- 氮化鎵(GaN)是一種III / V直接帶隙半導體，作為第三代半導體材料的代表，隨著其生長工藝的不斷發(fā)展完善，現已廣泛應用于光電器件領域，如激光器(LD)、發(fā)光二極管(LED)、高電子遷移率晶體管(HEMT)等。GaN基材料的良好抗輻射性能和環(huán)境穩(wěn)定性，使得其在核探測領域具有很好的應用前景，在新型核電池領域也具有巨大的應用潛力。因為GaN輻生伏特效應核電池相比于常規(guī)的窄帶半導體核電池而言，具有更高的輸出功率和轉換效率優(yōu)勢。
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LED 核探測器
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