制程工藝技術(shù)發(fā)展探討

• 　　IBM聯(lián)盟開(kāi)發(fā)出可在32納米芯片中加速實(shí)現(xiàn)一種被稱(chēng)為“high-k/metal gate（高電介質(zhì)金屬柵極）”的突破性材料。這種新方法是基于被稱(chēng)為“high-k gate-first（高電介質(zhì)先加工柵極）”加工工藝的方法，為客戶(hù)轉(zhuǎn)向高電介質(zhì)金屬柵極技術(shù)提供了一種更加簡(jiǎn)單和更省時(shí)間的途徑，由此而能夠帶來(lái)的益處包括性能的提高和功耗的降低。通過(guò)使用高電介質(zhì)金屬柵極，IBM與聯(lián)盟合作伙伴成功地開(kāi)發(fā)出比上一代技術(shù)體積小50%的芯片，同時(shí)提高了眾多性能。使用這種新技術(shù)的芯片將可以支持多種應(yīng)用——從用于無(wú)線(xiàn)和消費(fèi)設(shè)
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