存儲器 文章 進入存儲器技術(shù)社區(qū)
基于TMS320C54x的便攜存儲設(shè)備設(shè)計
- 摘 要：本文介紹了一種以TMS320C54x為核心的移動存儲終端，終端中使用NAND Flash作為存儲器件。討論了TMS320C54x對NAND Flash的編程以及接口設(shè)計。關(guān)鍵詞：DSP；NAND；Flash 引言移動存儲終端包括手機、掌上電腦、PDA和數(shù)碼相機等手持設(shè)備及各種信息家電。在這類產(chǎn)品中既要結(jié)合存儲功能，又需要具備一定的信號處理能力，因此基于DSP芯片的設(shè)計方案成為這些產(chǎn)品的主流方案。同時，為了降低產(chǎn)品成本，采用具有較高容量/價格比的NAND Fla
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為實現(xiàn)高性能選擇正確的 SRAM 架構(gòu)
- 按慣例，設(shè)計人員總把SRAM 作為其最基本的形式，即單端口、單時鐘域器件。在需要更高性能時，設(shè)計人員通常會選擇更高的時鐘頻率和更寬的總線。盡管這樣可以顯著提高 SRAM 性能，但卻并不是唯一的方法。我們也可以開發(fā)用于先進通信系統(tǒng)的存儲器，這就將工作重點轉(zhuǎn)向了帶寬，而不是時鐘頻率。存儲器帶寬的定義為：給定時間內(nèi)可通過器件訪問的數(shù)據(jù)量。通常單位為Mbps乃至極高性能存儲器的Gbps。帶寬的主要組成部分為 I/O 速度、接入端口寬度以及存儲器可用的接入端口數(shù)量。用以下簡單的方程式可計算出帶寬：帶寬=I/O速度
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高速大容量數(shù)據(jù)采集板卡的SDRAM控制器設(shè)計
- 摘 要：本文對高速、高精度大容量數(shù)據(jù)采集板卡所采用的SDRAM控制器技術(shù)進行了討論，詳細介紹了基于FPGA的SDRAM控制器的設(shè)計、命令組合以及設(shè)計仿真時序，并將該技術(shù)應(yīng)用于基于PCI總線的100MHz單通道 AD9432高速大容量數(shù)據(jù)采集板卡，最后給出了板卡測試結(jié)果。關(guān)鍵詞：SDRAM；FPGA；AD9432 引言高速數(shù)據(jù)采集具有系統(tǒng)數(shù)據(jù)吞吐率高的特點，要求系統(tǒng)在短時間內(nèi)能夠傳輸并存儲采集結(jié)果。因此，采集數(shù)據(jù)的快速存儲能力和容量是制約加快系統(tǒng)速度和容許采集時間的主要因素之一。通常用于數(shù)據(jù)采
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測量并抑制存儲器件中的軟誤差
- 軟誤差是半導(dǎo)體器件中無法有意再生的“干擾”(即數(shù)據(jù)丟失)。它是由那些不受設(shè)計師控制的外部因素所引起的，包括α粒子、宇宙射線和熱中子。許多系統(tǒng)能夠容忍一定程度的軟誤差。例如，如果為音頻、視頻或靜止成像系統(tǒng)設(shè)計一個預(yù)壓縮捕獲緩沖器或后置解壓縮重放緩沖器，則一個偶然出現(xiàn)的缺陷位可能不會被察覺，而且對用戶而言也許并不重要。然而，當存儲元件在關(guān)鍵任務(wù)應(yīng)用中負責控制系統(tǒng)的功能時，軟誤差的不良影響就會嚴重得多，不僅會損壞數(shù)據(jù)，而且還有可能導(dǎo)致功能缺失和關(guān)鍵系統(tǒng)故障。本文將討論產(chǎn)生這些軟誤差的根源、不同的測量技術(shù)以及抵御
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混合信號測試新結(jié)構(gòu)——同步及存儲磁心
- 引言當前電子設(shè)計的趨勢是復(fù)合功能化以及更廣泛地使用模擬、數(shù)字混合技術(shù)。在設(shè)計、建模和測試諸如3G手機及機頂盒等混合了視頻、音頻及數(shù)據(jù)信號的系統(tǒng)時，需要緊密集成與基頻采樣頻率、失真和觸發(fā)特性相匹配的數(shù)字及模擬數(shù)據(jù)采集和發(fā)生硬件。模擬及數(shù)字儀器不再是具有完全相異的定時引擎和不匹配模擬性能的獨立系統(tǒng)。另外，隨著這些具有類似時鐘的設(shè)備在全球范圍內(nèi)廣泛地制造，產(chǎn)品必須在極寬的溫度范圍內(nèi)具有穩(wěn)定性和性能一致性，以便進行可靠的、高性能的功能測試。NI設(shè)計的同步及存儲磁心(SMC)作為一種針對高速模塊化儀器的通用結(jié)構(gòu)回應(yīng)
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2005年4月28日，半導(dǎo)體巨頭在中國建首家存儲器制造廠
