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EMI濾波器設(shè)計(jì)中的干擾特性和阻抗特性

　　隨著電子技術(shù)的發(fā)展，電磁兼容性問題成為電路設(shè)計(jì)工程師極為關(guān)注和棘手的問題。根據(jù)多年的工程經(jīng)驗(yàn)，大家普遍認(rèn)為電磁兼容性標(biāo)準(zhǔn)中最重要的也是最難解決的兩個(gè)項(xiàng)目就是傳導(dǎo)發(fā)射和輻射發(fā)射。為了滿足傳導(dǎo)發(fā)射限制的要求，通常使用電磁干擾(EMI)濾波器來抑制電子產(chǎn)品產(chǎn)生的傳導(dǎo)噪聲。但是怎么選擇一個(gè)現(xiàn)有的濾波器或者設(shè)計(jì)一個(gè)能滿足需要的濾波器?工程師表現(xiàn)得很盲目，只有憑借經(jīng)驗(yàn)作嘗試。首先根據(jù)經(jīng)驗(yàn)使用一個(gè)濾波器，如果不能滿足要求再重新修改設(shè)計(jì)或者換另一個(gè)新的濾波器。因此，要找到一個(gè)合適的EMI濾波器就成為一個(gè)費(fèi)時(shí)且高成本
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EMI 輻射信號(hào)強(qiáng)度解析

　　需要距離輻射源多遠(yuǎn)才能使輻射信號(hào)不干擾系統(tǒng)呢?要想知道這個(gè)問題的答案，需要思考下面兩個(gè)問題：1)輻射源的輻射能量大小;2)系統(tǒng)的 EMI 保護(hù)電路性能如何。本文中，我們將首先討論第一個(gè)問題。　　呈輻射狀的電磁干擾 (EMI) 信號(hào)會(huì)從輻射源傳播至某個(gè)接收單元。根本而言，這些信號(hào)的功率或者電壓強(qiáng)度在“觸及”敏感的電路時(shí)，取決于發(fā)送器的功率/天線增益以及輻射源和接收器之間的距離(請(qǐng)參見圖 1)。　　　　圖 1 輻射源和接收器之間的 EMI 電場(chǎng)和功率
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淺談集成電路對(duì)EMI設(shè)計(jì)的影響

　　電磁兼容設(shè)計(jì)通常要運(yùn)用各項(xiàng)控制技術(shù)，一般來說，越接近EMI源，實(shí)現(xiàn)EM控制所需的成本就越小。PCB上的集成電路芯片是EMI最主要的能量來源，因此，如果能夠深入了解集成電路芯片的內(nèi)部特征，可以簡化PCB和系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)中的EMI控制。　　在考慮EMI控制時(shí)，設(shè)計(jì)工程師及PCB板級(jí)設(shè)計(jì)工程師首先應(yīng)該考慮IC芯片的選擇。集成電路的某些特征如封裝類型、偏置電壓和芯片的：工藝技術(shù)(例如CMoS、ECI、刀1)等都對(duì)電磁干擾有很大的影響。下面將著重探討IC對(duì)EMI控制的影響。　　集成電路EMl來源　　PC
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EMI/EMC設(shè)計(jì)PCB被動(dòng)組件的隱藏行為和特性解析

傳統(tǒng)上，EMC一直被視為“黑色魔術(shù)(black magic)”。其實(shí)，EMC是可以藉由數(shù)學(xué)公式來理解的。不過，縱使有數(shù)學(xué)分析方法可以利用，但那些數(shù)學(xué)方程式對(duì)實(shí)際的EMC電路設(shè)計(jì)而言，仍然太過復(fù) 雜了。幸運(yùn)的是，在大多數(shù)的實(shí)務(wù)工作中，工程師并不需要完全理解那些復(fù)雜的數(shù)學(xué)公式和存在于EMC規(guī)范中的學(xué)理依據(jù)，只要藉由簡單的數(shù)學(xué)模型，就能夠明白要如何達(dá)到EMC的要求。　　本文藉由簡單的數(shù)學(xué)公式和電磁理
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有效解決手機(jī)EMI及ESD干擾的新型濾波器設(shè)計(jì)

　　目前對(duì)于許多流行的手機(jī)(尤其是翻蓋型手機(jī))而言，手機(jī)的彩色LCD、OLED顯示屏或相機(jī)模塊CMOS傳感器等部件，都是通過柔性電路或長走線PCB與基帶控制器相連的，這些連接線會(huì)受到由天線輻射出的寄生GSM/CDMA頻率的干擾。同時(shí)，由于高分辨率CMOS傳感器和TFT模塊的引入，數(shù)字信號(hào)要在更高的頻率上工作，這些連接線會(huì)像天線一樣產(chǎn)生EMI干擾或可能造成ESD危險(xiǎn)事件。　　上述這種EMI及ESD干擾均會(huì)破壞視頻信號(hào)的完整性，甚至損壞基帶控制器電路。受緊湊設(shè)計(jì)趨勢(shì)的推動(dòng)，考慮到電路板空間、手機(jī)工作頻率上
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利用雙絞線與低通濾波器抑制RFI和EMI有效方案

