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宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)推出單片式氮化鎵半橋功率晶體管
- 宜普電源轉(zhuǎn)換公司推出EPC2102(60 V)及EPC2103(80 V)半橋式晶體管，進(jìn)一步擴(kuò)展其獲獎(jiǎng)的氮化鎵功率晶體管產(chǎn)品系列。 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出EPC2102(60 V)及EPC2103(80 V)增強(qiáng)型單片式氮化鎵半橋器件。透過集成兩個(gè)eGaN®功率場效應(yīng)晶體管而成為單個(gè)器件可以除去印刷電路板上器件之間的相連電感及空隙，使晶體管的占板面積減少50%。這會(huì)提高效率(尤其是器件在更高頻工作時(shí))及增加功率密度并同時(shí)減低終端用戶的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的組裝成本。半橋式器件是面向
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）推出單片半橋式氮化鎵功率晶體管
- 宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出60 V增強(qiáng)型單片半橋式氮化鎵晶體管(EPC2101)。透過集成兩個(gè)eGaN®功率場效應(yīng)晶體管而成為單個(gè)器件，可以除去互連電感及電路板上元件之間所需的空隙，使得晶體管的占板面積減少50%。結(jié)果是增加效率(尤其是在更高頻率時(shí))及提高功率密度并同時(shí)降低終端用戶的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的組裝成本。EPC2101最理想的應(yīng)用領(lǐng)域是高頻直流-直流轉(zhuǎn)換。 在EPC2101半橋式元件內(nèi)，每一個(gè)器件的額定電壓是60 V。 上面的場效應(yīng)晶體管的導(dǎo)通電阻(RDS(on))典型值是8.4 m?，
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）推出專為電信、工業(yè)及醫(yī)療應(yīng)用的降壓轉(zhuǎn)換器演示板
- 宜普電源轉(zhuǎn)換公司推出全功能降壓型功率轉(zhuǎn)換演示電路 -- EPC9118演示板，可支持30 V至60 V輸入電壓并轉(zhuǎn)至5 V、 具20 A最高輸出電流及400 kHz頻率的降壓轉(zhuǎn)換器。它采用EPC2001 及EPC2015增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN?)場效應(yīng)晶體管(FET)及LTC3891降壓控制器。這個(gè)降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)是電信、工業(yè)及醫(yī)療應(yīng)用所需的配電解決方案的理想設(shè)計(jì)。 EPC9118演示板在小型版圖上(1” x 1.3”)包含全功率級(包括氮化鎵場效應(yīng)晶體管、驅(qū)動(dòng)器、
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推動(dòng)高效電源轉(zhuǎn)換的氮化鎵技術(shù)專家撰寫以應(yīng)用為主題的教科書（第二版）
- 宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出「氮化鎵晶體管 - 高效功率轉(zhuǎn)換器件」教科書(第二版)，由電源轉(zhuǎn)換業(yè)界專家撰寫及約翰威立國際出版公司(John Wiley & Sons Inc.)發(fā)行。 該教科書專為攻讀功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程課程的學(xué)生及在職工程師而撰寫，內(nèi)容涵蓋基本技術(shù)及以應(yīng)用為主題的部分，旨在闡釋如何利用基于氮化鎵技術(shù)的晶體管設(shè)計(jì)更高效電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。 氮化鎵(GaN)技術(shù)是一種新興技術(shù)，旨在締造新一代功率晶體管以替代舊有硅MOSFET器件。當(dāng)硅器件已接近其性能極限時(shí)，氮化鎵器件具備卓越傳導(dǎo)及
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司推出符合A4WP規(guī)格的高效無線電源傳送演示套件
- 由于氮化鎵場效應(yīng)晶體管(eGaN® FET)具備卓越性能例如具低輸出電容、低輸入電容、低寄生電感及小尺寸，它是高度諧振并符合Rezence無線充電聯(lián)盟(A4WP)規(guī)格的無線電源傳送系統(tǒng)的理想器件，可提高系統(tǒng)的效率。 宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出無線電源轉(zhuǎn)換演示套件。該套件備有40 V(EPC9111)及100 V(EPC9112)器件并包含以下三個(gè)組件： 發(fā)射板(或放大器) 符合A4WP等級3規(guī)格的發(fā)射線圈 符合A4WP類別3規(guī)格、包含線圈的接收板 該系統(tǒng)可傳送達(dá)35
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