英特爾展示互連微縮技術(shù)突破性進(jìn)展

• 在IEDM2024上，英特爾代工的技術(shù)研究團(tuán)隊(duì)展示了晶體管和封裝技術(shù)的開拓性進(jìn)展，有助于滿足未來AI算力需求。IEDM 2024（2024年IEEE國際電子器件會議）上，英特爾代工展示了多項(xiàng)技術(shù)突破，助力推動半導(dǎo)體行業(yè)在下一個(gè)十年及更長遠(yuǎn)的發(fā)展。具體而言，在新材料方面，減成法釕互連技術(shù)（subtractive Ruthenium）最高可將線間電容降低25%[1]，有助于改善芯片內(nèi)互連。英特爾代工還率先匯報(bào)了一種用于先進(jìn)封裝的異構(gòu)集成解決方案，能夠?qū)⑼掏铝刻嵘哌_(dá)100倍[2]，實(shí)現(xiàn)超快速的芯片間封裝（ch
• 關(guān)鍵字： 英特爾  互連微縮技術(shù)