氮化鎵 文章 進(jìn)入氮化鎵技術(shù)社區(qū)
氮化鎵外延廠瑞典企業(yè)SweGaN宣布已開始出貨
- 8月13日，瑞典企業(yè)SweGaN宣布，公司生產(chǎn)碳化硅基氮化鎵（GaN on SiC）晶圓的新工廠已開始出貨，產(chǎn)品將用于下一代5G先進(jìn)網(wǎng)絡(luò)高功率射頻應(yīng)用。資料顯示，SweGaN新工廠位于瑞典林雪平，于2023年3月動工建設(shè)，可年產(chǎn)4萬片4/6英寸碳化硅基氮化鎵外延片。SweGaN表示，旗下新工廠開始出貨標(biāo)志著公司從一家無晶圓廠設(shè)計廠商，正式轉(zhuǎn)型為一家半導(dǎo)體制造商。合作方面，今年上半年，SweGaN與未公開的電信和國防公司簽訂了三份重要的供貨協(xié)議，使其訂單量翻了一番，達(dá)到1700萬瑞典克朗（折合人民幣約115
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羅姆將亮相2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會
- 全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）將于8月28日～30日參加在深圳國際會展中心（寶安新館）舉辦的2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會（以下簡稱PCIM Asia）（展位號：11號館D14）。屆時，將聚焦碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導(dǎo)體，展示其面向工業(yè)設(shè)備和汽車領(lǐng)域的豐富產(chǎn)品陣容及解決方案。同時，羅姆工程師還將在現(xiàn)場舉辦的“寬禁帶半導(dǎo)體器件— 氮化鎵及碳化硅論壇”以及“電動汽車論壇”等同期論壇上發(fā)表演講，分享羅姆最新的功率電子技術(shù)成果。展位效果圖羅姆擁有世界先進(jìn)的碳化硅
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英飛凌加速氮化鎵布局，引領(lǐng)低碳高效新紀(jì)元
- 近年來，隨著科技的不斷進(jìn)步和全球?qū)G色低碳發(fā)展的需求日益增長，半導(dǎo)體行業(yè)迎來了前所未有的發(fā)展機(jī)遇。氮化鎵（GaN）作為一種新型半導(dǎo)體材料，以其高功率、高效率、耐高溫等特性，在消費(fèi)電子、電動汽車、可再生能源等多個領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。作為全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者，英飛凌在氮化鎵領(lǐng)域持續(xù)深耕，通過戰(zhàn)略布局、技術(shù)創(chuàng)新、市場應(yīng)用拓展等不斷鞏固其市場地位。近日，英飛凌在上海慕尼黑展會期間舉辦了一場專門的氮化鎵新品媒體溝通會，會上英飛凌科技大中華區(qū)消費(fèi)、計算與通訊業(yè)務(wù)市場總監(jiān)程文濤先生以及英飛凌科技
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氮化鎵為何被如此看好，能否替代硅基材料大放異彩？
- 氮化鎵材料相較于硅基材料，顯著優(yōu)勢體現(xiàn)在節(jié)能、成本節(jié)約及材料省用上。其核心亮點(diǎn)在于其超快的開關(guān)速度，在硅、碳化硅與氮化鎵三者中獨(dú)占鰲頭。這一特性直接促進(jìn)了開關(guān)頻率的大幅提升，進(jìn)而允許大幅縮減被動元器件及散熱器的尺寸與數(shù)量，有效降低了物料消耗，彰顯了氮化鎵在物料節(jié)省方面的卓越能力。此外，在效率層面，氮化鎵與碳化硅并駕齊驅(qū)，通過實(shí)現(xiàn)極低的導(dǎo)通阻抗（即單位面積上可達(dá)到的最小電阻），相較于硅材料實(shí)現(xiàn)了數(shù)量級的優(yōu)化。這種高效的導(dǎo)電性能，是氮化鎵提升系統(tǒng)效率的關(guān)鍵所在。綜合上述兩方面優(yōu)勢，氮化鎵的應(yīng)用不僅促進(jìn)了系統(tǒng)性
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永銘電子：創(chuàng)新驅(qū)動，聚焦新能源與人工智能的未來
- 在2024年7月11日的慕尼黑電子展上，EEPW采訪了上海永銘電子股份有限公司（以下簡稱“永銘電子”）。其以23年的深厚技術(shù)積累和創(chuàng)新精神，再次成為行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。作為一家集研發(fā)、制造、銷售于一體的電容器企業(yè)，永銘電子在新能源汽車電子、光伏逆變器、風(fēng)力發(fā)電、5G通訊、IDC服務(wù)器、算力服務(wù)器以及人工智能等多個領(lǐng)域展現(xiàn)出了其技術(shù)實(shí)力和市場競爭力。本屆慕展上的永銘電子展臺永銘電子自2001年成立以來，一直致力于電容器的研發(fā)與創(chuàng)新。公司目前擁有十個事業(yè)部，專注于新能源汽車電子、光伏逆變器、風(fēng)力發(fā)電、5G通訊、服
