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          硅鍺直接調(diào)制器HMC497LP4 的特性分析及應(yīng)用

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          作者:Mark T. Fallica 時(shí)間:2005-10-13 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            與基于雙變頻拓?fù)涞陌l(fā)射機(jī)相比,直接調(diào)制方法通過(guò)取消一級(jí)混頻器及其相關(guān)的匹配、濾波、VCO/PLL 與LO 緩沖電路,簡(jiǎn)化了發(fā)射鏈路。本文介紹的寬動(dòng)態(tài)范圍硅鍺直接調(diào)制器 及其應(yīng)用電路設(shè)計(jì)方法能幫助工程師設(shè)計(jì)出滿(mǎn)足多頻段應(yīng)用的寬動(dòng)態(tài)范圍直接調(diào)制器。

            自1918 年發(fā)明以來(lái),超外差接收機(jī)已成為射頻通信領(lǐng)域的主力。射頻工程師過(guò)去一直在利用超外差接收機(jī)技術(shù)的較好頻率穩(wěn)定性及較高靈敏度等優(yōu)勢(shì),這些優(yōu)勢(shì)也可在發(fā)射端的設(shè)備中獲得。在典型的超外差發(fā)射機(jī)中,先用攜帶信息的信號(hào)(基帶或I/Q)來(lái)調(diào)制本振(LO) 信號(hào),以產(chǎn)生調(diào)制中頻(IF)信號(hào);然后再將此IF 信號(hào)濾波并與第二本振信號(hào)混頻(上變頻), 以產(chǎn)生最終調(diào)制射頻信號(hào)并用天線發(fā)射出去。

            這種雙變頻電路拓?fù)淇膳c模擬及數(shù)字調(diào)制技術(shù)一起使用。與基于雙變頻拓?fù)涞陌l(fā)射機(jī)相比,直接調(diào)制法通過(guò)取消一級(jí)混頻器及其相關(guān)的匹配、濾波、VCO/PLL 與LO 緩沖電路,簡(jiǎn)化了發(fā)射鏈路。當(dāng)然,非單片直接調(diào)制器的實(shí)現(xiàn)也有它自身的問(wèn)題。

            射頻集成電路(RFIC) 技術(shù)的最新進(jìn)展已促使人們重新開(kāi)始對(duì)直接變頻架構(gòu)發(fā)生興趣。在設(shè)計(jì)一種單片直接調(diào)制器時(shí),有幾種工藝可供選擇,但只有硅鍺(SiGe)HBT 工藝能同時(shí)擁有高效率、高線性度、高Ft、小尺寸及低成本等多種優(yōu)勢(shì)?;趩纹瑢拵е苯诱{(diào)制器的上變頻器,其寄生與端口匹配問(wèn)題更少,因此可減少印制板(PCB)面積以及多頻段應(yīng)用中的器件數(shù)。直接調(diào)制的優(yōu)勢(shì)再結(jié)合RFIC 技術(shù),將導(dǎo)致從雙變頻架構(gòu)向頻率日益提高的直接調(diào)制架構(gòu)的轉(zhuǎn)換。

          高動(dòng)態(tài)寬帶直接調(diào)制器

             是Hittite Microwave 公司的高動(dòng)態(tài)寬帶直接調(diào)制器,采用SiGe 工藝,具有200 至4,000MHz 的擴(kuò)展RF/LO 帶寬。 采用一種多相網(wǎng)絡(luò),將LO 分成兩路相差為90(的等幅信號(hào)(見(jiàn)圖1)。包含多相網(wǎng)絡(luò)的分支與限幅放大電路,可在各種LO 輸入功率電平上獲得最佳性能。片上兩路LO 信號(hào)路徑互成鏡像,以不引入任何相移,而平衡信號(hào)路徑則用來(lái)提供更高的抗噪性能。然后每路LO 信號(hào)再驅(qū)動(dòng)有源(吉爾伯特單元)混頻器,其中一路上變頻為BB_IP/BB_IN(帶寬同相)數(shù)據(jù),另一路則上變頻為BB_QP/BB_QN(寬帶正交)數(shù)據(jù)。最后,經(jīng)過(guò)上變頻的I/Q 信號(hào)再被同相合并,并從平衡轉(zhuǎn)換成單端射頻輸出。