　　引言　　“The Twist”指雙絞線，Alexander Graham Bell于1881年申請(qǐng)?jiān)擁?xiàng)專利。而該項(xiàng)技術(shù)一直沿用到今天，原因是它提供了諸多便利。此外，隨著現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)器件處理能力的逐漸強(qiáng)大，結(jié)合電路仿真及濾波器設(shè)計(jì)軟件，使得雙絞線在數(shù)據(jù)通信領(lǐng)域的應(yīng)用也越來越普遍。　　FPGA為設(shè)計(jì)工程師提供了強(qiáng)大、靈活的控制能力，特別是那些無法獲取專用集成電路(ASIC)的小批量設(shè)計(jì)項(xiàng)目，可以利用FPGA實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì);許多大批量生產(chǎn)的產(chǎn)品，在項(xiàng)目設(shè)計(jì)初期也利用
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基于示波器的EMI調(diào)試

　　過去，示波器很難用于EMI調(diào)試，因?yàn)樗鼪]有捕獲EMI輻射信號(hào)所需要的靈敏度，F(xiàn)FT頻譜分析功能也不夠強(qiáng)大，而且使用起來很復(fù)雜。　　　　圖1：R RTO數(shù)字示波器——低噪聲前端和高級(jí)FFT分析能力使它成為強(qiáng)大的EMI調(diào)試工具　　R&S公司的RTO數(shù)字示波器的出現(xiàn)，使情況完全改觀。它在4GHz范圍內(nèi)都具有1mV/div靈敏度，有非常低的固有噪聲，這使它成為使用近場(chǎng)探頭捕獲和分析EMI輻射的理想工具?；贓MC一致性測(cè)試結(jié)果，該示波器成為極為理
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一種新型應(yīng)對(duì)汽車EMI問題解決方案

　　印刷電路板布局決定著所有電源的成敗，決定著功能、電磁干擾(EMI)和受熱時(shí)的表現(xiàn)。開關(guān)電源布局不是魔術(shù)，并不難，只不過在最初設(shè)計(jì)階段，可能常常被忽視。然而，因?yàn)楣δ芎虴MI要求都要必須滿足，所以對(duì)電源功能穩(wěn)定性有益的安排也常常有利于降低EMI輻射，那么晚做不如早做。還應(yīng)該提到的是，從一開始就設(shè)計(jì)一個(gè)良好的布局不會(huì)增加任何費(fèi)用，實(shí)際上還可以節(jié)省費(fèi)用，因?yàn)闊o需EMI濾波器、機(jī)械屏蔽、花時(shí)間進(jìn)行EMI測(cè)試和修改PC板。　　此外，當(dāng)為了實(shí)現(xiàn)均流和更大的輸出功率而并聯(lián)多個(gè)DC/DC開關(guān)模式穩(wěn)壓器時(shí)，潛在的
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IC芯片對(duì)EMI設(shè)計(jì)的影響

　　電磁兼容設(shè)計(jì)通常要運(yùn)用各項(xiàng)控制技術(shù)，一般來說，越接近EMI源，實(shí)現(xiàn)EM控制所需的成本就越小。PCB上的集成電路芯片是EMI最主要的能量來源，因此，如果能夠深入了解集成電路芯片的內(nèi)部特征，可以簡化PCB和系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)中的EMI控制。　　在考慮EMI控制時(shí)，設(shè)計(jì)工程師及PCB板級(jí)設(shè)計(jì)工程師首先應(yīng)該考慮IC芯片的選擇。集成電路的某些特征如封裝類型、偏置電壓和芯片的：工藝技術(shù)(例如CMoS、ECI)等都對(duì)電磁干擾有很大的影響。下面將著重探討IC對(duì)EMI控制的影響。　　集成電路EMI來源　　PCB中集
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如何解決多層PCB設(shè)計(jì)時(shí)的EMI

　　解決EMI問題的辦法很多，現(xiàn)代的EMI抑制方法包括：利用EMI抑制涂層、選用合適的EMI抑制零配件和EMI仿真設(shè)計(jì)等。本文從最基本的PCB布板出發(fā)，討論P(yáng)CB分層堆疊在控制EMI輻射中的作用和設(shè)計(jì)技巧。　　電源匯流排　　在 IC的電源引腳附近合理地安置適當(dāng)容量的電容，可使IC輸出電壓的跳變來得更快。然而，問題并非到此為止。由于電容呈有限頻率響應(yīng)的特性，這使得電容無法在全頻帶上生成干凈地驅(qū)動(dòng)IC輸出所需要的諧波功率。除此之外，電源匯流排上形成的瞬態(tài)電壓在去耦路徑的電感兩端會(huì)形成電壓降，這些瞬態(tài)
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如何管理高速數(shù)字接口的EMI

