日本開發(fā)新技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)GaN垂直導(dǎo)電

• 當(dāng)?shù)貢r(shí)間11月13日，沖電氣工業(yè)株式會(huì)社（OKI）與信越化學(xué)合作，宣布成功開發(fā)出一種技術(shù)，該技術(shù)使用OKI的CFB（晶體薄膜鍵合）技術(shù)，從信越化學(xué)特殊改進(jìn)的QST（Qromis襯底技術(shù)）基板上僅剝離氮化鎵（GaN）功能層，并將其粘合到不同材料的基材該技術(shù)實(shí)現(xiàn)了GaN的垂直導(dǎo)電，有望為可控制大電流的垂直GaN功率器件的制造和商業(yè)化做出貢獻(xiàn)。兩家公司將進(jìn)一步合作開發(fā)垂直GaN功率器件，并與制造這些器件的公司合作，讓這些器件能應(yīng)用到實(shí)際生產(chǎn)生活中。GaN功率器件因兼具高頻率與低功耗特性而備受關(guān)注，尤其在1800
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