一種新的晶圓級(jí)1/f噪聲測(cè)量方法
加入技術(shù)交流群
圖3. 不同柵極偏壓下測(cè)得的噪聲數(shù)據(jù)
本文引用地址：http://cafeforensic.com/article/97638.htm
為了分析柵氧電容相關(guān)性或進(jìn)行其他進(jìn)一步的研究，我們還測(cè)量了不同柵氧厚度下的1/f噪聲。圖4給出了不同柵氧厚度下的測(cè)試結(jié)果。
圖4. 不同柵氧厚度下pMOS器件的1/f噪聲測(cè)量數(shù)據(jù)
然后，我們就可以估算出1/f噪聲參數(shù)，建立不同的模擬模型。圖5給出了在一個(gè)p溝道MOSFET的強(qiáng)反型區(qū)中測(cè)得的漏極電流噪聲功率。
評(píng)論