- 4月28日，意法半導(dǎo)體(STMicro)與韓國現(xiàn)代半導(dǎo)體(Hynix)在無錫舉行了奠基典禮，在中國建設(shè)首家存儲器芯片前端制造廠。合資廠計劃總投資20億美元，將制造DRAM存儲器和NAND閃存芯片。 點評 與前幾年的建線熱相比，2005年我國IC制造領(lǐng)域冷清了許多。這一方面是受到全球半導(dǎo)體市場回升緩慢的影響，另一方面也是主流晶圓制造廠商在為下一步的發(fā)展在資金和工藝等方面進行積累和蓄勢。而在集成電路制造業(yè)方面也有一些利好的消息，有媒體報道稱，臺灣廠商在祖國大陸投資建設(shè)晶圓廠的限制將進一步放寬，
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用FPGA技術(shù)實現(xiàn)某新型通信設(shè)備中PCM碼流處理
- 摘 要：本文根據(jù)FPGA器件的特點，介紹了應(yīng)用FPGA設(shè)計某通信設(shè)備中PCM碼流處理模塊的一種方案。并就設(shè)計中遇到的問題進行了分析。關(guān)鍵詞：FPGA；RAM引言由于FPGA器件可實現(xiàn)所有數(shù)字電路功能 ，具有結(jié)構(gòu)靈活、設(shè)計周期短、硬件密度高和性能好等優(yōu)點，在高速信號處理領(lǐng)域顯示出愈來愈重要的作用。本文研究了基于FPGA技術(shù)對PCM碼流進行處理的實現(xiàn)方法。變換后的數(shù)據(jù)寫入RAM，與DSP配合可完成復(fù)雜的信號處理功能。設(shè)計方案某新型通信設(shè)備中，在完成調(diào)度功能的板子上，需要進行
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SyncFlash存儲器在ARM嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 摘 要：本文在簡要介紹SyncFlash(同步Flash)存儲器的基礎(chǔ)上，著重敘述了SyncFlash在基于ARM體系微處理器的嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用，并介紹了采用SyncFlash設(shè)計嵌入系統(tǒng)的優(yōu)勢。關(guān)鍵詞：SyncFlash；SDRAM；ARM微處理器；嵌入式系統(tǒng) 隨著嵌入式處理器的迅速發(fā)展，32位RISC處理器的應(yīng)用越來越廣泛，許多基于ARM核的微處理器都集成了SDRAM控制器。應(yīng)用系統(tǒng)中一般都是采用SDRAM存儲器作內(nèi)存、NOR Flash作程序存儲
- 關(guān)鍵字： ARM微處理器 SDRAM SyncFlash 嵌入式系統(tǒng) 存儲器
適用于高密度、低功耗應(yīng)用的新型存儲器
- 為了滿足用戶對手機更多服務(wù)的需求，服務(wù)提供商不斷推陳出新，促使僅具通話功能的傳統(tǒng)手機向同時具有語音和數(shù)據(jù)功能的新型手機轉(zhuǎn)換。向數(shù)據(jù)通信功能的轉(zhuǎn)變將直接影響手機中的硬件結(jié)構(gòu)。目前，2.5G 和3G手機已經(jīng)能夠提供更多的功能，諸如SMS(短信息服務(wù))、MMS(多媒體信息服務(wù))、圖象傳送、音頻/視頻流和因特網(wǎng)接入等。隨著密度更高、能耗更低、吞吐量更大的存儲器的涌現(xiàn)，應(yīng)用在手機上的存儲器也隨之變化。對數(shù)據(jù)處理容量需求的增大，使得現(xiàn)有的基帶控制器和存儲器難以滿足要求。除此之外，電池的使用壽命是移動電話當中的一個更為
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支持高性能應(yīng)用的SRAM
- SRAM一直是網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的重要組成部分，它可提高帶寬，從而在許多高性能應(yīng)用中起著主導(dǎo)作用。這些應(yīng)用包括無總線時延 (NoBL)和四倍數(shù)據(jù)速率 (QDR) 等。就系統(tǒng)資源及內(nèi)存帶寬要求而論，分組處理對內(nèi)存帶寬的要求最高。分組處理塊內(nèi)部的多個功能以及其它存儲功能要求采用不同的 SRAM 架構(gòu)。因此需要采用支持 SRAM 的新型協(xié)議及架構(gòu)，以滿足這些網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)的需求。本文重點介紹針對網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用提供的高級 SRAM 架構(gòu)。此外，還介紹了如何區(qū)分采用不同 SRAM 架構(gòu)的各種應(yīng)用以及促使用戶選擇 SRAM 的標準。 網(wǎng)
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存儲器介紹
什么是存儲器
存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器的構(gòu)成
構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]
存儲器電路
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