詳解電容加速電路

• 基本的晶體管開關(guān)電路飽和開關(guān)的問題點(diǎn)：關(guān)斷延時(shí)時(shí)間如圖1所示，使場(chǎng)效應(yīng)晶體管開關(guān)動(dòng)作時(shí)，加給晶體管的基極電流IB：IB=IC/hFE。晶體管飽和動(dòng)作時(shí)，如圖2所示，基極電流IB，即使為0，晶體管也不能立即關(guān)斷，集電極電流在積蓄(strage)時(shí)間tstg+上升時(shí)間tr，之后才變?yōu)?(toff=tstg=tr)。圖1 基本的晶體管開關(guān)電路圖2 為使開關(guān)高速，減小toff很重要用于OFF晶體管的時(shí)間差。toff比用于ON的時(shí)間ton要長(zhǎng)，而且根據(jù)驅(qū)動(dòng)基極的條件變化很大，這在高速開關(guān)電路中必需注意。BE間的電阻
• 關(guān)鍵字： 晶體管開關(guān)電路  電路設(shè)計(jì)