采用0.13微米CMOS工藝制造的單芯片UMTS W-CDMA多頻段收發(fā)器(06-100)
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接收器包括差分輸入端口、第二低噪放大器級(jí)(2nd LNA)、兩個(gè)下變頻器(帶CMOS Gilbert型混頻器以及緊隨其后的低噪緩沖放大器)、一個(gè)經(jīng)過(guò)校準(zhǔn)的模擬有源六階基帶(BB)濾波器，并且伴隨一個(gè)附加的二階可編程陷波濾波器(2.7 MHz)。所有直流偏置由內(nèi)部電路補(bǔ)償。
本文引用地址：http://cafeforensic.com/article/81180.htm 該收發(fā)器包括一個(gè)Butterworth型三階模擬有源基帶濾波器，以及三個(gè)直接上變頻器、可變?cè)鲆娣糯笃?VGA)級(jí)(每條通道的增益控制范圍超過(guò)85dB)、高功率輸出驅(qū)動(dòng)級(jí)(典型輸出功率為11dBm)。VGA級(jí)的自適應(yīng)偏置，可確保整個(gè)輸出功率范圍內(nèi)功耗最低。
混頻器包括全集成式壓控振蕩器(VCO)，后者集成了片上調(diào)諧電路、自動(dòng)上電校準(zhǔn)和環(huán)路濾波器等功能。
所有功能均由一個(gè)基于三線制總線設(shè)計(jì)的靈活的多標(biāo)準(zhǔn)編程接口控制，這不僅實(shí)現(xiàn)了后向兼容，而且可支持DigRF標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的全部讀/寫(xiě)存取操作。
該器件的工作電壓范圍為2.7 -3 V，工作環(huán)境溫度范圍為-30℃至+85℃，可配置成不同的參考振蕩頻率以及不同的基帶接口參數(shù)(例如I/Q共模電壓)，從而實(shí)現(xiàn)最佳兼容性。多種節(jié)電模式可確保各類(lèi)操作情景下的功耗最低。接收通道的最大功耗為通道的最大功耗為35mA(打開(kāi)陷波濾波器時(shí)為37mA)，而發(fā)射器的功耗始終低于80mA。如果發(fā)射和接收功能都沒(méi)有啟動(dòng)，一個(gè)被稱(chēng)為“睡眠模式”的特殊操作模式將被激活。在這種模式下，器件的典型功耗一般為2mA。如果移動(dòng)終端(UE)未被用于無(wú)線信號(hào)收發(fā)(例如，正在使用高級(jí)移動(dòng)終端都具有的個(gè)人數(shù)字助理(PDA)功能)，這對(duì)于延長(zhǎng)電池工作時(shí)間非常有用。在睡眠操作模式下，所有的寄存器設(shè)置都保存在一個(gè)特殊的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)中，這樣，在下次被喚醒時(shí)，集成電路就能取回所有的設(shè)置。
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