二硫化鉬 文章 進(jìn)入二硫化鉬技術(shù)社區(qū)
重磅消息！美國芯片實(shí)現(xiàn)重大突破，有望引領(lǐng)新一輪的技術(shù)革命！
- 近日，美國麻省理工學(xué)院（MIT）的研究團(tuán)隊(duì)取得了一項(xiàng)重大突破，他們開發(fā)出了一種全新的技術(shù)，可以將低溫生長區(qū)與高溫硫化物前體分解區(qū)分離，并通過金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法，在低于300℃的溫度下合成二維材料。這項(xiàng)技術(shù)可以直接在8英寸的二硫化鉬薄膜CMOS晶圓上生長，從而實(shí)現(xiàn)更高層次的芯片建造。這項(xiàng)技術(shù)的意義非常重大，如果成熟并得到廣泛應(yīng)用，將會引領(lǐng)新一輪的技術(shù)革命。人工智能和機(jī)器人技術(shù)將會迅速發(fā)展，賽博朋克世界或許也會很快到來。為什么這項(xiàng)技術(shù)如此重要呢？首先，我們需要了解芯片在現(xiàn)代社會中扮演著什么樣的角色。芯片是
- 關(guān)鍵字： MIT 二硫化鉬
突破摩爾定律 原子級芯片取得革命性突破
- 據(jù)報(bào)道，麻省理工學(xué)院的研究團(tuán)隊(duì)最近成功開發(fā)出了一種基于二硫化鉬的原子級薄晶體管，這個突破將對芯片技術(shù)的發(fā)展產(chǎn)生重大影響。傳統(tǒng)的半導(dǎo)體芯片是由塊狀材料制成，呈方形的3D結(jié)構(gòu)，將多層晶體管堆疊起來實(shí)現(xiàn)更密集的集成非常困難。而這種原子級的薄晶體管則由超薄的二維材料制成，每個晶體管只有3個原子厚，可以堆疊起來制造更強(qiáng)大的芯片。這項(xiàng)技術(shù)的突破將有望推動芯片技術(shù)的發(fā)展進(jìn)入一個新的階段，突破摩爾定律的天花板，為高性能計(jì)算、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域帶來重大影響。此外，這種技術(shù)還可以為柔性電子設(shè)備、可穿戴技術(shù)和智能紡織品等領(lǐng)
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