存儲器 文章 進入存儲器技術(shù)社區(qū)
閃存價格不斷走低 再提“硬盤替代者”
- 近日，隨著閃存芯片價格的再次走低，分析家預(yù)測，隨著每千兆比特的價格不斷下降，閃存將有可能在兩年內(nèi)成為筆記本電腦上替代現(xiàn)有硬盤的新存儲技術(shù)。 閃存芯片具有多次可擦寫性，并且在不外加電源能情況下就可以保存現(xiàn)有的數(shù)據(jù)。閃存一度成為數(shù)碼相機等便攜式電子產(chǎn)品的首選存儲技術(shù)。最近，許多頂級電子業(yè)分析師指出，閃存正逐漸踏入一場存儲媒質(zhì)的大變革中。 東芝和其它半導(dǎo)體廠商為了推廣閃存芯片，為其耗費了接近天文數(shù)字的研發(fā)和市
- 關(guān)鍵字： 閃存價格 消費電子 硬盤替代者 存儲器 消費電子
高速掃描采樣單片機與PC機接口板的設(shè)計
- 摘 要：為色譜-質(zhì)譜聯(lián)用儀設(shè)計了高速采樣掃描接口電路。介紹了采用ISA卡形式以兩片雙端口RAM為信箱實現(xiàn)單片機與PC機高速通訊的接口電路,給出了實現(xiàn)高速、高精度采樣及掃描的高性能A/D和D/A轉(zhuǎn)換電路,最后給出了相應(yīng)的軟件設(shè)計方案。 關(guān)鍵詞：色譜-質(zhì)譜聯(lián)用儀 雙端口RAM 高速采樣 色譜-質(zhì)譜(GC-MS)聯(lián)用儀可對許多產(chǎn)品中的多種元素進行分析測定,因此被廣泛應(yīng)用于農(nóng)業(yè)、工業(yè)以及醫(yī)藥、環(huán)保、食品等領(lǐng)域中。GC-MS技術(shù)在未來的經(jīng)濟發(fā)展和科學(xué)研究中將發(fā)揮更為積極和
- 關(guān)鍵字： 測量 測試 高速采樣 色譜-質(zhì)譜聯(lián)用儀 雙端口RAM 存儲器
利用SPD實現(xiàn)嵌入式系統(tǒng)中內(nèi)存的自動識別和配置
- 摘 要：介紹了內(nèi)存的SPD規(guī)范及其硬件接口類型和數(shù)據(jù)組織結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)了在嵌入式系統(tǒng)中對不同內(nèi)存的識別與配置，提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性，方便更換和檢測。具體實例詳細描述了嵌入式系統(tǒng)中內(nèi)存的自動配置過程。 關(guān)鍵詞：SPD I2C 嵌入式系統(tǒng) MPC824X 在嵌入式系統(tǒng)設(shè)計中經(jīng)常用大容量的SDRAM，存放RTOS和數(shù)據(jù)。這時用戶可以有兩種選擇：一種是選用合適的內(nèi)存芯片自己布線，把整個SDRAM做到嵌入式系統(tǒng)的PCB板上，這種方法在小系統(tǒng)中經(jīng)常采用；另一種就是選用現(xiàn)
- 關(guān)鍵字： I2C MPC824X SPD 單片機 嵌入式系統(tǒng) 存儲器
基于USB2.0的高速無線數(shù)傳接收設(shè)備的數(shù)據(jù)接收存儲方法
- 基于USB2.0的高速無線數(shù)傳接收設(shè)備的數(shù)據(jù)接收存儲方法 北京理工大學(xué)電子工程系(100081) 李新昌 摘 要：介紹了一種利用USB2.0接口芯片ISP1581并配合FPGA芯片EP1K30TI144和DSP芯片TMS320F206實現(xiàn)無線數(shù)傳接收設(shè)備中數(shù)據(jù)接收存儲的方法。這種方法具有接口簡單、使用方便等特點。 關(guān)鍵詞：位同步 幀同步 USB2.0 差錯控制 數(shù)據(jù)接收存儲技術(shù)是信號采集處理領(lǐng)域內(nèi)的一個重要課題。利用這種技術(shù),可以把信號的實時采集和精確處理在時間上分為兩個階段,
- 關(guān)鍵字： USB2.0 差錯控制 位同步 幀同步 存儲器
雙口RAM CY7C026在高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的應(yīng)用(圖)
