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	動態(tài)存儲器
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          IBM制成32nm SOI嵌入式DRAM 
          
                                                            
            
                    	
          • 　　IBM宣布已制成32nm SOI嵌入式DRAM測試芯片，并稱該芯片是半導(dǎo)體業(yè)界面積最小、密度最高、速度最快的片上動態(tài)存儲器。
　　IBM表示，使用SOI技術(shù)可使芯片性能提高30%，功耗降低40%。IBM還表示，基于SOI技術(shù)的嵌入式DRAM每個存儲單元只有一個單管，和32nm、22nm的片上SRAM相比，具有更理想的密度和速度。
　　IBM的這款32nm SOI嵌入式DRAM周期時間可以小于2納秒，與同類SRAM相比待機(jī)功耗降低4倍，軟錯誤率降低1000多倍，功耗也大大減少。
　　IBM希望將3
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          • 關(guān)鍵字：
                        IBM  32nm  DRAM  動態(tài)存儲器                          
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          動態(tài)存儲器介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	目錄  
1 定義 
2 原理 
3 類別和相關(guān)產(chǎn)品 
4 優(yōu)缺點： 
5 應(yīng)用領(lǐng)域 
 動態(tài)存儲器-定義     
原理圖 
　在指定功能或應(yīng)用軟件之間共享的存儲器。 如果一個或兩個應(yīng)用軟件占用了所有存儲器空間，此時將無法為其他應(yīng)用軟件分配存儲器空間。 例如，日歷、短信息 (Short Message Service，SMS)和電話簿 (或通訊錄) 可能會共享移動設(shè)備中的動態(tài)存儲		      	[ 查看詳細(xì) ]
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		  		  		        		  		
          
    		
          
      			
          
        			
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