- 存儲器解決方案的全球領導者鎧俠株式會社近日宣布，該公司已開始提供業(yè)界首款(2)面向車載應用的通用閃存(3)(UFS)4.0版嵌入式閃存設備的樣品(1)。新產品性能高，采用小型封裝，提供快速的嵌入式存儲傳輸速度，適用于多種新一代車載應用，諸如車載遠程信息處理系統(tǒng)、信息娛樂系統(tǒng)以及ADAS系統(tǒng)(4)。鎧俠車載UFS產品的性能顯著提升(5)，順序讀取速度提升約100%，順序寫入速度也提升約40%。通過性能提升，相關應用能夠更好地利用5G連接的優(yōu)勢，帶來更快的系統(tǒng)啟動速度和更優(yōu)質的用戶體驗。作為首家推出UFS技術
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鎧俠 UFS 4.0 嵌入式閃存
- 格芯（GlobalFoundries）與Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）及其旗下子公司Silicon Storage Technology? （SST?）近日宣布，采用 GF 28SLPe 制程的SST ESF3第三代嵌入式SuperFlash技術NVM 解決方案即將投產。在實施SST廣泛部署的ESF3 SuperFlash技術方面，格芯確立了新的行業(yè)基準。該實施方案具有以下功能和優(yōu)勢：●? ?成本最低的28納米HKMG ESF3解決方案，僅增加了
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格芯 Microchip SuperFlash 嵌入式閃存
- 為了繼續(xù)推動通用閃存(1)（UFS）技術的發(fā)展，全球存儲器解決方案的領導者鎧俠株式會社近日宣布，具有更高性能的第二代UFS 4.0嵌入式閃存設備已開始送樣(2)。以小封裝尺寸提供快速的嵌入式存儲傳輸速度，適用于各種下一代移動應用。鎧俠 UFS 產品性能的改進使這些應用程序能夠利用 5G 的連接優(yōu)勢，從而加快下載速度、減少延遲時間并改善用戶體驗。鎧俠UFS 4.0產品將BiCS FLASH? 3D 閃存和控制器集成在?JEDEC 標準封裝中，并結合了?MIPI M-PHY 5.0 和&n
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鎧俠 UFS 4.0 嵌入式閃存
- 全球領先的特色工藝純晶圓代工企業(yè)——華虹半導體有限公司近日宣布，最新推出90納米超低漏電（Ultra-Low-Leakage，ULL）嵌入式閃存（eFlash）和電可擦可編程只讀存儲器（EEPROM）工藝平臺，滿足大容量微控制器（MCU）的需求。該工藝平臺作為華虹半導體0.11微米超低漏電技術的延續(xù)，以更低的功耗和成本為客戶提供具有競爭力的差異化解決方案，適用于物聯網、可穿戴式設備、工業(yè)及汽車電子等方面的應用。 新近推出的90納米超低漏電嵌入式閃存工藝平臺1.5V
核心N型和P型MOS晶體管
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嵌入式閃存
- 華虹半導體有限公司宣布其第三代90 納米嵌入式閃存（90nm eFlash）工藝平臺已成功實現量產。
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華虹 90納米 嵌入式閃存
- 30年的低成本創(chuàng)新中國有句俗話叫“30年河東，30年河西”，Altera在1984年發(fā)布了第一款非易失PLD EP300器件，30年間，可編程器件在性能上不斷發(fā)展甚至挑戰(zhàn)摩爾定律，工藝技術也有了長足的進步，電子設計領
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MAX10 FPGA 嵌入式閃存 Altera
- 日前，意法半導體(ST)宣布在基于ARM Cortex-M系列處理器內核的微控制器研發(fā)項目上取得突破，推出全球業(yè)內首款采用90nm技術嵌入式閃存的微控制器。目
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嵌入式閃存 微控制器 Cortex-M
- 全球閃存解決方案領導廠商閃迪公司日前宣布推出新一代 iNAND Extreme? 嵌入式閃存盤 (EFD) – 這是迄今為止閃迪推出的最快、最薄、最精良的嵌入式存儲產品。 容量高達 64GB1 的 iNAND Extreme 樣品已送至全球精選客戶手中。全球移動設備制造商能夠藉此突破設計瓶頸，推出新一代超高響應速度和優(yōu)異性能的安卓智能手機和平板電腦。
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閃迪 嵌入式閃存 iNAND Extreme
- MCU市場波瀾再起。國內閃存供應商兆易創(chuàng)新近日發(fā)布基于ARMCortexTM-M3內核GD32F103系列32位通用MCU產品。與此同時，富士通子公司富士通半導體宣布退出MCU業(yè)務，作價約1.1億美元以及6500萬美元庫存賣給另一閃存芯片供應商Spansion(飛索)。一進一退之間的MCU市場變化都指向兩個“超現實”問題：一是閃存廠商進入MCU市場有何優(yōu)勢?二是國內廠商在32位MCU市場到底有多大騰挪空間?
