MOSFET滿足新能效目標(biāo)

　　電腦產(chǎn)業(yè)拯救氣候行動(dòng)計(jì)劃(Climate Savers)發(fā)起的80PLUS Gold金牌認(rèn)證規(guī)定的新能效目標(biāo)(圖1)，要求在美國(guó)能源之星計(jì)劃當(dāng)前的要求基礎(chǔ)上，再使計(jì)算機(jī)的能效提高約10%。英飛凌(Infineon)為此大力改進(jìn)其MOSFET。6月中旬，在深圳舉行的第十五屆中國(guó)國(guó)際電源展覽會(huì)暨第十三屆中國(guó)變頻器及電子變壓器展覽會(huì)上，英飛凌推出了多款MOSFET，包括全球首發(fā)高端功率晶體管CoolMOS C6，還有中低端的OptiMOS 3家族的75V產(chǎn)品。

　　CoolMOS C6凌空出世

　　高性能MOSFET 600V CoolMOS C6系列可使諸如PFC(功率因數(shù)校正)級(jí)或PWM(脈寬調(diào)制)級(jí)等能源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的能源效率大幅提升。C6融合了現(xiàn)代超結(jié)結(jié)構(gòu)及包括超低單位面積導(dǎo)通電阻(例如采用TO-220封裝，電阻僅為99mΩ)在內(nèi)的補(bǔ)償器件的優(yōu)勢(shì)，同時(shí)具有更低的電容開關(guān)損耗、更簡(jiǎn)單的開關(guān)控制特性和更結(jié)實(shí)耐用的增強(qiáng)型體二極管。

　　C6系列是英飛凌推出的第五代CoolMOS。英飛凌在CoolMOS C3(第三代)和CoolMOS CP(第四代)的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步提高了開關(guān)速度并降低了導(dǎo)通電阻。C3目前是該公司應(yīng)用廣泛的產(chǎn)品系列，但是C3價(jià)格進(jìn)一步下降的空間有限，C6以更高的性價(jià)比可替代C3，英飛凌同時(shí)也認(rèn)為C6更適合對(duì)價(jià)格比較敏感的中國(guó)市場(chǎng)，因此把C6的首發(fā)地選在中國(guó)。不過，CP系列由于開關(guān)損耗更低，仍將在市場(chǎng)上長(zhǎng)期存在。

　　繼承了前代產(chǎn)品的易用性和高能效特性，加上更高的輕載效率，將使CoolMOS C6系列成為硬開關(guān)應(yīng)用的基準(zhǔn)。另一方面，存儲(chǔ)在輸出電容中的極低電能和出類拔萃的硬換流耐受性，使該器件成為諧振開關(guān)產(chǎn)品的較好選擇。

　　C6器件可降低設(shè)計(jì)難度，非常適合于各種高能效應(yīng)用，例如面向PC、筆記本電腦、上網(wǎng)本或手機(jī)、照明(高壓氣體放電燈)產(chǎn)品以及電視機(jī)和游戲機(jī)等消費(fèi)電子產(chǎn)品的電源或適配器。

　　CoolMOS誕生于上世紀(jì)90年代，是業(yè)界高性能MOSFET的先驅(qū)，以大批量生產(chǎn)和高可靠性引領(lǐng)潮流。

　　75V豐富OptiMOS 3產(chǎn)品線

　　OptiMOS 3 75V功率MOSFET系列具備領(lǐng)先的導(dǎo)通電阻(RDS(on))和品質(zhì)因素(FOM, Qg * RDS(on))特性，可在任何負(fù)載條件下，降低開關(guān)電源、電機(jī)控制和快速開關(guān)D類功放等電源產(chǎn)品的功率損耗并改善其整體能效。

　　OptiMOS 3 75V功率MOSFET系列是交/直流開關(guān)模式電源(例如臺(tái)式機(jī)和服務(wù)器裝備的電源)的同步整流選擇。英飛凌此次新推出的OptiMOS 3 75V功率MOSFET可以幫助滿足80PLUS Gold金牌認(rèn)證規(guī)范。它采用節(jié)省空間的SuperSO8封裝，相對(duì)于同類器件而言，導(dǎo)通電阻和品質(zhì)因素分別降低40%和34%，結(jié)果可使SMPS的同步整流級(jí)的功耗降低高達(dá)10%。

　　OptiMOS 3 75V系列進(jìn)一步壯大了英飛凌功率MOSFET產(chǎn)品的陣營(yíng)。目前，采用英飛凌N溝道OptiMOS 3工藝制造的器件型號(hào)已接近100個(gè)，每款都具備業(yè)界很低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷，可降低產(chǎn)品的導(dǎo)通損耗和整體功耗。