二零零八年十一月十三日--中國訊 -- 美國國家半導(dǎo)體公司 (National Semiconductor Corporation)(美國紐約證券交易所上市代號：NSM)最新推出的兩款零漂移運算放大器，不但具有業(yè)界最低的輸入電壓噪聲(以1000V/V倍增益操作時，輸入噪聲低至11nV/sqrt Hz)，而且以直流電壓進(jìn)行操作時準(zhǔn)確度也極高，最適用于低頻率、低供電電壓的傳感器接口系統(tǒng)。由于這兩款新芯片在性能上具有明顯的優(yōu)勢，從而使這類零漂移放大器的應(yīng)用領(lǐng)域得以進(jìn)一步擴大，甚至適用于增益要求極高而噪聲低至15nV/sqrt Hz 以下的傳感器接口。
 
 　　單組裝的LMP2021及雙組裝的LMP2022高精度運算放大器非常適用于傳感器接口系統(tǒng)，其中包括負(fù)載傳感器、壓力感器及力度傳感器，因此可以廣泛用于工業(yè)系統(tǒng)、科研用重量計、醫(yī)療、測量設(shè)備、以及供暖、通風(fēng)和空調(diào)系統(tǒng)。美國國家半導(dǎo)體已將這兩款放大器芯片列為最新推出的WEBENCH® 傳感器設(shè)計工具之一。這套全新的在線設(shè)計工具可以簡化設(shè)計流程，并縮短開發(fā)時間。以傳感器信號路徑的設(shè)計為例，工程師只需在鍵盤上輕按幾次，便可完成從構(gòu)思、模擬測試到建模的整個設(shè)計過程。
 
 　　美國國家半導(dǎo)體的零漂移放大器采用創(chuàng)新的噪聲波形調(diào)整技術(shù)，可以利用內(nèi)置的連續(xù)校正電路確保輸入偏移錯誤電壓自動歸零，換言之，無論操作時間有多長、溫度出現(xiàn)什么變化，這兩款放大器都可不斷保持最高的精確度，并具有極高的共模抑制比(CMRR)及電源抑制比(PSRR)。以振幅較小的輸入信號為例，雖然這類信號以較高增益倍數(shù)放大，但這兩款運算放大器在放大這些信號之后，其輸入電壓噪聲反而會下降，由100V/V增益的15nV/sqrt Hz (典型值) 下降至 1000V/V增益的11nV/sqrt Hz。若以該關(guān)鍵參數(shù)作為基準(zhǔn)進(jìn)行比較，美國國家半導(dǎo)體這兩款產(chǎn)品比競爭對手優(yōu)勝50%。此外，這兩款運算放大器還可濾除低頻系統(tǒng)的中頻錯誤電壓噪聲。
 
 　　LMP2021/22芯片均內(nèi)置可抑制電磁干擾（EMI）濾波器，它是最近推出的LMV83x、LMV85x及LMV86x超強抗電磁干擾能力運算放大器系列的最新型號。LMP2021/22芯片的電磁干擾抑制比(EMIRR)高達(dá)79dB，因此可抑制外來的射頻干擾。此外，這兩款運算放大器除了適用于24位的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)之外，也可驅(qū)動美國國家半導(dǎo)體最新推出的16位ADC161S626模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換器。這款模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換器可在攝氏-40度至85 度的溫度范圍內(nèi)保持 +/-0.003% 的信號準(zhǔn)確度。以高分辨率的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)為例，系統(tǒng)設(shè)計工程師一般會根據(jù)模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換器的滿標(biāo)度輸入范圍設(shè)定傳感器的輸出，以確保系統(tǒng)具有最高的靈敏度。
 
 　　LMP2021/22 零漂移高精度放大器的主要特性
 
 　　單組裝的LMP2021及雙組裝的LMP2022都屬于零漂移、低噪聲、抗電磁干擾能力更強的運算放大器，其優(yōu)點是輸入偏移電壓漂移溫度系數(shù)(TCVos)極低(每攝氏度僅有0.004uV)，而偏移電壓典型值則只有0.4uV。這兩款芯片均可在2.2V至5.5V的供電電壓范圍內(nèi)進(jìn)行操作，增益帶寬則高達(dá)5MHz，但每通道的耗電則低至1.1mA。LMP2021/22運算放大器的開環(huán)增益為160dB，共模抑制比為139dB，而電源抑制比則為130dB。此外，這兩款芯片都可在攝氏-40度至125度的寬溫度范圍內(nèi)進(jìn)行操作。LMP2021芯片有5引腳 SOT23及8引腳 SOIC兩種封裝可供選擇，而LMP2022芯片則有8引腳SOIC及8引腳MSOP兩種封裝。
 
 　　美國國家半導(dǎo)體的放大器系列
 
 　　美國國家半導(dǎo)體一直專注于研發(fā)高性能的放大器及比較器，目前已成功推出一系列型號齊全的運算放大器，以滿足市場上對高精度、高速、低電壓及低功率放大器的需求。該公司多年來一直致力于開發(fā)創(chuàng)新的放大器，這方面的技術(shù)更一直領(lǐng)先同業(yè)，加上該公司也擁有先進(jìn)的 VIP10 雙極及 VIP50 BiCMOS 工藝技術(shù)，這幾方面的優(yōu)勢令美國國家半導(dǎo)體將可繼續(xù)在放大器市場上保持其領(lǐng)導(dǎo)地位。此外，美國國家半導(dǎo)體率先推出 Silicon Dust™ 及 micro SMD 這兩種嶄新的封裝技術(shù)，為封裝技術(shù)的市場領(lǐng)導(dǎo)者。如欲進(jìn)一步查詢有關(guān)美國國家半導(dǎo)體放大器產(chǎn)品的資料，可瀏覽 national.com/amplifiers  網(wǎng)頁。