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          存儲(chǔ)器接連刷新歷史最高紀(jì)錄,768Gbit 3D NAND亮相

          •   在“ISSCC 2016”(2016年1月31日~2月4日于美國(guó)舊金山舉行)會(huì)議上,NAND的大容量化和微細(xì)化、SRAM的微細(xì)化,以及DRAM的高帶寬化等存儲(chǔ)器 技術(shù)取得穩(wěn)步進(jìn)展,接連刷新了歷史最高紀(jì)錄。除了這些存儲(chǔ)器的“正常推進(jìn)”之外,此次的發(fā)表還涉及車載高可靠混載閃存等的應(yīng)用、新型緩存及TCAM,內(nèi)容 豐富?! 〈鎯?chǔ)器會(huì)議共有3個(gè)。分別以非易失存儲(chǔ)器、SRAM、DRAM為主題。3場(chǎng)會(huì)議共有14項(xiàng)發(fā)表。其中有12項(xiàng)來(lái)自亞洲,日本有2項(xiàng)(內(nèi)容均為非易失存儲(chǔ)器)。下面來(lái)介紹
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          SK Hynix:?jiǎn)螜C(jī)搭載量提升 2016年存儲(chǔ)器市場(chǎng)需求持續(xù)成長(zhǎng)

          •   受終端各應(yīng)用部門對(duì)存儲(chǔ)器產(chǎn)品需求疲弱的影響,2015年第4季韓國(guó)第二大存儲(chǔ)器廠商SK海力士(SK Hynix)營(yíng)收僅達(dá)4.4兆韓元,較前季4.9兆韓元衰退10%,亦較2014年同期衰退14%。   在產(chǎn)品價(jià)格下滑、出貨狀況不如預(yù)期,加上營(yíng)業(yè)費(fèi)用占營(yíng)收比重攀升等影響,2015年第4季SK海力士稅后凈利僅達(dá)8,710億韓元,較前季1兆韓元衰退16.9%,不僅獲利表現(xiàn)不如預(yù)期,也是自2014年第4季以來(lái)連續(xù)4季衰退。   2015年第4季SK海力士DRAM部門受到PC與移動(dòng)裝置需求疲弱影響,位元出貨量較
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          趙偉國(guó):紫光肯定要建存儲(chǔ)器廠

          •   去年10月入股威騰電子(Western Digital,WD)的紫光集團(tuán),為完成記憶體方面的布局,今年將啟動(dòng)建設(shè)工廠。紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)日前接受財(cái)新周刊專訪時(shí)表示,紫光將會(huì)自建工廠,但并未透露是否計(jì)劃收購(gòu)存儲(chǔ)器大廠。   報(bào)導(dǎo)指出,從目前紫光集團(tuán)記憶體的布局來(lái)看,除了要獲得威騰的專利授權(quán),還需要收購(gòu)一家制造工廠或者自建工廠。對(duì)此,趙偉國(guó)表示,“不管有沒(méi)有收購(gòu),我肯定要自己建設(shè)存儲(chǔ)(儲(chǔ)存裝置)工廠。”   趙偉國(guó)強(qiáng)調(diào),“在中國(guó)建立中國(guó)資本控制的工廠,這不僅僅是企
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          存儲(chǔ)器架構(gòu)選項(xiàng)漸多 定制化將成未來(lái)趨勢(shì)

          • 隨著存儲(chǔ)器系統(tǒng)從一個(gè)固定的子系統(tǒng)轉(zhuǎn)變成整體系統(tǒng)中可調(diào)整的變相,存儲(chǔ)器控制器的重要性也越來(lái)越被重視,新的存儲(chǔ)器架構(gòu)即將出現(xiàn)。
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          英特爾再戰(zhàn)存儲(chǔ)器

          • 如今英特爾重返存儲(chǔ)器市場(chǎng),存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)已今非昔比,但英特爾仍具備強(qiáng)大的制造規(guī)模及技術(shù)實(shí)力,甚至有能力主導(dǎo)存儲(chǔ)器市場(chǎng),英特爾投入戰(zhàn)局勢(shì)必震撼全球存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)。
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          Microchip新型高性價(jià)比、低功耗PIC MCU可延長(zhǎng)電池壽命,其1 MB雙分區(qū)閃存還可免去外部存儲(chǔ)器

          •   領(lǐng)先的整合單片機(jī)、混合信號(hào)、模擬器件和閃存專利解決方案的供應(yīng)商——Microchip Technology Inc.(美國(guó)微芯科技公司)日前宣布擴(kuò)展其低功耗PIC?單片機(jī)(MCU)產(chǎn)品組合。全新PIC24F “GB6”系列包括具備糾錯(cuò)碼(ECC)的高達(dá)1 MB閃存和32 KB RAM,是Microchip旗下首批提供如此大存儲(chǔ)容量的16位MCU器件。這些新器件還擁有具備實(shí)時(shí)更新功能的雙分區(qū)閃存,可以裝載兩個(gè)獨(dú)立的軟件應(yīng)用程序,使得一個(gè)分區(qū)在執(zhí)
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          PLC故障分析與故障排除方法