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革新GaN IPM技術(shù)：引領(lǐng)高壓電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)進(jìn)入新時代
- 在當(dāng)今能效需求日益增長的時代背景下，家電及HVAC系統(tǒng)的設(shè)計師們正全力以赴地追求更高的能效標(biāo)準(zhǔn)。與此同時，他們也積極響應(yīng)消費(fèi)者對可靠、靜音、緊湊且經(jīng)濟(jì)實(shí)用的系統(tǒng)的期待。市場上的主要設(shè)計挑戰(zhàn)在于，如何在不增加系統(tǒng)成本的前提下，設(shè)計并開發(fā)出更為小巧、高效且經(jīng)濟(jì)適用的電機(jī)驅(qū)動器。這一挑戰(zhàn)要求設(shè)計師們不斷創(chuàng)新，以實(shí)現(xiàn)能效與實(shí)用性的完美結(jié)合。基于以上背景，德州儀器（TI）再次走在行業(yè)前沿，通過其最新發(fā)布的DRV7308氮化鎵（GaN）智能功率模塊（IPM），為高壓電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)帶來了革命性的改變。近日，德州儀器在發(fā)布
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德州儀器推出先進(jìn)的 GaN IPM，助力打造尺寸更小、能效更高的高壓電機(jī)
- 650V 智能電源模塊 (IPM)集成了德州儀器的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)，助力家電和暖通空調(diào)（HVAC）系統(tǒng)逆變器達(dá)到99%以上效率。得益于 IPM 的高集成度和高效率，省去了對外部散熱器的需求，工程師可以將解決方案尺寸縮減多達(dá) 55%。中國上海（2024 年 6 月 18 日）– 德州儀器 (TI)（納斯達(dá)克股票代碼：TXN）推出了適用于 250W 電機(jī)驅(qū)動器應(yīng)用的先進(jìn) 650V 三相 GaN IPM。這款全新的 GaN IPM 解決了工程師在設(shè)計大型家用電器及加熱、通風(fēng)和空調(diào) (HVAC) 系統(tǒng)時通
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漲知識！氮化鎵（GaN）器件結(jié)構(gòu)與制造工藝
- 氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質(zhì)是外延結(jié)構(gòu)的不同，本文通過深入對比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結(jié)構(gòu)，再對增強(qiáng)型和耗盡型的氮化鎵HEMT結(jié)構(gòu)進(jìn)行對比，總結(jié)結(jié)構(gòu)不同決定的部分特性。此外，對氮化鎵功率器件的外延工藝以及功率器件的工藝進(jìn)行描述，加深對氮化鎵功率器件的工藝技術(shù)理解。在理解氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)和工藝的基礎(chǔ)上，對不同半導(dǎo)體材料的特性、不同襯底材料的氮化鎵HEMT進(jìn)行對比說明。一、器件結(jié)構(gòu)與制造工藝（一）器件結(jié)構(gòu)對比GaN HEMT是基于AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)，目前市面上還未出現(xiàn)G
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ADI氮化鎵功率元件和工具為設(shè)計帶來了機(jī)會
- 氮化鎵 (GaN) 半導(dǎo)體在 20 世紀(jì) 90 年代初首次作為高亮度藍(lán)色發(fā)光二極管 (LED) 投入商業(yè)應(yīng)用，隨后成為藍(lán)光光盤播放器的核心技術(shù)。自此以后雖已取得長足進(jìn)步，但在將近二十年后，該技術(shù)才因其高能效特性而在場效應(yīng)晶體管 (FET) 上實(shí)現(xiàn)商業(yè)可行性。氮化鎵目前是半導(dǎo)體行業(yè)增長最快的細(xì)分市場之一，復(fù)合年增長率估計在 25% 至 50% 之間，其驅(qū)動力來自對能效更高設(shè)備的需求，以期實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展和電氣化目標(biāo)。與硅晶體管相比，氮化鎵晶體管可以設(shè)計出體積更小、效率更高的器件。氮化鎵最初
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這家GaN外延工廠開業(yè)!