- 引言---由工業(yè)計算機通過pci總線控制的前端數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)在工業(yè)控制領(lǐng)域中得到了廣泛的應(yīng)用，一般的數(shù)據(jù)傳送系統(tǒng)在大數(shù)據(jù)量的情況下會造成數(shù)據(jù)堵塞現(xiàn)象。在系統(tǒng)設(shè)計的過程中經(jīng)過多方面的比較，最后采用高數(shù)雙口ram構(gòu)成的高速數(shù)據(jù)交換接口成功地解決了此問題。---cy7c026是cypress公司生產(chǎn)的16k
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使用Verilog實現(xiàn)基于FPGA的SDRAM控制器(圖)
- 摘 要：介紹了sdram的特點和工作原理，提出了一種基于fpga的sdram控制器的設(shè)計方法，使用該方法實現(xiàn)的控制器可非常方便地對sdram進行控制。關(guān)鍵詞：sdram；控制器；verilog；狀態(tài)機 引言---在基于fpga的圖象采集顯示系統(tǒng)中，常常需要用到大容量、高速度的存儲器。而在各種隨機存儲器件中，sdram的價格低、體積小、速度快、容量大，是比較理想的器件。但sdram的控制邏輯比較復(fù)雜，對時序要求也十分嚴格，使用很不方便，這就要求有一個專門的控制器，使系統(tǒng)用戶能很方便地操作sdram。為此
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μPSD中存儲器系統(tǒng)的配置(圖)
- 介紹μpsd的存儲器系統(tǒng)內(nèi)部結(jié)構(gòu)和配置方法，討論了相關(guān)psdsoft軟件的使用方法。 背景 如果對st公司的μpsd器件有一定了解，熟悉mcs-51系列單片機的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及原理，使用過psdsoft express和keil開發(fā)設(shè)計，將對理解本文有很大的幫助。 mcs-51單片機采用哈佛結(jié)構(gòu)的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，即數(shù)據(jù)存儲器空間與程序存儲器空間互相獨立。它有16根地址總線，最大尋址能力為64k，這決定程序或數(shù)據(jù)空間不能超過64k。以上兩點是本文所有討論的前提基礎(chǔ)。 μ
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糾錯碼在容錯存儲器設(shè)計中的應(yīng)用(圖)
- 摘 要：本文分析了存儲器產(chǎn)生錯誤的原因，提出了提高其可靠性的途徑，給出了一套常用數(shù)字系統(tǒng)中存儲器容錯的糾錯碼方案，最終通過驗證電路說明其可行性。關(guān)鍵詞：容錯；ecc；改進漢明碼；存儲器 容錯存儲器概述 存儲器是數(shù)字系統(tǒng)中常用的器件之一，是采用大規(guī)模集成電路存儲芯片構(gòu)成的。實際統(tǒng)計表明，存儲器的主要錯誤是單個電路故障所引起的一位錯或者相關(guān)多位錯，而隨機獨立的多位錯誤極少。在按字節(jié)組織的內(nèi)存儲器中，主要錯誤模式為單字節(jié)錯；而在按位組織的內(nèi)存儲器中，主要錯誤模式為單位錯。 半導(dǎo)體存儲器的錯誤大體上分為硬
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新一代非易失性存儲器——NVSRAM的原理和應(yīng)用
- 摘要： 本文介紹了針對高端存儲應(yīng)用的最新非易失性存儲器NVSRAM?？梢愿鶕?jù)應(yīng)用要求以及功能需要選擇最佳的非易失性存儲器架構(gòu)。關(guān)鍵詞： Flash；EEPROM；SRAM；NVSRAM 概述眾所周知，在非易失性存儲器領(lǐng)域，市場熱度節(jié)節(jié)攀升。近日，SRAM家族又增加了新的成員—NVSRAM。NVSRAM 為 Non-volatile SRAM縮寫，即為非易失性SRAM。本文將比較各類非易失性存儲器，并介紹NVSRAM的特點和優(yōu)勢， NVSRAM 的應(yīng)用以及工作方式。 非易失性存儲器應(yīng)用