          •   單純依靠某種方法是不能實(shí)現(xiàn)故障檢測(cè)的,需要多種方法結(jié)合,配合電路、機(jī)械等部分綜合分析。   PLC故障特點(diǎn)   PLC控制系統(tǒng)故障是指其失去了規(guī)定功能,一般指整個(gè)生產(chǎn)控制系統(tǒng)失效的總和,它又可分為PLC故障和現(xiàn)場(chǎng)生產(chǎn)控制設(shè)備故障兩部分。PLC系統(tǒng)包括中央處理器、主機(jī)箱、擴(kuò)展機(jī)箱、I/O模塊及相關(guān)的網(wǎng)絡(luò)和外部設(shè)備?,F(xiàn)場(chǎng)生產(chǎn)控制設(shè)備包括端口和現(xiàn)場(chǎng)控制檢測(cè)設(shè)備,如繼電器、接觸器、閥門、電動(dòng)機(jī)等。   大多數(shù)有關(guān)PLC的故障是外圍接口信號(hào)故障,所以在維修時(shí),只要PLC有些部分控制的動(dòng)作正常,都不應(yīng)該懷疑
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          用變址尋址原理突破EEPROM存儲(chǔ)器的擦寫壽命極限

          •   一般地,EEPROM存儲(chǔ)器(如93C46/56/66系列)的擦寫次數(shù)為10萬(wàn)次,超過(guò)這一極限時(shí),該單元就無(wú)法再使用了。但在實(shí)際應(yīng)用中,可能有些數(shù)據(jù)要反復(fù)改寫。這時(shí),可通過(guò)變址尋址的方式來(lái)突破EEPROM存儲(chǔ)器的擦寫壽命極限。  我們有一個(gè)單字節(jié)的數(shù)據(jù)要保存在E2PROM(93C56)中,可按以下方法來(lái)做:  1、將93C56的00H單元定義為地址指針存放單元?! ?、將要尋址的單元地址(假設(shè)為01H)放入93C56的00H地址中。  3、每次要對(duì)E2PROM中的數(shù)據(jù)進(jìn)行讀寫時(shí),先讀取00H中的數(shù)據(jù),并
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          三星SK海力士存儲(chǔ)器被中國(guó)美國(guó)追趕 韓政府預(yù)算零成長(zhǎng)

          •   韓國(guó)政府2016年未編列半導(dǎo)體預(yù)算,使韓國(guó)半導(dǎo)體業(yè)界不滿聲浪高漲。在韓國(guó)引以為傲的存儲(chǔ)器市場(chǎng)上,大陸和美國(guó)迅速追擊,韓國(guó)半導(dǎo)體業(yè)者危機(jī)感提升,而列為未來(lái)成長(zhǎng)動(dòng)能的IC設(shè)計(jì),也未受到韓國(guó)政府重視。   據(jù)Digital Times報(bào)導(dǎo),韓國(guó)政府對(duì)半導(dǎo)體、顯示器等核心產(chǎn)業(yè),以及電子情報(bào)裝置新事業(yè)等,均未編列預(yù)算。自2016年起,將不會(huì)有由韓國(guó)政府主導(dǎo)的新半導(dǎo)體相關(guān)研發(fā)。   目前正在進(jìn)行的系統(tǒng)芯片扶植相關(guān)研發(fā)事業(yè)也陷入危機(jī)。韓國(guó)產(chǎn)業(yè)通商資源部關(guān)系人員指出,產(chǎn)業(yè)委員會(huì)對(duì)于預(yù)算方面提出質(zhì)疑,并主張?jiān)鲑Y30
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          存儲(chǔ)器封測(cè)大廠力成無(wú)奈出嫁 臺(tái)灣的明日啟示錄

          •   10月30日下午,全球最大存儲(chǔ)器封測(cè)廠力成科技董事長(zhǎng)蔡篤恭,宣布紫光以194億元入股25%持股,成為力成第一大股東。這個(gè)近200億元的投資案,不僅是歷來(lái)外商投資國(guó)內(nèi)封測(cè)業(yè)最大的案子,而且還來(lái)自最近頻頻在全世界撒錢收購(gòu)企業(yè)的中國(guó)紫光集團(tuán),更讓這個(gè)入股案引起眾人矚目。   紫光會(huì)入股力成,策略主軸其實(shí)相當(dāng)清楚,而且是一步步完成在存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的拼圖,可以說(shuō)完全不讓人意外。根據(jù)紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)的規(guī)畫,目前紫光布局的三個(gè)重點(diǎn)產(chǎn)業(yè),第一個(gè)是儲(chǔ)存與存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè),第二個(gè)是行動(dòng)通訊芯片,第三個(gè)則是物聯(lián)網(wǎng)(IoT)相關(guān)
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  力成  