　　當(dāng)今高速數(shù)字接口使用的數(shù)據(jù)傳輸速率超過許多移動(dòng)通信設(shè)備(如智能手機(jī)和平板電腦)的工作頻率。需要對(duì)接口進(jìn)行精心設(shè)計(jì)，以管理接口產(chǎn)生的本地電磁輻射，避免接口信號(hào)受其他本地射頻的干擾。本文探討了管控高速數(shù)字接口EMI的若干最重要技術(shù)，說明了它們是如何有助于解決EMI問題的。　　小尺寸且低成本的高速串行(HSS)接口對(duì)那些必須要體積小、功耗低、重量輕的移動(dòng)設(shè)備尤為可貴。當(dāng)移動(dòng)設(shè)備必須與遠(yuǎn)程網(wǎng)絡(luò)通信時(shí)，會(huì)發(fā)生電磁干擾(EMI)，因?yàn)楝F(xiàn)代HSS接口使用的數(shù)據(jù)速率往往高于移動(dòng)設(shè)備所使用的無線通信頻率。　　
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電源技巧：一個(gè)小小的疏忽就會(huì)毀掉EMI性能

　　在您的電源中很容易找到作為寄生元件的100fF電容器。您必須明白，只有處理好它們才能獲得符合EMI標(biāo)準(zhǔn)的電源。　　從開關(guān)節(jié)點(diǎn)到輸入引線的少量寄生電容(100 毫微微法拉)會(huì)讓您無法滿足電磁干擾(EMI)需求。那100fF電容器是什么樣子的呢?在Digi-Key中，這種電容器不多。即使有，它們也會(huì)因寄生問題而提供寬泛的容差。　　不過，在您的電源中很容易找到作為寄生元件的100fF電容器。只有處理好它們才能獲得符合EMI標(biāo)準(zhǔn)的電源。　　圖1是這些非計(jì)劃中電容的一個(gè)實(shí)例。圖中的右側(cè)是一個(gè)垂直安裝
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EMI和EMC電路中磁珠和電感起到的不同作用

　　磁珠和電感在解決EMI和EMC方面各與什么作用，首先我們來看看磁珠和電感的區(qū)別，電感是閉合回路的一種屬性，多用于電源濾波回路，而磁珠主要多用于信號(hào)回路，用于EMC對(duì)策磁珠主要用于抑制電磁輻射干擾，而電感用于這方面則側(cè)重于抑制傳導(dǎo)性干擾。磁珠是用來吸收超高頻信號(hào)，象一些RF電路，PLL,振蕩電路，含超高頻存儲(chǔ)器電路(DDR SDRAM,RAMBUS等)都需要在電源輸入部分加磁珠，兩者都可用于處理EMC、EMI問題。　　磁珠和電感在EMI和EMC電路中關(guān)鍵是是對(duì)高頻傳導(dǎo)干擾信號(hào)進(jìn)行抑制，也有抑制
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TE Connectivity針對(duì)物聯(lián)網(wǎng)、智能手機(jī)和可穿戴設(shè)備推出三款細(xì)間距板對(duì)板連接器

　　全球連接領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者TE Connectivity (TE) 今天宣布新推出三款板對(duì)板(BTB) 連接器，包括0.4毫米細(xì)間距EMI(電磁干擾)屏蔽板對(duì)FPC(柔性印刷電路)連接器、0.4毫米間距板對(duì)板連接器和帶有鎖緊固定栓的0.35毫米間距板對(duì)板連接器，進(jìn)一步擴(kuò)展了面向物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、智能手機(jī)、可穿戴設(shè)備和其他移動(dòng)設(shè)備的板對(duì)板產(chǎn)品組合。這三款產(chǎn)品旨在滿足智能手機(jī)制造商對(duì)于超薄、超小型BTB解決方案的需求。　　TE數(shù)據(jù)與終端設(shè)備事業(yè)部內(nèi)部連接副總裁Eric Himelright表示：&ldquo
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冷知識(shí):慢恢復(fù)管在開關(guān)電源中的妙用

　　由于開關(guān)電源始終處在打開和關(guān)閉的循環(huán)，這就要求開關(guān)電源中的器件有較高的強(qiáng)度和較短的反應(yīng)時(shí)間。通常來說，開關(guān)電源的工作效率在幾十Khz到上百Khz之間。為了能夠滿足頻繁的開關(guān)模式，開關(guān)電源當(dāng)中的整流管對(duì)Trr時(shí)間有嚴(yán)格的要求，理論上，不能使用一般的二極管，而是要使用超快恢復(fù)的肖特基二極管。　　如果是這樣的話，慢恢復(fù)的二極管就不能使用在開關(guān)電源當(dāng)中了嗎?事實(shí)上，開關(guān)電源中合理的使用慢恢復(fù)二極管將會(huì)得到意外的驚喜。下面將以兩個(gè)實(shí)例的分析來說明。　　下面就和網(wǎng)友分享一下兩個(gè)工作中的實(shí)例：　　案例一
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