- 關(guān)鍵字： 0701_A NVSRAM SRAM 消費電子 雜志_技術(shù)長廊 存儲器 消費電子
MRAM：內(nèi)存的新潮流(上)
- 摘要： Freescale運用自旋電子技術(shù)制作了新的非易失性RAM，本文對此進行了詳細介紹。關(guān)鍵詞： MRAM；自旋電子；位線；字線 在半導(dǎo)體業(yè)界，微處理器是一種更有魅力，利潤更高，而且更難以設(shè)計的產(chǎn)品，而內(nèi)存芯片在推動半導(dǎo)體技術(shù)向前發(fā)展的過程中則會起到關(guān)鍵性的作用。Intel早期的成功，來源于其1970年推出的、當時業(yè)界第一款DRAM芯片，1kb的1103。兩年后，1103成為業(yè)界銷售情況最好的內(nèi)存芯片，在很多新的系統(tǒng)設(shè)計中取代了磁芯存儲器。DRAM在過去的歲月中成為半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展
- 關(guān)鍵字： 0701_A MRAM 消費電子 雜志_技術(shù)長廊 存儲器 消費電子
DRAM 8英寸線趨減 IC制造須理性突圍
- DRAM 8英寸線將逐漸退出 隨著半導(dǎo)體工藝制程技術(shù)的進步，90納米及以下制程產(chǎn)品的比重增大以及12英寸硅片的優(yōu)越性逐漸擴大，首先在競爭最激烈的存儲器制造中呈現(xiàn)。 臺灣力晶半導(dǎo)體的黃崇仁表示，2006年是轉(zhuǎn)折點，DRAM中的8英寸芯片性價比已不具有優(yōu)勢，一批較早的8英寸芯片廠，已無法采用0.11微米工藝來制造512Mb的DDR2存儲器。 臺灣拓璞產(chǎn)業(yè)研究所最近發(fā)表的看法認為，五大集團三星、美光、海力士、英飛凌及爾必達主導(dǎo)了全球的DRAM業(yè)，全球DRAM(動態(tài)隨機存儲器)應(yīng)用中，有
- 關(guān)鍵字： 8英寸 DRAM IC制造 單片機 理性突圍 嵌入式系統(tǒng) 存儲器
適用于圖像檢測壓縮系統(tǒng)的內(nèi)存存取方式
- 為了兼具可擴展性和數(shù)據(jù)處理速度，對于各種應(yīng)用，如圖像數(shù)據(jù)偵錯、視頻數(shù)據(jù)壓縮、音頻數(shù)據(jù)增益、馬達控制等，可編程數(shù)據(jù)處理模塊(Programmable Data Processing Module)是時勢所需。在處理的數(shù)據(jù)量越來越大的情況下，所需的內(nèi)存容量隨之增大，以往的先進先出隊列(First-In-First-Out, FIFO)無法滿足其高速度與大容量的需求，許多硬件工程師開始考慮使用DRAM的可能性。DRAM具備可快速存取、可依照設(shè)計者規(guī)劃使用空間、大容量等優(yōu)點，但是內(nèi)存數(shù)組需要重新充電，而雙倍數(shù)據(jù)速
- 關(guān)鍵字： 測量 測試 消費電子 存儲器 消費電子
DRAM 8英寸生產(chǎn)線趨減 IC制造須理性突圍
- 推動全球半導(dǎo)體工業(yè)進步的兩個輪子，一個是縮小特征尺寸，另一個是增大硅片直徑，通?？偸且圆粩嗟乜s小特征尺寸為先。如今，全球正進入12英寸，65納米芯片生產(chǎn)線的興建高潮，業(yè)界正在為何時進入18英寸硅片生產(chǎn)展開可行性討論。在此前提下，業(yè)界關(guān)心全球8英寸芯片生產(chǎn)線的現(xiàn)狀，以及何時將退出歷史舞臺?？v觀全球半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展的歷史過程，進入8英寸硅片時代約于1997年。通常每種硅片的生存周期在20年左右，所以8英寸硅片目前仍處于平穩(wěn)發(fā)展時段，顯然90納米及65納米產(chǎn)品已開始上升。 &
- 關(guān)鍵字： 8英寸 DRAM IC 存儲器
存儲器介紹
什么是存儲器
存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器的構(gòu)成
構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]
存儲器電路
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