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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 存儲器

          ARM7系統(tǒng)中實現(xiàn)CF卡存儲的文件系統(tǒng)設(shè)計

          • 目前我們正著手將嵌入式系統(tǒng)軟件應(yīng)用于汽車衛(wèi)星導(dǎo)航儀系統(tǒng)的一步開發(fā)。傳統(tǒng)的嵌入式應(yīng)用并不包括文件系統(tǒng),而我們要實現(xiàn)的文件系統(tǒng)需要在車輛導(dǎo)航系統(tǒng)中實現(xiàn)地圖數(shù)據(jù)文件的讀寫。因此它既要支持與MS-DOS兼容的文件系統(tǒng)也要支持其它類型的文件系統(tǒng)。   另一方面,從數(shù)碼相機到MP3播放機,從掌上電腦到數(shù)碼攝像機,CF(CompactFlash)卡由于具有體積小、兼容性強、價格相對低廉等諸多優(yōu)點,在數(shù)碼設(shè)備上的應(yīng)用越來越廣泛。但若想在CF卡與PC之間傳遞數(shù)據(jù),通常不得不借助于專門的讀卡器,這給PC的用戶帶來了不小的麻煩
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          東芝推新款硬盤 存儲密度再創(chuàng)歷史記錄

          •   東芝今天發(fā)布了一款2.5英寸、雙碟結(jié)構(gòu)硬盤驅(qū)動器,該公司稱其存儲密度再次在同類產(chǎn)品中創(chuàng)下了一個新的記錄。   據(jù)外電報道,該產(chǎn)品采用垂直記錄技術(shù),存儲密度為每平方毫米277.1Mb(兆比特),相當(dāng)于每平方英寸178.8Gb(吉比特)。    這個密度打破了當(dāng)前同樣由東芝保持每平方英寸133Gb的最高記錄。   該硬盤設(shè)計存儲容量為200GB。   東芝表示,該硬盤將自8月份開始量產(chǎn)。   這項新技術(shù)有可能被應(yīng)用在東芝即將與微軟及NTT DoCoMo攜手為日本市場開發(fā)的數(shù)字
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          閃存VS硬盤:消費電子帶來“共榮”

          • 有國外媒體日前對包括硬盤和閃存在內(nèi)的存儲行業(yè)進行了一番分析。分析認(rèn)為,硬盤和閃存之爭并不會帶來“你死我活”的局面,兩者通過相互競爭、技術(shù)進步,加上消費電子市場對存儲的需求不斷擴大,兩者的未來都很“光明”。   日立全球存儲技術(shù)公司的高級副總裁比爾
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          嵌入式系統(tǒng)內(nèi)存管理方案研究

          •   摘要:嵌入式系統(tǒng)的內(nèi)存管理機制必須滿足實時性和可靠性的要求。本文以開源的的操作系統(tǒng)RTEMS為例,介紹嵌入式系統(tǒng)中內(nèi)存管理的要求、存在的問題以及解決的策略。 引言 內(nèi)存管理機制是嵌入式系統(tǒng)研究中的一個重點和難點的問題,它必須滿足以下幾個特性: ①實時性。從實時性的角度出發(fā),要求內(nèi)存分配過程要盡可能地快。因此,在嵌入式系統(tǒng)中,不可能采用通用操作系統(tǒng)的一些復(fù)雜而完善的內(nèi)存分配策略,一般沒有段頁式的虛存管理機制;而是采用簡單、快速的內(nèi)存分配方案,其分配方案也因程序?qū)崟r性的要求而異。例如,
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          Ramtron發(fā)布其高速8051內(nèi)核MCU VRS51L2070

          • 世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (FRAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品供應(yīng)商及開發(fā)商Ramtron International向全球發(fā)布其高速的8051內(nèi)核MCU --VRS51L2070。高達(dá)40MIPS 的速度和諸如DSP計算等豐富功能使得8位MCU在功能和速度上都能趕超16位MCU。 Ramtron加拿大公司總經(jīng)理Iry Lustigman表示: “VRS51L2070滿足了當(dāng)前市場對于高性能MCU的要求。無需采用全新硬件構(gòu)架,無需過多關(guān)注全新代碼,高性能的MCU將在提高系統(tǒng)性能的同時將系統(tǒng)成本降至最低
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          韓國現(xiàn)代汽車智能安全氣囊采用FRAM作為數(shù)據(jù)存儲

