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制程技術(shù)
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Intel 4制程技術(shù)細(xì)節(jié)曝光 具備高效能運(yùn)算先進(jìn)FinFET
- 英特爾近期于美國(guó)檀香山舉行的年度VLSI國(guó)際研討會(huì),公布Intel 4制程的技術(shù)細(xì)節(jié)。相較于Intel 7,Intel 4于相同功耗提升20%以上的效能,高效能組件庫(kù)(library cell)的密度則是2倍,同時(shí)達(dá)成兩項(xiàng)關(guān)鍵目標(biāo):它滿足開發(fā)中產(chǎn)品的需求,包括PC客戶端的Meteor Lake,并推進(jìn)先進(jìn)技術(shù)和制程模塊。 英特爾公布Intel 4制程的技術(shù)細(xì)節(jié)。對(duì)于英特爾的4年之路,Intel 4是如何達(dá)成這些效能數(shù)據(jù)? Intel 4于鰭片間距、接點(diǎn)間距以及低層金屬間距等關(guān)鍵尺寸(Critic
- 關(guān)鍵字: Intel 4 制程技術(shù) FinFET Meteor Lake
ST BCD制程技術(shù)獲頒IEEE里程碑獎(jiǎng) 長(zhǎng)跑35年第十代即將量產(chǎn)
- 意法半導(dǎo)體(ST)宣布,電機(jī)電子工程師學(xué)會(huì)(Institute of Electrical and Electronics Engineering,IEEE)授予意法半導(dǎo)體IEEE里程碑獎(jiǎng),表彰ST在超級(jí)整合硅閘半導(dǎo)體制程技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新研發(fā)成果。ST的BCD技術(shù)可以單芯片整合雙極制程高精密模擬晶體管、CMOS制程高性能數(shù)字開關(guān)晶體管和高功率DMOS晶體管,滿足高復(fù)雜度、大功率應(yīng)用的需求。多年來(lái),BCD制程技術(shù)已賦能硬盤驅(qū)動(dòng)器、打印機(jī)和汽車系統(tǒng)等終端應(yīng)用獲得重大技術(shù)發(fā)展。在意法半導(dǎo)體Agrate工廠的實(shí)時(shí)/
- 關(guān)鍵字: ST BCD 制程技術(shù)
Intel 2013年第四季度轉(zhuǎn)向15nm制程技術(shù)?
- 在上周舉辦的IDF2009秋季開發(fā)者論壇上,Intel曾提到會(huì)在2011年下半年開始使用22nm制程技術(shù),而其后的下一步目標(biāo)則將是15nm制程技術(shù)。而對(duì)手AMD的代工公司Globalfoundries則會(huì)在2012年啟用22nm制程技術(shù),兩年后的2014年他們計(jì)劃轉(zhuǎn)向15nm制程。盡管有 科學(xué)家聲稱15nm制程技術(shù)尚處在研發(fā)階段,有關(guān)的制造工具甚至都還沒有開發(fā)出來(lái),不過(guò)按照Intel“tick-tock”的進(jìn)程推算,預(yù)計(jì)Intel 啟用15nm制程技術(shù)的年份會(huì)在2013年左右。
- 關(guān)鍵字: Intel 15nm 22nm 制程技術(shù)
臺(tái)積電0.18微米晶圓制程技術(shù)登陸案獲準(zhǔn)
- 臺(tái)灣“經(jīng)濟(jì)部投審會(huì)”委員會(huì)議 通過(guò)臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司申請(qǐng)將其上海廠晶圓制程技術(shù)提升為零點(diǎn)一八微米以上申請(qǐng)案。這是臺(tái)灣方面去年底開放零點(diǎn)一八微米晶圓制程登陸后首宗獲準(zhǔn)投資案。 “中央社”報(bào)道,臺(tái)灣有關(guān)方面去年底宣布開放零點(diǎn)一八微米晶圓制程赴大陸投資,唯一獲準(zhǔn)在大陸投資設(shè)立八吋、零點(diǎn)二五微米晶圓廠的臺(tái)積電率先提出提升制程申請(qǐng)。 臺(tái)積電早于二00五年一月即向當(dāng)局提出赴大陸投資零點(diǎn)一八微米制程申請(qǐng),當(dāng)局直至去年底政策才正式松綁。臺(tái)積電遂補(bǔ)件申請(qǐng)。 二十日
- 關(guān)鍵字: 0.18微米晶圓 單片機(jī) 嵌入式系統(tǒng) 臺(tái)積電 制程技術(shù) 其他IC 制程
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