進為可攻
嵌入式閃存已成為MCU市場中最為重要的一種差異化
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MCU 嵌入式閃存
- X-FAB Silicon Foundries 在XH018 0.18um高壓工藝上增加高可靠性的嵌入式閃存(eFlash)方案。此方案提供了業(yè)界最少的光罩版數，32層，其中包含數字、模擬、高壓元件、并閃存，而閃存只要額外2層光罩。對高階片上混合信號系統(tǒng)芯片(SoCs)，此方案具有極高的性價比，其中的45V高壓元件與嵌入式內存，EEPROM、非揮發(fā)性隨機內存(NVRAM) 、嵌入式閃存(eFlash)，更適用于高速微處理器、數字電源、和車用電子。
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X-FAB 嵌入式閃存
- 上海宏力半導體制造有限公司 (宏力半導體)，專注于差異化技術的半導體制造業(yè)領先企業(yè)之一，宣布其代工的0.13微米嵌入式閃存首個產品已成功進入量產階段。
宏力半導體的0.13微米嵌入式閃存制程結合了其基于SST SuperFlash®(1)上已經量產的自對準分柵閃存技術和自身的0.13微米邏輯技術。閃存單元尺寸只有0.38平方微米，是目前0.13微米技術節(jié)點上最小的單元尺寸，其卓越的性能還能支持最大到16Mbit的SoC設計，在業(yè)內十分具有競爭力。
這一最小的單元同時還滿足了編程效率
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宏力半導體 嵌入式閃存 0.13微米
- 2010年6月7日，國家金卡工程協調領導小組辦公室在北京舉行了“2010年度國家金卡工程優(yōu)秀成果金螞蟻獎”頒獎儀式。世界領先的純晶圓代工廠之一，上海華虹NEC電子有限公司(以下簡稱“華虹NEC”)自主研發(fā)的“SONOS 0.13微米嵌入式閃存(eFlash)技術”榮獲“2010年度國家金卡工程優(yōu)秀成果金螞蟻獎-優(yōu)秀應用成果獎”，這是華虹NEC連續(xù)第三年獲得這一殊榮。此次獲獎是對華虹NEC在智能卡領域多年來所
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華虹NEC 晶圓代工 嵌入式閃存
- TSMC今日宣布推出0.18微米車用嵌入式閃存硅知識產權，是TSMC第二代符合AEC-Q100產品高規(guī)格認證之硅知識產權，適用于廣泛的車用電子產品。
TSMC 0.18微米車用嵌入式閃存硅知識產權與0.25微米嵌入式閃存硅知識產權相較，減少了百分之二十七的芯片尺寸?，F今0.18微米技術世代擁有已經大量開發(fā)的硅知識產權，并能支持多種應用，同時達到低成本與高效能的綜效。運用TSMC獲認證的0.18微米車用嵌入式閃存硅知識產權，客戶能夠將其目前的0.18微米產品范圍延伸至車用微控制器(MCU)產品領域
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臺積電 嵌入式閃存 MCU
- 上海宏力半導體制造有限公司 (宏力半導體)，專注于差異化技術的半導體制造業(yè)領先企業(yè)之一， 開發(fā)了其針對不同應用的多樣化設計方案。基于該設計方案，客戶可在宏力半導體經過硅驗證的技術平臺上進行設計，從而更為有效，同時減少風險。
豐富的高性能、通過硅驗證的IP模塊系列，對客戶現有的IC設計起到了優(yōu)勢互補的作用。該系列可提供各種混合信號IP，內嵌ESD保護電路的高性能IO，以及嵌入式閃存IP模塊 (包括BIST和flash macros等)。
宏力半導體是唯一一家由SST授權擁有0.25-0.13
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宏力 嵌入式閃存 IP
- 世界領先的純晶圓代工廠之一，上海華虹NEC電子有限公司(以下簡稱“華虹NEC”)近日宣布，公司基于0.13微米嵌入式閃存(eFlash)工藝平臺，成功開發(fā)出面向高性能智能卡、信息安全及微處理器等應用的嵌入式EEPROM(電可擦可編程只讀存儲器)解決方案，充分展現了華虹NEC在嵌入式非揮發(fā)性存儲器(eNVM)技術上的領先地位和創(chuàng)新優(yōu)勢。
華虹NEC的0.13微米嵌入式EEPROM是在已有的0.13微米嵌入式Flash平臺上開發(fā)的，實現了Flash和EEPROM的完美兼容，也
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華虹NEC 晶圓代工 嵌入式閃存
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