            直接正交調(diào)制器的動(dòng)態(tài)范圍對(duì)于保持高數(shù)據(jù)速率及數(shù)字調(diào)制信號(hào)的完整性非常關(guān)鍵。直接調(diào)制器的動(dòng)態(tài)范圍定義為1dB壓縮點(diǎn)上的輸出功率與輸出噪聲基底電平(用dBm/Hz表示) 之比。HMC497LP4 可提供+8 dBm(900MHz)及+6dBm(3,500MHz)的P1dB 輸出,而輸出噪聲基底則分別為-161dBm/Hz(900MHz) 與-153dBm/Hz(3,500MHz) 。這些值分別對(duì)應(yīng)著169dB(900MHz)及159dB(3,500MHz)的動(dòng)態(tài)范圍。

            其它直接調(diào)制器關(guān)鍵性能為邊帶抑制及載波饋通(feedthrough)電平。在中間頻率上,HMC497LP4 可提供-47dBc 的邊帶抑制以及-32dBm 的載波饋通電平(抑制與饋通電平是在LO 輸入=0dBm、Vcc=+5.0V、Vbbdc=+1.50V 以及200kHz 基帶輸入頻率(800mV 峰-峰差分輸入)上測(cè)得)。

            通過(guò)調(diào)整I、Q 輸入端之間的相移可提高直接調(diào)制器的邊帶抑制。I、Q 信號(hào)間的理想相移最好在最終電路中憑經(jīng)驗(yàn)確定,以對(duì)I、Q 信號(hào)路徑中的任何微小不對(duì)稱(chēng)進(jìn)行校正。通過(guò)調(diào)整I、Q 基帶輸入端之間的直流偏移可減少直接調(diào)制器的載波饋通。I、Q 信號(hào)間的理想直流偏移最好在最終電路中憑經(jīng)驗(yàn)確定,以消除由布局布線引起的寄生耦合效應(yīng)。

          應(yīng)用指南

            HMC497LP4 當(dāng)在2,140MHz 頻率上被驅(qū)動(dòng)至-10dBm WCDMA 輸出信道功率電平時(shí),HMC497LP4 可提供-67dBc 的鄰近信道功率比(ACPR)。HMC497LP4 的LON 端口在內(nèi)部被匹配至50O,且應(yīng)以-6 至+6dBm 之間的單端輸入電平來(lái)驅(qū)動(dòng)。要求在LON 及LOP 端上分別串聯(lián)一個(gè)100pF 電容來(lái)提供直流屏蔽,而LOP 端則在外部與50O 端接(見(jiàn)圖2)。

            HMC497LP4 的射頻輸出也是單端并在內(nèi)部匹配至50O。建議在射頻輸出端串聯(lián)一個(gè)100pF 電容來(lái)提供直流屏蔽。

            調(diào)制輸入端、BB_IN、BB_IP、BB_QN 及BB_QP 均為直流耦合,這樣直流器件便能與基帶輸入信號(hào)連接,從而增加上變頻鏈路的載波抑制。這些輸入可直接由數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC) 驅(qū)動(dòng),或如果需要亦可通過(guò)電阻或基于運(yùn)放的電平轉(zhuǎn)換電路來(lái)驅(qū)動(dòng)。

            HMC497LP4 采用兩條偏置電源輸入線(Vcc1 及Vcc2)。為減少電源噪聲,每條電源線都用靠近輸入接頭的4.7uF 旁路電容以及靠近封裝引腳的1,000pF 旁路電容去耦。Vcc1 與Vcc2 額定偏壓介于+4.5 至+5.5V 之間,總電流消耗為168mA。

            HMC497LP4 直接調(diào)制器實(shí)際上可精確產(chǎn)生包括BPSK、QPSK、8PSK、OFDM 及QAM 在內(nèi)的任何模擬或數(shù)字調(diào)制格式。DC 至700 MHz 的極寬I/Q 輸入端帶寬不僅容易支持多載波工作,而且還能結(jié)合成熟預(yù)失真技術(shù)來(lái)減少互調(diào)波。這種策略可通過(guò)允許將其驅(qū)動(dòng)為壓縮來(lái)提高發(fā)射功率放大器的效率。

            HMC497LP4 的多功能性使收發(fā)器設(shè)計(jì)者能滿(mǎn)足NMT、PCS、UMTS、WLL、WLAN、Hyperman/Hyperlan 及WiMAX 等系統(tǒng)中的基站、轉(zhuǎn)發(fā)器以及其它無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用的需求。HMC497LP4 還適合用于軟件無(wú)線電中,在那里上變頻必須能根據(jù)條件及要求的變化來(lái)動(dòng)態(tài)改變其調(diào)制格式與帶寬。

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