半導體料材技術(shù)動向及挑戰(zhàn)

•   引言 半導體制造技術(shù)能否持續(xù)突破，材料一直扮演著重要的角色，從最早的鍺（Ge），到隨后普遍應(yīng)用的硅（Si），近年來又衍生出更多的材料，本文將針對此方面的新材料、新趨勢的發(fā)展，以及現(xiàn)有的技術(shù)難題等進行討論。 銅導線材 在半導體技術(shù)發(fā)展初期的20世紀50年代，主要是以鍺元素為材料，不過鍺元素的耐高溫性不足、抗輻射能力差，以致在20世紀60年代后逐漸被硅元素取代，硅在抗熱、抗輻射等方面的表現(xiàn)都優(yōu)于鍺，適合用來制做大功率的集成電路。近年來，隨著制造技術(shù)不斷縮小到0.25um以下，集成電路在線路上的電
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