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          EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 制程工藝

          蘋(píng)果首席運(yùn)營(yíng)官Jeff Williams據(jù)報(bào)道訪問(wèn)臺(tái)灣以確保2nm芯片供應(yīng)

          • 蘋(píng)果首席運(yùn)營(yíng)官Jeff Williams訪問(wèn)了臺(tái)灣,以確保臺(tái)積電即將推出的2nm芯片的供應(yīng),《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道。據(jù)報(bào)道,此次訪問(wèn)包括Williams與臺(tái)積電總裁魏哲家之間的會(huì)面,討論定制AI芯片,并確保蘋(píng)果能夠獲得臺(tái)積電將于2025年開(kāi)始生產(chǎn)的2nm制造工藝。iPhone 15 Pro搭載了使用臺(tái)積電3nm工藝制造的A17 Pro芯片。這種工藝允許在更小的空間內(nèi)包裝更多的晶體管,從而提高性能和效率。剛剛在新款iPad Pro中亮相的蘋(píng)果M4芯片使用的是這一3nm技術(shù)的增強(qiáng)版。向2nm芯片的過(guò)渡預(yù)計(jì)將帶來(lái)進(jìn)一
          • 關(guān)鍵字: 蘋(píng)果  制程工藝  M4  

          英特爾代工業(yè)務(wù)與Arm宣布展開(kāi)合作,涉及多代前沿系統(tǒng)芯片設(shè)計(jì)

          • 英特爾代工服務(wù)事業(yè)部(IFS)和Arm宣布簽署了一項(xiàng)涉及多代前沿系統(tǒng)芯片設(shè)計(jì)。該協(xié)議旨在使芯片設(shè)計(jì)公司能夠利用Intel 18A制程工藝來(lái)開(kāi)發(fā)低功耗計(jì)算系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)。此次合作將首先聚焦于移動(dòng)系統(tǒng)級(jí)芯片的設(shè)計(jì),未來(lái)有望擴(kuò)展到汽車、物聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、航空和政府應(yīng)用領(lǐng)域。Arm?的客戶在設(shè)計(jì)下一代移動(dòng)系統(tǒng)級(jí)芯片時(shí)將受益于出色的Intel 18A制程工藝技術(shù),該技術(shù)帶來(lái)了全新突破性的晶體管技術(shù),有效地降低了功耗并提高晶體管性能。與此同時(shí),他們還將受益于英特爾代工服務(wù)強(qiáng)大的制造能力。 英特爾公司首
          • 關(guān)鍵字: 英特爾代工  Arm  系統(tǒng)芯片設(shè)計(jì)  芯片設(shè)計(jì)  埃米時(shí)代  制程工藝  

          功耗降低30%:臺(tái)積電3nm工藝已量產(chǎn)

          • 芯研所7月22日消息,作為臺(tái)積電的第一大客戶,蘋(píng)果最近幾年的iPhone新品都能首發(fā)臺(tái)積電新一代工藝,不過(guò)今年的iPhone 14是趕不上臺(tái)積電3nm工藝了。iPhone 14系列無(wú)緣3nm主要是臺(tái)積電的3nm工藝今年進(jìn)度有些晚,上半年沒(méi)能量產(chǎn),拖到下半年,跟不上蘋(píng)果的量產(chǎn)進(jìn)度,不過(guò)最新消息稱3nm工藝已經(jīng)開(kāi)始投片量產(chǎn),而且在新竹、南科兩個(gè)園區(qū)的工廠同時(shí)量產(chǎn)最先進(jìn)的工藝。不過(guò)臺(tái)積電官方?jīng)]有確認(rèn)這一消息,臺(tái)積電表示不評(píng)價(jià)市場(chǎng)傳聞。根據(jù)臺(tái)積電之前的消息,3nm節(jié)點(diǎn)上至少有5代衍生版工藝,分別是N3、N3P、N
          • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  制程工藝  3nm  

          半導(dǎo)體代工領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)加劇 推動(dòng)制程工藝快速發(fā)展

          •   全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈在上個(gè)世紀(jì)80年代初開(kāi)始分化,首先是IC設(shè)計(jì)業(yè)從IDM(整合元件制造商)中分離。導(dǎo)致IC設(shè)計(jì)業(yè)分離有兩個(gè)原因:一個(gè)是計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)(CAD)逐漸成熟,另一個(gè)是IC設(shè)計(jì)的附加值已經(jīng)大于芯片制造所創(chuàng)造的價(jià)值。從1981年起,專門(mén)提供EDA工具的廠商,如Mentor、Cadence等成立,1983年Altera等一批fabless(無(wú)芯片生產(chǎn)能力的芯片設(shè)計(jì)公司)應(yīng)運(yùn)而生。   其次是代工業(yè)的崛起。1984年臺(tái)灣聯(lián)電成立,1987年臺(tái)積電成立。在之后的很長(zhǎng)一段時(shí)間,代工模式并未得到全球其他廠
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體代工  制程工藝  