- 作為第三代半導(dǎo)體兩大代表材料，SiC產(chǎn)業(yè)正在火熱發(fā)展，頻頻傳出各類利好消息；GaN產(chǎn)業(yè)熱度也正在持續(xù)上漲中，圍繞新品新技術(shù)、融資并購合作、項(xiàng)目建設(shè)等動作，不時有新動態(tài)披露。在關(guān)注度較高的擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目方面，上個月，能華半導(dǎo)體張家港制造中心（二期）項(xiàng)目在張家港經(jīng)開區(qū)再制造基地正式開工建設(shè)。據(jù)悉，能華半導(dǎo)體張家港制造中心（二期）項(xiàng)目總投資6000萬元，總建筑面積約10000平方米，將新建GaN外延片產(chǎn)線。項(xiàng)目投產(chǎn)后，將形成月產(chǎn)15000片6英寸GaN外延片的生產(chǎn)能力。而在近日，又有一個GaN外延片項(xiàng)目取得新進(jìn)展。5
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Power Integrations收購Odyssey Semiconductor資產(chǎn)
- 深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日宣布達(dá)成協(xié)議，收購垂直氮化鎵(GaN)晶體管技術(shù)開發(fā)商Odyssey Semiconductor Technologies的資產(chǎn)。這項(xiàng)交易預(yù)計將于2024年7月完成，屆時Odyssey的所有關(guān)鍵員工都將加入Power Integrations的技術(shù)部門。此次收購將為該公司專有的PowiGaN?技術(shù)的持續(xù)開發(fā)提供有力支持。PowiGaN技術(shù)已廣泛應(yīng)用于該公司的眾多產(chǎn)品系列，包括InnoSwitch? IC、HiperPFS
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Transphorm與偉詮電子合作推出新款GaN器件
- 近日，Transphorm與偉詮電子宣布推出兩款新型系統(tǒng)級封裝氮化鎵（GaN）器件（SiP），與去年推出的偉詮電子旗艦GaN SiP一起，組成首個基于Transphorm SuperGaN平臺的系統(tǒng)級封裝GaN產(chǎn)品系列。新推出的兩款SiP器件型號分別為WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了偉詮電子的高頻多模（準(zhǔn)諧振/谷底開關(guān)）反激式PWM控制器和Transphorm的150 mΩ和480 mΩ SuperGaN FET。與上一款240 mΩ器件（WT7162RHUG24A）相同，兩
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Transphorm與偉詮電子合作推出新款集成型SiP氮化鎵器件
- 全球領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商Transphorm, Inc.與適配器USB PD控制器集成電路的全球領(lǐng)導(dǎo)者Weltrend Semiconductor Inc.近日宣布推出兩款新型系統(tǒng)級封裝氮化鎵器件（SiP），與去年推出的偉詮電子旗艦氮化鎵 SiP 一起，組成首個基于Transphorm SuperGaN?平臺的系統(tǒng)級封裝氮化鎵產(chǎn)品系列。新推出的兩款SiP器件型號分別為WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了偉詮電子的高頻多模（準(zhǔn)諧振/谷底開關(guān)）反激式PWM控制器和T
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國際首次 中國成功研制出氮化鎵量子光源芯片
- 《科技日報》19日報導(dǎo)，電子科技大學(xué)信息與量子實(shí)驗(yàn)室透露，該實(shí)驗(yàn)室研究團(tuán)隊(duì)近日與北京清華大學(xué)、中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所合作，在國際上首次研制出氮化鎵量子光源芯片，這也是電子科技大學(xué)「銀杏一號」城域量子互聯(lián)網(wǎng)研究平臺，取得的又一項(xiàng)重要進(jìn)展，相關(guān)成果發(fā)表在《物理評論快報》上。據(jù)了解，量子光源芯片是量子互聯(lián)網(wǎng)的核心器件，可以看作點(diǎn)亮「量子房間」的「量子燈泡」，讓互聯(lián)網(wǎng)使用者擁有進(jìn)行量子信息交互的能力。研究團(tuán)隊(duì)通過迭代電子束曝光和干法刻蝕工藝，攻克了高質(zhì)量氮化鎵晶體薄膜生長、波導(dǎo)側(cè)壁與表面散射損耗等技
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氮化鎵介紹
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