          • 世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (FRAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品供應(yīng)商及開發(fā)商Ramtron International 宣布,韓國現(xiàn)代 Hyundai Autonet 公司選用了其生產(chǎn)的 FRAM 產(chǎn)品用于該公司的汽車智能安全氣囊和乘客傳感器中。非易失性存儲器(FRAM) 具備無倫比的讀寫壽命及高速的數(shù)據(jù)寫入能力,成為當(dāng)今日益復(fù)雜的智能安全氣囊系統(tǒng)的理想選擇。 Ramtron 首席執(zhí)行官 Bill Staunton稱:“我們在韓國現(xiàn)代 Hyundai Autonet 智能安全氣囊項目上取得的成功,再次
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          Ramtron發(fā)布高速8051內(nèi)核

          FPGA與SRAM相結(jié)合完成大容量數(shù)據(jù)存儲

          •  (西安電子科技大學(xué) 通信工程學(xué)院 710071) 摘要  本文介紹了一種實現(xiàn)大容量數(shù)據(jù)存儲的方法。采用先進的FPGA(Field Programmable Gate Array)技術(shù)結(jié)合SRAM專用控制器件來實現(xiàn)邏輯控制,以靜態(tài)存儲器SRAM(Static RAM)為存儲器件實現(xiàn)了256K
          • 關(guān)鍵字: 單片機  工業(yè)控制  嵌入式系統(tǒng)  存儲器  工業(yè)控制  

          美光兩個內(nèi)存廠調(diào)整轉(zhuǎn)產(chǎn)CMOS傳感器

          •      據(jù)國外媒體報道,全球半導(dǎo)體巨頭美光科技最近決定把兩個原來生產(chǎn)內(nèi)存的芯片廠用于生產(chǎn)CMOS傳感器芯片,從而將COM傳感器的生產(chǎn)能力翻一番。    美光科技影像集團營銷總監(jiān)Hisayuki Suzuku日前對媒體表示,美光正在把兩條將要過時的內(nèi)存生產(chǎn)線轉(zhuǎn)移用于制造CMOS傳感器。他說,這種產(chǎn)能轉(zhuǎn)移是有意義的,因為在國際半導(dǎo)體行業(yè),各大公司正在使用90納米或65納米工藝生產(chǎn)內(nèi)存,不過在傳感器方面,大多數(shù)公司都使用130納米并正在向110納米工
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          復(fù)合型硬盤一月出貨:開機更快、電池更耐

          • 自從微軟和三星發(fā)表要合作推出復(fù)合型硬盤 (HHD) 之后,我們就一直很想知道這對效能和電池續(xù)航力能有多大的影響(畢竟初期是鎖定筆記本電腦銷售)。 三星這會兒總算是發(fā)布了一些資料,表明這種新的 NAND 閃存/傳統(tǒng)硬盤復(fù)合體的新種硬盤大約可以節(jié)省 8-25 秒的開機時間和延長電池壽命 8~10%。 換言之,新型的復(fù)合式硬盤大約可以加快開機近一倍(但還不是瞬開),并且延長普通筆記本電腦的電池壽命約 20~30 分鐘。嗯,聽起來挺不錯地,而且跟據(jù)三星的新聞稿,只要「極小的額外開銷」。 三星預(yù)計七月起提供「
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          微軟公布Vista硬件需求 內(nèi)存至少512兆

          •       據(jù)外電報道,隨著新一代操作系統(tǒng)Windows Vista上市日期的臨近,微軟將于今日正式公布Vista對計算機系統(tǒng)的硬件需求。         據(jù)美聯(lián)社報道,美國時間本周四,微軟將啟動兩項市場推出 程序,以告知PC廠商和零售商,究竟什么標(biāo)準(zhǔn)的硬件配置才能安裝和運行Vista系統(tǒng)。      &nb
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          ST集成以太網(wǎng)控制器、大容量存儲器和ARM9E核心

