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功率晶體管
功率晶體管 文章 進(jìn)入功率晶體管技術(shù)社區(qū)
開關(guān)功率晶體管的選擇和正確操作
- Si MOSFET 正常工作的驅(qū)動(dòng)電路。關(guān)于制造商的應(yīng)用說明和電路圖的一般性說明：除少數(shù)例外，這些都不適合任何系列生產(chǎn)。基本上，驅(qū)動(dòng)電路必須對(duì)柵極輸入電容進(jìn)行充電和放電，但這不是恒定的。當(dāng)晶體管從 OFF 切換到 ON 或從 ON 切換到 OFF 時(shí)，晶體管將跨越其線性區(qū)域。由于 MOSFET 和 JFET 的跨導(dǎo)非常高，漏極和柵極之間的電容將成倍增加。因此，驅(qū)動(dòng)器在跨越線性區(qū)域時(shí)將承受嚴(yán)重負(fù)載，這會(huì)導(dǎo)致柵極電壓保持在穩(wěn)定狀態(tài)。因此，除非驅(qū)動(dòng)器可以提供幾安培的電流，否則開關(guān)速度將大大減慢。如此強(qiáng)大的輸出級(jí)
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英飛凌推出提升消費(fèi)和工業(yè)應(yīng)用性能的CoolGaN 700 V功率晶體管
- 全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司近日推出全新CoolGaN?晶體管700 V G4產(chǎn)品系列。與市場(chǎng)上的其他氮化鎵（GaN）產(chǎn)品相比，該系列晶體管的輸入和輸出性能優(yōu)化了20%，從而提高效率，降低功率損耗，并提供了更具成本效益的解決方案。憑借電氣特性與封裝的優(yōu)勢(shì)結(jié)合，它們能夠在消費(fèi)類充電器和筆記本適配器、數(shù)據(jù)中心電源、可再生能源逆變器、電池存儲(chǔ)等眾多應(yīng)用中發(fā)揮出色的性能。該產(chǎn)品系列包含13款器件，額定電壓為700 V、導(dǎo)通電阻范圍在20 mΩ至315 mΩ之間。由于器件規(guī)格粒度增多，再
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還搞不懂TIP147是什么管子？看這一文，引腳圖+參數(shù)+工作原理
- 我是小七，干貨滿滿。大家不要錯(cuò)過，建議收藏，錯(cuò)過就不一定找得到了，內(nèi)容僅供參考，圖片記得放大，觀看。如果有什么錯(cuò)誤或者不對(duì)，請(qǐng)各位大佬多多指教。今天給大家分享的是：TIP147一、TIP147是什么管？TIP147 是采用單片達(dá)林頓配置的硅外延基 PNP 功率晶體管，專為通用放大器和低頻開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)，適用于電源線性和開關(guān)應(yīng)用。TIP147實(shí)物圖二、TIP147 引腳圖TIP147 引腳圖TIP147 引腳功能圖三、TIP147 CAD 模型1、TIP147電路符號(hào)TIP147 符號(hào)2、TIP1
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MACOM展示“射頻能量工具包”：通過將高性能、高成本效益的硅基氮化鎵射頻系統(tǒng)用于商業(yè)應(yīng)用，幫助客戶縮短產(chǎn)品上市時(shí)間
- MACOM?Technology?Solutions?Inc.(“MACOM”)今日宣布推出一款開發(fā)工具包，旨在幫助商業(yè)OEM快速、輕松地調(diào)整其產(chǎn)品設(shè)計(jì)，以將基于氮化鎵的射頻能量源融合到烹飪、照明、工業(yè)加熱/烘干、醫(yī)療/制藥和汽車點(diǎn)火系統(tǒng)等各種應(yīng)用之中。商業(yè)OEM將固態(tài)射頻能量作為高效、精確的能源，可使未來幾代產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)全新的性能水平和承受能力。 MACOM的全新射頻能量工具包(測(cè)試版)現(xiàn)已推出，可幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員簡(jiǎn)化和加快產(chǎn)品開發(fā)，使其能夠輕松微調(diào)射頻能量輸出水平，從而
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）宣布推出面向高頻應(yīng)用的450 V增強(qiáng)型氮化鎵功率晶體管