          英特爾Atom大單將至 臺(tái)積電提高晶圓產(chǎn)量

          •   據(jù)報(bào)道,臺(tái)積電計(jì)劃將他們?cè)谂_(tái)南科學(xué)園區(qū)的12寸Fab 14晶圓廠的月產(chǎn)量到年底時(shí)提高至6000片,2010年再度提高到35000片。   Fab 14晶圓廠是臺(tái)積電計(jì)劃中的處理器代工工廠,臺(tái)積電之所以增產(chǎn)Fab 14晶圓廠的月產(chǎn)量,是為了滿足英特爾要求的Atom芯片出貨量。據(jù)悉,臺(tái)積電在今年早些時(shí)候就將處理器代工廠由Fab 12轉(zhuǎn)到了Fab 14晶圓廠,F(xiàn)ab 14也在購(gòu)買(mǎi)測(cè)試設(shè)備,打算采用40nm工藝生產(chǎn)5000-6000片晶圓。   今年三月份,英特爾與臺(tái)積電宣布簽訂合作備忘錄,就技術(shù)平臺(tái)、基
          • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  40nm  晶圓  制程工藝  設(shè)計(jì)流程  

          臺(tái)積電40nm制程良率仍不足30%,下半年銷量恐受影響

          •   據(jù)報(bào)道,臺(tái)積電公司今年第二季度總營(yíng)收有望達(dá)到23億美元,利潤(rùn)總額則達(dá)7.58億美元,不過(guò),40nm制程芯片的良率問(wèn)題依然未得到解決。根據(jù)FBR市 場(chǎng)調(diào)查公司的分析,臺(tái)積電雖然一直在努力解決40nm制程的良率問(wèn)題,但目前為止良品率仍然徘徊在30%以下,而臺(tái)積電公司今年下半年的銷售狀況也將受此 影響。   由于良率問(wèn)題一直得不到解決,臺(tái)積電的主要客戶ATI和Nvidia已經(jīng)后延了旗下大部分40nm制程產(chǎn)品的上市日期,如果他們還不能在近期內(nèi)把良率提高到令人滿意的水平,那么這些客戶可能會(huì)轉(zhuǎn)投其它代工廠。臺(tái)積
          • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  40納米  制程工藝  

          制程工藝再次革命 看45nm向65nm的大躍進(jìn)

          •   11月8日消息 英特爾在即將到來(lái)的11月16日會(huì)再次兌現(xiàn)自己偶數(shù)年實(shí)現(xiàn)技術(shù)更新的承諾,而今年的這次的發(fā)布會(huì)更為人們所關(guān)注的原因只在于一個(gè)——將摩爾定律推遲10年甚至是15年成為現(xiàn)實(shí)的45nm制程工藝。   在英特爾的眼中,技術(shù)創(chuàng)新已經(jīng)成為了慣性,05年45nm概念的提出到06年出現(xiàn)的晶圓,再到07年即將展現(xiàn)在人們面前的處理器,創(chuàng)新使得英特爾越走越快。不過(guò)這也令業(yè)界人士困惑:不是剛剛開(kāi)始65nm的鋪貨嗎?而采用兩種制程工藝制造的CPU到底又有多少差距呢?   45nm制程工藝簡(jiǎn)介   多年來(lái)Int
          • 關(guān)鍵字: 制程工藝  45nm  65nm  IC  制造制程  
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          制程工藝介紹

            制程工藝就是通常我們所說(shuō)的CPU的“制作工藝”,是指在生產(chǎn)CPU過(guò)程中,集成電路的精細(xì)度,也就是說(shuō)精度越高,生產(chǎn)工藝越先進(jìn)。在同樣的材料中可以制造更多的電子元件,連接線也越細(xì),精細(xì)度就越高,反之,CPU的功耗也就越小。   制程工藝的微米是指IC內(nèi)電路與電路之間的距離。制程工藝的趨勢(shì)是向密集度愈高的方向發(fā)展。密度愈高的IC電路設(shè)計(jì),意味著在同樣大小面積的IC中,可以擁有密度更高、功能更復(fù)雜的電 [ 查看詳細(xì) ]

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