          美光新型存儲(chǔ)器要替代NOR快閃存儲(chǔ)器

          •   是時(shí)候該跟平凡無(wú)奇的NOR快閃存儲(chǔ)器說(shuō)再見(jiàn)了?美光科技(Micron)最近發(fā)表最新XTRMFlash系列產(chǎn)品,號(hào)稱速度可達(dá)到3.2Gb/s,而且與目前市面上的串列式NOR快閃存儲(chǔ)器接腳相容。   美光嵌入式業(yè)務(wù)部門NOR快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)品總監(jiān)Richard De Caro表示:“并列式快閃存儲(chǔ)器的時(shí)代已經(jīng)結(jié)束了,美光新推出的XTRMFlash將可在接下來(lái)取代目前市面上的并列式與串列式存儲(chǔ)器──也許除了一些 低密度應(yīng)用。”美光將為新產(chǎn)品推出容量從128Mb~2Gb的產(chǎn)品,目前第一波
          • 關(guān)鍵字: 美光  存儲(chǔ)器  

          半導(dǎo)體購(gòu)并裁員潮接踵而至 沖擊層面恐?jǐn)U大

          •   全球半導(dǎo)體業(yè)購(gòu)并熱潮延燒,隨著新一代芯片研發(fā)成本大幅提升,廠商必須創(chuàng)造更多營(yíng)收,購(gòu)并成為廠商提升競(jìng)爭(zhēng)力重要策略,業(yè)界預(yù)期包括存儲(chǔ)器、儲(chǔ)存、網(wǎng)路系統(tǒng)、處理器、模擬IC等領(lǐng)域,將持續(xù)出現(xiàn)更多購(gòu)并案,不僅對(duì)于半導(dǎo)體人力資源及芯片價(jià)格造成影響,OEM客戶亦將因?yàn)楹献鲗?duì)象選擇變少而受到?jīng)_擊。   2015年半導(dǎo)體購(gòu)并案及裁員消息頻傳,業(yè)界推測(cè)與產(chǎn)品及營(yíng)運(yùn)狀況有極大關(guān)系,像是英特爾(Intel)以167億美元買下Altera,以及恩智浦(NXP)以100億美元買下飛思卡爾(Freescale),裁員人數(shù)都將少于
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          國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器芯片9成以上依賴進(jìn)口 或引進(jìn)新政策

          •   大陸成為全球最大存儲(chǔ)器芯片消費(fèi)國(guó),以往存儲(chǔ)器芯片有9成以上依賴進(jìn)口的大陸,以提升自給率為名義促進(jìn)在地生產(chǎn),可能引進(jìn)新政策。   Digital Times引用TrendForce資料指出,2015年大陸DRAM采購(gòu)規(guī)模估計(jì)為120億美元、NAND Flash采購(gòu)規(guī)模為66.7億美元。這各占全球DRAM和NAND供貨量的21.6%和29.1%。移動(dòng)DRAM較2014年成長(zhǎng)近2倍,市占率達(dá) 40%。   大陸的DRAM、NAND采購(gòu)增加,意味著大陸終端產(chǎn)品業(yè)者的成長(zhǎng)迅速。在PC領(lǐng)域,聯(lián)想快速成長(zhǎng),成為
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          一度無(wú)人問(wèn)津 大陸存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)狂想曲

          • 涉及數(shù)百億美元巨額投資、一度無(wú)人問(wèn)津的存儲(chǔ)器,正在成為中國(guó)地方政府競(jìng)相追逐的產(chǎn)業(yè),但最近,所有的玩家卻一同現(xiàn)身,當(dāng)中國(guó)企業(yè)攜市場(chǎng)、資本入局,必然會(huì)攪動(dòng)國(guó)際存儲(chǔ)器格局,帶來(lái)更加激烈的競(jìng)爭(zhēng),國(guó)際巨頭與中國(guó)企業(yè)、政府的競(jìng)合博弈,也會(huì)給中國(guó)玩家?guī)?lái)更多的市場(chǎng)風(fēng)險(xiǎn)。
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          大陸存儲(chǔ)器消費(fèi)實(shí)力不容小覷 聯(lián)想采購(gòu)量與惠普相當(dāng)

          •   大陸成為全球最大存儲(chǔ)器芯片消費(fèi)國(guó),以往存儲(chǔ)器芯片有9成以上依賴進(jìn)口的大陸,以提升自給率為名義促進(jìn)在地生產(chǎn),可能引進(jìn)新政策。   Digital Times引用TrendForce資料指出,2015年大陸DRAM采購(gòu)規(guī)模估計(jì)為120億美元、NAND Flash采購(gòu)規(guī)模為66.7億美元。這各占全球DRAM和NAND供貨量的21.6%和29.1%。移動(dòng)DRAM較2014年成長(zhǎng)近2倍,市占率達(dá)40%。   大陸的DRAM、NAND采購(gòu)增加,意味著大陸終端產(chǎn)品業(yè)者的成長(zhǎng)迅速。在PC領(lǐng)域,聯(lián)想快速成長(zhǎng),成為存
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          存儲(chǔ)器介紹

          什么是存儲(chǔ)器 存儲(chǔ)器(Memory)是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。 存儲(chǔ)器的構(gòu)成 構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì),目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]
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