為刻蝕終點(diǎn)探測(cè)進(jìn)行原位測(cè)量

• 介紹?半導(dǎo)體行業(yè)一直專(zhuān)注于使用先進(jìn)的刻蝕設(shè)備和技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的微縮與先進(jìn)技術(shù)的開(kāi)發(fā)。隨著半導(dǎo)體器件尺寸縮減、工藝復(fù)雜程度提升，制造工藝中刻蝕工藝波動(dòng)的影響將變得明顯?？涛g終點(diǎn)探測(cè)用于確定刻蝕工藝是否完成、且沒(méi)有剩余材料可供刻蝕。這類(lèi)終點(diǎn)探測(cè)有助于最大限度地減少刻蝕速率波動(dòng)的影響?？涛g終點(diǎn)探測(cè)需要在刻蝕工藝中進(jìn)行傳感器和計(jì)量學(xué)測(cè)量。當(dāng)出現(xiàn)特定的傳感器測(cè)量結(jié)果或閾值時(shí)，可指示刻蝕設(shè)備停止刻蝕操作。如果已無(wú)材料可供刻蝕，底層材料（甚至整個(gè)器件或晶圓）就會(huì)遭受損壞，從而極大影響良率[1]，因此可靠的終點(diǎn)
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