雙極晶體管 文章 進(jìn)入雙極晶體管技術(shù)社區(qū)
意法半導(dǎo)體(ST)推出新抗輻射基準(zhǔn)電壓芯片，在各種工作條件下實現(xiàn)穩(wěn)定可靠的性能
- 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)在最近召開的巴黎核能與太空輻射效應(yīng)大會(NSREC, Nuclear and Space Radiation Effects Conference)上宣布，其現(xiàn)有的JANS/JANSR產(chǎn)品新增一系列經(jīng)過篩選的獲得國防軍備后勤局(DLA, Defense Logistics Agency)認(rèn)證的JANSR雙極晶體管。新晶體管擁有同類產(chǎn)品中最佳的抗輻射性能，特別適合航天和高可靠性系統(tǒng)，包括衛(wèi)星以及核物理
- 關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體 雙極晶體管 JANS
IR推出高性能600V超高速溝道IGBT IR66xx系列 為焊接應(yīng)用作出優(yōu)化
- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出高性能600V超高速溝道場截止絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) IR66xx系列。堅固可靠的新系列器件提供極低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，旨在為焊接應(yīng)用做出優(yōu)化。 新器件采用溝道纖薄晶圓技術(shù)把導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗降到最低，并與軟恢復(fù)低Qrr二極管一起封裝。這些600V IGBT通過5µs短路額定值來提供從8KHz到30KHz的超高速開關(guān)，還具備有助于并聯(lián)的低Vce
- 關(guān)鍵字： 國際整流器 雙極晶體管 IR66xx
ST高性能抗輻射器件通過美國航天項目認(rèn)證測試
- 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST) 在最近召開的巴黎核能與太空輻射效應(yīng)大會(NSREC, Nuclear and Space Radiation Effects Conference)上宣布，其現(xiàn)有的JANS/JANSR[1]產(chǎn)品新增一系列經(jīng)過篩選的獲得國防軍備后勤局(DLA, Defense Logistics Agency)認(rèn)證的JANSR雙極晶體管。新晶體管擁有同類產(chǎn)品中最佳的抗輻射性能，特別適合航天和高可靠性系統(tǒng)，包括衛(wèi)星以
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下一代低VCEsat雙極晶體管
- 近年來，中功率雙極晶體管在飽和電阻及功率選擇范圍方面的重大改進(jìn)，極大地拓寬了此類器件的應(yīng)用領(lǐng)域。恩智浦最新推出的SMD封裝型中功率晶體管BISS 4充分展示了雙極晶體管的技術(shù)優(yōu)勢，它在為開關(guān)應(yīng)用帶來大功率低損耗解決方案的同時，也創(chuàng)造了新的應(yīng)用領(lǐng)域。
- 關(guān)鍵字： 雙極晶體管 晶體管架構(gòu) VCesat 201010
輸出峰值功率1kW的晶體管射頻放大器(08-100)
- 本文介紹功率管發(fā)展近況。著重比較基于Si雙極晶體管和SiMOS場效應(yīng)管的兩肋固體放大器的性能，提供在L波段和輸出1kW峰值功率下的重要工作參數(shù)。
- 關(guān)鍵字： RF功率放大器 雙極晶體管 MOS場效應(yīng)管 L波段雷達(dá)
TPS65552A 驅(qū)動便攜式相機(jī)閃光燈
- 在光線較弱的條件下，膠卷或數(shù)碼攝影的高端設(shè)備需要氙氣閃光燈管來進(jìn)行拍攝。氙氣閃光燈管可提供瞬間的高強(qiáng)度光源，在對較遠(yuǎn)處、高速移動或弱光條件下的物體進(jìn)行拍攝時，這是最基本的要求。這種由氙氣放電管產(chǎn)生的光
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雙極晶體管介紹
雙極型晶體管(Bipolar Transistor)
由兩個背靠背PN結(jié)構(gòu)成的具有電流放大作用的晶體三極管。起源于1948年發(fā)明的點(diǎn)接觸晶體三極管，50年代初發(fā)展成結(jié)型三極管即現(xiàn)在所稱的雙極型晶體管。雙極型晶體管有兩種基本結(jié)構(gòu)：PNP型和NPN型。在這3層半導(dǎo)體中，中間一層稱基區(qū)，外側(cè)兩層分別稱發(fā)射區(qū)和集電區(qū)。當(dāng)基區(qū)注入少量電流時，在發(fā)射區(qū)和集電區(qū)之間就會形成較大的電流，這就是晶體管的放 [ 查看詳細(xì) ]
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