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          青銅劍科技應(yīng)邀參加富士電機(jī)技術(shù)研討會(huì)

          •   11月16日,富士電機(jī)功率半導(dǎo)體技術(shù)研討會(huì)在蘇州成功舉行。作為富士電機(jī)長(zhǎng)期合作伙伴,青銅劍科技再次應(yīng)邀參會(huì)并作技術(shù)分享。本次活動(dòng)匯集來(lái)自全國(guó)各地一百多位行業(yè)客戶和技術(shù)專家,共同交流探討最新產(chǎn)品和前沿技術(shù)話題,現(xiàn)場(chǎng)氣氛熱烈掌聲不斷?! 「皇侩姍C(jī)第7代IGBT“X系列”是此次研討會(huì)的重頭戲,該系列產(chǎn)品薄化IGBT元件和二極管元件的厚度,實(shí)現(xiàn)了元件的小型化和結(jié)構(gòu)優(yōu)化。與以往產(chǎn)品相比,“X系列”產(chǎn)品降低了變換器運(yùn)行時(shí)的電力損耗,更有利于運(yùn)載機(jī)器節(jié)能和削減電力成本。此外,富士電機(jī)技術(shù)專家還詳細(xì)介紹了IGBT模塊
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          日本富士電機(jī)將退出太陽(yáng)能電池生產(chǎn)業(yè)務(wù)

          •   日本綜合性電機(jī)產(chǎn)品大廠富士電機(jī)19日宣布將退出太陽(yáng)能電池生產(chǎn)業(yè)務(wù),計(jì)劃于今年3月31日將太陽(yáng)能電池事業(yè)出售給新西蘭多功能屋頂建材制造/銷售商ZinniaTekLimited位于日本的全資子公司FWAVE。   富士電機(jī)表示,此次將出售的資產(chǎn)包含太陽(yáng)能電池生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)“熊本工廠”以及千葉工廠的太陽(yáng)能電池研發(fā)設(shè)備,另外也包含太陽(yáng)能電池庫(kù)存以及太陽(yáng)能電池相關(guān)的商標(biāo)權(quán)、智慧財(cái)產(chǎn)權(quán)。   據(jù)日本媒體報(bào)導(dǎo),2006年,富士電機(jī)開始利用熊本工廠量產(chǎn)薄膜太陽(yáng)能電池,年產(chǎn)能約為2.4萬(wàn)Kw,但因
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          富士電機(jī)擬擴(kuò)增SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)線

          •   富士電機(jī)計(jì)劃生產(chǎn)采用碳化硅作為原料的功率半導(dǎo)體,并在2012年前于該公司位于日本長(zhǎng)野縣的松元制作所增設(shè)一條產(chǎn)線,此為該公司首次在自家工廠設(shè)置碳化硅功率半導(dǎo)體的產(chǎn)線,未來(lái)預(yù)計(jì)在2012年春季開始量產(chǎn)。
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          富士電機(jī)擬擴(kuò)增SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)線

          •   富士電機(jī)計(jì)劃生產(chǎn)采用碳化硅作為原料的功率半導(dǎo)體,并在2012年前于該公司位于日本長(zhǎng)野縣的松元制作所增設(shè)一條產(chǎn)線,此為該公司首次在自家工廠設(shè)置碳化硅功率半導(dǎo)體的產(chǎn)線,未來(lái)預(yù)計(jì)在2012年春季開始量產(chǎn)。   
          • 關(guān)鍵字: 富士電機(jī)  SiC  

          富士電機(jī)欲設(shè)用于功率半導(dǎo)體的200mm晶圓量產(chǎn)線

          •   富士電機(jī)決定設(shè)置用于功率半導(dǎo)體的晶圓處理工序(前工序)生產(chǎn)線。將在山梨制作所(山梨縣南阿爾卑斯市)設(shè)置該公司在日本國(guó)內(nèi)的第二條生產(chǎn)線。   發(fā)布資料顯示,此前山梨制作所一直在量產(chǎn)光盤。富士電機(jī)將有效利用該工廠的設(shè)備,改建成用于功率半導(dǎo)體的200mm晶圓量產(chǎn)線。設(shè)備投資額計(jì)劃為185 億日元,投產(chǎn)時(shí)間為2012年5月,處理能力為1萬(wàn)2000枚/月。
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          富士電機(jī)--產(chǎn)品簡(jiǎn)介

          •                    隨著功率器件對(duì)小尺寸、大容量和低噪音的要求,IGBT已成為電源變換器的新一代核心功率器件。富士電機(jī)電子技術(shù)公司始終專注于IGBT模塊的開發(fā),不斷支持新技術(shù),目標(biāo)是開發(fā)出簡(jiǎn)單易用且最終可實(shí)現(xiàn)低損耗和低EMI噪音的IGBT模塊。   富士電機(jī)推出的第五代IGBT模塊通過(guò)完善
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          富士電機(jī)介紹

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