          • 世界第一個基于 ARM9的內(nèi)置閃存的通用微控制器催生新一代聯(lián)網(wǎng)嵌入式應(yīng)用 意法半導(dǎo)體率先在通用閃存微控制器系列產(chǎn)品內(nèi)集成以太網(wǎng)接口、ARM9E處理器核心和大容量嵌入式SRAM和閃存。新的STR910F系列為基于ARM的閃存微控制器確立了新的性價比和網(wǎng)絡(luò)接入標(biāo)準(zhǔn),為系統(tǒng)設(shè)計人員將功能強大的嵌入式控制應(yīng)用轉(zhuǎn)化成低成本的局域網(wǎng)(LAN)或互聯(lián)網(wǎng)節(jié)點帶來了許多新的機遇。 STR910F系列的設(shè)計目的是滿足市場對高性能嵌入式控制應(yīng)用的日益增長的需求和實現(xiàn)以太網(wǎng)接入功能。這些芯片是ST對取得成功的STR7X
          • 關(guān)鍵字: 通訊  網(wǎng)絡(luò)  無線  存儲器  

          QuickLogic橋接控制器和日立Microdrive® 硬盤驅(qū)動器提供高能效存儲解決方案

          • QuickLogic經(jīng)驗證的低功耗QuickIDE橋接控制器成為Intel® PXA2xx處理器的配套器件 超低功耗FPGA的領(lǐng)導(dǎo)廠商QuickLogic公司(NASDAQ代碼:QUIK)今天宣布,將其最新的QuickIDE橋接控制器與日立環(huán)球存儲科技(Hitachi GST)的一英寸Microdrive硬盤驅(qū)動器整合,向基于Intel處理器的便攜消費電子產(chǎn)品推出完整的大容量存儲解決方案。 日立新推出的Microdrive 3K8硬盤驅(qū)動器具有單位面積小、功
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          ST推出硬盤驅(qū)動器專用控制器芯片

          • 多功能的硬盤驅(qū)動器電機控制器的開發(fā)計劃,使同一個芯片可用于12V和5V驅(qū)動器應(yīng)用, 同時還能夠滿足消費類電子產(chǎn)品的需求 磁盤驅(qū)動器和系統(tǒng)芯片解決方案的領(lǐng)導(dǎo)廠商意法半導(dǎo)體(紐約證券交易所代碼: STM)推出一個新的硬盤驅(qū)動器(HDD)電機控制器芯片,該IC集成了驅(qū)動個人計算機驅(qū)動器的主軸電機和語音線圈所需的全部電路。這個被命名為L7207的硬盤驅(qū)動器電機控制器適合移動設(shè)備專用5V驅(qū)動器和臺式計算機專用12V驅(qū)動器,因此給這兩種類型驅(qū)動器的制造廠商帶來了降低庫存和制造成本的好處,同時還能為其它類型的
          • 關(guān)鍵字: 通訊  網(wǎng)絡(luò)  無線  存儲器  

          ST在微控制器內(nèi)集成以太網(wǎng)控制器容量存儲器和ARM9E核心

          • 世界第一個基于 ARM9的內(nèi)置閃存的通用微控制器催生新一代聯(lián)網(wǎng)嵌入式應(yīng)用 意法半導(dǎo)體率先在通用閃存微控制器系列產(chǎn)品內(nèi)集成以太網(wǎng)接口、ARM9E處理器核心和大容量嵌入式SRAM和閃存。新的STR910F系列為基于ARM的閃存微控制器確立了新的性價比和網(wǎng)絡(luò)接入標(biāo)準(zhǔn),為系統(tǒng)設(shè)計人員將功能強大的嵌入式控制應(yīng)用轉(zhuǎn)化成低成本的局域網(wǎng)(LAN)或互聯(lián)網(wǎng)節(jié)點帶來了許多新的機遇。 STR910F系列的設(shè)計目的是滿足市場對高性能嵌入式控制應(yīng)用的日益增長的需求和實現(xiàn)以太網(wǎng)接入功能。這些芯片是ST對取得成功的STR7X
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          存儲器介紹

          什么是存儲器 存儲器(Memory)是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。 存儲器的構(gòu)成 構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì),目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]
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