- 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出450 V并通常處于斷開狀態(tài)的增強(qiáng)型功率晶體管(EPC2027)，可用于需要高頻開關(guān)的應(yīng)用，從而實(shí)現(xiàn)更高的效率及功率密度。受惠于采用高壓并具備更快速開關(guān)特性的器件的應(yīng)用包括超高頻直流-直流轉(zhuǎn)換器、醫(yī)療診斷儀器、太陽(yáng)能功率逆變器及發(fā)光二極管照明等應(yīng)用。 EPC2027器件具備450 V額定電壓、400 m?最高導(dǎo)通電阻(RDS(on))及4 A輸出電流。器件使用含焊條的鈍化晶片，從而可以實(shí)現(xiàn)高效散熱及易于組裝。EPC2027器件的尺寸是1.95毫米 x 1.95毫
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）推出單片半橋式氮化鎵功率晶體管
- 宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出60 V增強(qiáng)型單片半橋式氮化鎵晶體管(EPC2101)。透過集成兩個(gè)eGaN®功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管而成為單個(gè)器件，可以除去互連電感及電路板上元件之間所需的空隙，使得晶體管的占板面積減少50%。結(jié)果是增加效率(尤其是在更高頻率時(shí))及提高功率密度并同時(shí)降低終端用戶的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的組裝成本。EPC2101最理想的應(yīng)用領(lǐng)域是高頻直流-直流轉(zhuǎn)換。 在EPC2101半橋式元件內(nèi)，每一個(gè)器件的額定電壓是60 V。 上面的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的導(dǎo)通電阻(RDS(on))典型值是8.4 m?，
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意法半導(dǎo)體(ST)的600W - 250V RF晶體管采用最新高壓技術(shù)，實(shí)現(xiàn)體積更小、性能更可靠的E級(jí)工業(yè)電源
- 意法半導(dǎo)體的13.6MHz RF功率晶體管STAC250V2-500E具有市場(chǎng)領(lǐng)先的穩(wěn)定性和高功率密度 (power density) 。采用熱效率 (thermally efficient) 極高的微型封裝，可用于大輸出功率的E級(jí)工業(yè)電源。 STAC250V2-500E的負(fù)載失匹率 (load-mismatch) 為20:1，處于市場(chǎng)最高水平，最大安全功率高達(dá)600W。與采用傳統(tǒng)陶瓷封裝的解決方案相比，0.55x1.35吋STAC® 氣室封裝 (air-cavity package)
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司全力支持工程師參加谷歌與美國(guó)電氣電子工程師學(xué)會(huì)（IEEE）聯(lián)合舉辦的「Little Box Challenge」挑戰(zhàn)賽
- 宜普電源轉(zhuǎn)換公司可幫助參賽者于谷歌與IEEE合辦的「Little Box Challenge」公開賽通過采用氮化鎵(eGaN®)功率晶體管設(shè)計(jì)出超小型功率逆變器以勝出該挑戰(zhàn)賽。 宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布全力支持參加谷歌與IEEE合辦的「Little Box Challenge」公開賽的工程師創(chuàng)建更小體積的功率逆變器并贏取100萬(wàn)美元獎(jiǎng)金。由于氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (eGaN®FET)具有可處理高功率功能、超快開關(guān)速度及小尺寸等優(yōu)勢(shì)，因此它是功率逆變器的理想晶體管。 「Little
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Microsemi提供S波段 RF功率晶體管
