用于檢測(cè)裸硅圓芯片上少量金屬污染物的互補(bǔ)性測(cè)量技術(shù)

• 就產(chǎn)品質(zhì)量和生產(chǎn)環(huán)境的清潔度而言，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是一個(gè)要求很高的產(chǎn)業(yè)。金屬污染對(duì)芯片有害，所以應(yīng)避免裸晶圓芯片上有金屬污染。本文的研究目的是交流解決裸硅圓芯片上金屬污染問(wèn)題的經(jīng)驗(yàn)，介紹如何使用互補(bǔ)性測(cè)量方法檢測(cè)裸硅圓芯片上的少量金屬污染物并找出問(wèn)題根源，解釋從多個(gè)不同的檢測(cè)方法中選擇適合方法的難度，以及用壽命測(cè)量技術(shù)檢測(cè)污染物對(duì)熱處理的依賴性。前言本文旨在解決硅襯底上的污染問(wèn)題，將討論三種不同的金屬污染。第一個(gè)是鎳擴(kuò)散，又稱為快速擴(kuò)散物質(zhì)[1]，它是從晶圓片邊緣上的一個(gè)污點(diǎn)開(kāi)始擴(kuò)散的金屬污染。第二個(gè)是鉻污染，
• 關(guān)鍵字： 裸硅圓芯片  金屬污染物  互補(bǔ)性測(cè)量  ST