基本半導(dǎo)體發(fā)布國內(nèi)首款工業(yè)級碳化硅MOSFET

• 　　新年伊始，基本半導(dǎo)體正式發(fā)布國內(nèi)首款擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的工業(yè)級碳化硅MOSFET，該產(chǎn)品各項性能達(dá)到國際領(lǐng)先水平，其中短路耐受時間更是長達(dá)6μs。碳化硅MOSFET的發(fā)布，標(biāo)志著基本半導(dǎo)體在第三代半導(dǎo)體研發(fā)領(lǐng)域取得重大進(jìn)展，自主研發(fā)的碳化硅功率器件繼續(xù)領(lǐng)跑全國?！　〗陙?，基于硅(Si)、砷化鎵(GaAs)半導(dǎo)體材料的功率器件受材料性能所限，正接近物理極限，產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)入瓶頸期。而以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料，具有禁帶寬度大、擊穿電場強(qiáng)度高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高等特點，更適合制作高溫、高頻、抗輻射
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