- 致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC) 擴(kuò)大其基于碳化硅襯底氮化鎵(GaN on SiC)技術(shù)的射頻(RF)晶體管系列，推出新型S波段 500W RF器件2729GN-500，新器件瞄準(zhǔn)大功率空中交通管制機(jī)場(chǎng)監(jiān)視雷達(dá)(ASR)應(yīng)用，ASR用于監(jiān)視和控制在機(jī)場(chǎng)大約100英里范圍的飛機(jī)。 在2.7 至2.9 GHz頻段上，2729GN-500晶體管具有無與倫比的500
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IC Insight：2010功率晶體管市場(chǎng)達(dá)到新高
- 按IC Insight報(bào)道,在2009年下降16%之后, 全球功率晶體管銷售額在2010年有望增長(zhǎng)31%,達(dá)到創(chuàng)記錄的109,6億美元。自從功率晶體管在2000年達(dá)到創(chuàng)記錄的增長(zhǎng)32%后,此次的31%的增長(zhǎng)也是相當(dāng)亮麗。 IC Insight預(yù)測(cè), 功率晶體管市場(chǎng)在2014年將達(dá)到145億美元, 而2009年為84億美元, 表示年均增長(zhǎng)率CAGR達(dá)12%,并預(yù)計(jì)未來5年內(nèi)出貨量的CAGR達(dá)到14%, 從2009年的371億個(gè)增加到713億個(gè)。 在電池操作的移動(dòng)電子產(chǎn)品增長(zhǎng)以及全球更強(qiáng)調(diào)電子
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中國(guó)功率器件市場(chǎng)增速放緩MOSFET是亮點(diǎn)
- 在中國(guó)中，電源|穩(wěn)壓器管理IC仍舊占據(jù)市場(chǎng)首要位置，（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）位于第二位，大功率晶體管位于第三位，此三大產(chǎn)品銷售額占整體市場(chǎng)的80%以上。IGBT（絕緣柵雙極晶體管）銷售額雖然不大，但隨著其在工業(yè)控制、消費(fèi)電子領(lǐng)域中應(yīng)用的不斷增多，其市場(chǎng)銷售額保持著較快的增長(zhǎng)，是中國(guó)功率器件市場(chǎng)中的新興產(chǎn)品。 從應(yīng)用領(lǐng)域上看，消費(fèi)電子領(lǐng)域銷售額位列第一位，工業(yè)控制居于第二，計(jì)算機(jī)領(lǐng)域銷售額位于第三位。這三大領(lǐng)域銷售額占整體市場(chǎng)的68.9%，是功率器件的重要應(yīng)用市場(chǎng)。同時(shí)，憑借筆記本電腦
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英飛凌推出全新射頻功率晶體管
- 英飛凌科技股份公司（FSE/NYSE:IFX）在近期舉行的IEEE MTT-S國(guó)際微波研討會(huì)上，發(fā)布了專門面向700 MHz頻段無線基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用的全新射頻功率晶體管系列。該頻段在美國(guó)將用于承載4G（第四代）蜂窩、移動(dòng)電視廣播和其他移動(dòng)寬帶服務(wù)，其中包括LTE（長(zhǎng)期演進(jìn)）和下一代無線網(wǎng)絡(luò)標(biāo)準(zhǔn)。這一全新系列產(chǎn)品拓展了英飛凌的射頻功率晶體管組合，包括一個(gè)55 W驅(qū)動(dòng)器及兩個(gè)輸出級(jí)晶體管（分別為170 W和240 W），在700 MHz頻段提供業(yè)界最高水平的峰值功率。 基于英飛凌先進(jìn)的LDMOS （橫向
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功率晶體管介紹
耗散功率在 1瓦以上的晶體管。在電力電子器件中為一大類，包括雙極型功率晶體管、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管、功率靜電感應(yīng)晶體管、隔離柵晶體管、復(fù)合晶體管等。通常，功率晶體管是雙極型功率晶體管的簡(jiǎn)稱。
制造功率晶體管用的半導(dǎo)體材料多為單晶硅（也有用鍺或砷化鎵的）。器件的心片通常裝在散熱良好的金屬塊上。功率晶體管往往做成功率集成器件，其一個(gè)器件的心片上就含有數(shù)十個(gè)乃至上萬(wàn)個(gè)并聯(lián)的晶體管單元。
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