(jù)了解，MgB2是2001年被外國科學(xué)家首先發(fā)現(xiàn)的一種具有超導(dǎo)電性的金屬間化合物。由于這種新材料可以比目前普遍使用的鈮三錫(Nb3Sn)金屬間化合物和鈮鈦(Nb-Ti)合金等超導(dǎo)材料大大降低運行成本，并且成材和加工性能較好，所以被業(yè)內(nèi)普遍認為有可能成為一種可以與Nb-Ti合金相媲美的實用超導(dǎo)材料，特別是在核磁共振成像技術(shù)、加速器技術(shù)等超導(dǎo)的強電應(yīng)用方面，具有可觀的開發(fā)前景。(李凝曹丙利)