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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 接觸電阻

接觸電阻文章進入接觸電阻技術社區(qū)

兩個小的電路設計失誤

　　簡介：今天寫兩個電路設計失誤，第一個是由于電流增益不夠引起的，該電路是參考別的設計者引發(fā)的，看了之后可以了解一些知識。　　　　第一個失誤的主要原因是，設計者錯誤估算了R1的大小。其設計的值太大，導致Ib太小。　　這里把等效的模型轉換成如下：　　　　以上的模型描述了輸入和輸出的模型，正式計算的分成兩個部分。　　　　求解基極電流Ib 　　求解集電極電流Ic 　　求解放大比例　　通過這個比例可得到三極管的狀態(tài)，如
關鍵字：電流增益接觸電阻

基于開爾文四線法進行接觸電阻的測量實例

ASTM的方法B539“測量電氣連接的接觸電阻”和MIL-STD-1344的方法3002“低信號電平接觸電阻”是通常用于測...
關鍵字：開爾文四線法接觸電阻測量實例

接觸電阻的多種測量方法

接觸電阻就是電流流過閉合的接觸點對時的電阻。這類測量是在諸如連接器、繼電器和開關等元件上進行的。接觸電阻一般非常小其范圍在微歐姆到幾個歐姆之間。根據(jù)器件的類型和應用的情況，測量的方法可能會有所不同。AS
關鍵字：接觸電阻測量方法

高性能接觸電阻測試系統(tǒng)

關鍵字：接觸電阻開關卡繼電器

半導體參數(shù)測試的關鍵問題之一――探針的接觸電阻

關鍵字：半導體參數(shù) 接觸電阻通常，參數(shù)測試系統(tǒng)將電流或電壓輸入被測器件（DUT），然后測量該器件對于此輸入信號的響應。這些信號的路徑為：從測試儀通過電纜束至測試頭，再通過測試頭至探針卡，然后通過探針至芯片
關鍵字：半導體參數(shù)測試探針接觸電阻

半導體參數(shù)測試的關鍵問題之一——探針的接觸電阻

通常，參數(shù)測試系統(tǒng)將電流或電壓輸入被測器件（DUT），然后測量該器件對于此輸入信號的響應。這些信號的路徑為：從測...
關鍵字：半導體參數(shù) 接觸電阻

新型納米級電接觸電阻測量的新技術

納米級電氣特性
研究納米級材料的電氣特性通常要綜合使用探測和顯微技術對感興趣的點進行確定性測量。但是，必須考慮的一個額外因素是施加的探針壓力對測試結果的影響，因為很多材料具有壓力相關性，壓力會引起
關鍵字：納米級接觸電阻測量新技術

納米級電接觸電阻測量的新技術

納米級電氣特性
研究納米級材料的電氣特性通常要綜合使用探測和顯微技術對感興趣的點進行確定性測量。但是，必須考慮的一個額外因素是施加的探針壓力對測試結果的影響，因為很多材料具有壓力相關性，壓力會引起材料
關鍵字：納米級接觸電阻測量新技術

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接觸電阻介紹

　　----接觸，對導體件呈現(xiàn)的電阻成為接觸電阻。　　一般要求接觸電阻在10-20 mohm以下。有的開關則要求在100-500uohm以下。有些電路對接觸電阻的變化很敏感。應該指出，開關的接觸電阻是在開關在若干次的接觸中的所允許的接觸電阻的最大值。　　Contact Area 接觸電阻　　在電路板上是專指金手指與連接器之接觸點，當電流通過時所呈現(xiàn)的電阻之謂。為了減少金屬表面氧化 [ 查看詳細 ]

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