泛林集團(tuán) 文章進(jìn)入泛林集團(tuán)技術(shù)社區(qū)

提高下一代DRAM器件的寄生電容性能

摘要隨著傳統(tǒng)DRAM器件的持續(xù)縮小，較小尺寸下寄生電容的增加可能會(huì)對(duì)器件性能產(chǎn)生負(fù)面影響，未來(lái)可能需要新的DRAM結(jié)構(gòu)來(lái)降低總電容，并使器件發(fā)揮出合格的性能。本研究比較了6F2蜂窩動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 器件與4F2垂直通道訪問(wèn)晶體管 (VCAT) DRAM結(jié)構(gòu)的寄生電容。結(jié)果表明，與6F2結(jié)構(gòu)相比，4F2結(jié)構(gòu)顯著降低了節(jié)點(diǎn)接觸 (NC) 與位線 (BL) 之間的寄生電容。盡管4F2器件其他組件之間的寄生電容相比6F2器件略有增加，但它們?nèi)蕴幱谥С制骷_(dá)成目標(biāo)性能的合格水平。相比6F2器件，4F
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為 1000 層 NAND 閃存制造鋪平道路，泛林推出新一代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù) Lam Cyro 3.0

IT之家 8 月 1 日消息，泛林集團(tuán) Lam Research 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日宣布推出面向 3D NAND 閃存制造的第三代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù) Lam Cyro 3.0。泛林集團(tuán)全球產(chǎn)品部高級(jí)副總裁 Sesha Varadarajan 表示：Lam Cryo 3.0 為（我們的）客戶實(shí)現(xiàn) 1000 層 3D NAND 鋪平了道路。泛林低溫蝕刻已被用于 500 萬(wàn)片晶圓的生產(chǎn)，而我們的最新技術(shù)是 3D NAND 生產(chǎn)領(lǐng)域的一項(xiàng)突破。它能以埃米級(jí)精度創(chuàng)建高深寬比（IT之家注：High Aspect R
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泛林集團(tuán)推出全球首個(gè)晶圓邊緣沉積解決方案以提高芯片良率

近日，泛林集團(tuán) (Nasdaq: LRCX) 推出了Coronus DX產(chǎn)品，這是業(yè)界首個(gè)晶圓邊緣沉積解決方案，旨在更好地應(yīng)對(duì)下一代邏輯、3D NAND和先進(jìn)封裝應(yīng)用中的關(guān)鍵制造挑戰(zhàn)。隨著半導(dǎo)體芯片關(guān)鍵尺寸的不斷縮小，其制造變得越來(lái)越復(fù)雜，在硅晶圓上構(gòu)建納米級(jí)器件需要數(shù)百個(gè)工藝步驟。僅需一個(gè)工藝步驟，Coronus DX 可在晶圓邊緣的兩側(cè)沉積一層專(zhuān)有的保護(hù)膜，有助于防止在先進(jìn)半導(dǎo)體制造過(guò)程中經(jīng)常發(fā)生的缺陷和損壞。這一強(qiáng)大的保護(hù)技術(shù)提高了良率，并使芯片制造商能夠?qū)嵤┬碌那把毓に噥?lái)生產(chǎn)下一代芯片。Coron
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泛林集團(tuán)、Entegris 和 Gelest 攜手推進(jìn) EUV 干膜光刻膠技術(shù)的生態(tài)系統(tǒng)

泛林集團(tuán) (NASDAQ: LRCX)、Entegris, Inc. 和三菱化學(xué)集團(tuán)旗下公司 Gelest, Inc, 于近日宣布了一項(xiàng)戰(zhàn)略合作，將為全球半導(dǎo)體制造商提供可靠的前體化學(xué)品，用于下一代半導(dǎo)體生產(chǎn)所需的、泛林突破性的極紫外 (EUV)干膜光刻膠創(chuàng)新技術(shù)。三方將合作對(duì)未來(lái)幾代邏輯和 DRAM 器件生產(chǎn)所使用的 EUV 干膜光刻膠技術(shù)進(jìn)行研發(fā)，這將有助于從機(jī)器學(xué)習(xí)和人工智能到移動(dòng)設(shè)備所有這些技術(shù)的實(shí)現(xiàn)。? ? ? ? ? ? ?
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泛林集團(tuán)闡述實(shí)現(xiàn)凈零排放的路徑和進(jìn)展

日前，半導(dǎo)體行業(yè)中率先主動(dòng)設(shè)定凈零排放目標(biāo)的公司之一泛林集團(tuán) (NASDAQ: LRCX) 自豪地發(fā)布了其《2021 年環(huán)境、社會(huì)和公司治理 (ESG) 報(bào)告》。這是泛林集團(tuán)第八年發(fā)布該報(bào)告，其中著重介紹了公司開(kāi)展的環(huán)?；顒?dòng)以及如何促進(jìn)半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)的可持續(xù)性。在報(bào)告中，泛林集團(tuán)體現(xiàn)了 “為創(chuàng)造更美好的世界而努力” 的承諾，并介紹了其社會(huì)影響框架，該框架旨在促進(jìn)社區(qū)的積極變化，激勵(lì)和教育未來(lái)的創(chuàng)新者，以及建立一個(gè)更具包容性的社會(huì)。泛林集團(tuán)總裁兼首席執(zhí)行官 Tim Archer 表示：“當(dāng)我們通過(guò)技術(shù)改變世
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泛林集團(tuán)推出晶圓應(yīng)力管理解決方案以支持3D NAND技術(shù)的持續(xù)發(fā)展

上?！?近日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造設(shè)備及服務(wù)供應(yīng)商泛林集團(tuán)宣布推出全新解決方案，幫助客戶提高芯片存儲(chǔ)密度，以滿足人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)等應(yīng)用的需求。通過(guò)推出用于背面薄膜沉積的設(shè)備VECTOR? DT和用于去除背面和邊緣薄膜的濕法刻蝕設(shè)備EOS? GS，泛林集團(tuán)進(jìn)一步拓展了其應(yīng)力管理產(chǎn)品組合。泛林集團(tuán)推出晶圓應(yīng)力管理解決方案以支持3D NAND技術(shù)的持續(xù)發(fā)展高深寬比沉積和刻蝕工藝是實(shí)現(xiàn)3D NAND技術(shù)持續(xù)發(fā)展的關(guān)鍵因素。隨著工藝層數(shù)的增加，其累積的物理應(yīng)力越來(lái)越大，如何控制由此引起的晶圓翹曲已成為制造過(guò)程中
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泛林集團(tuán)自維護(hù)設(shè)備創(chuàng)生產(chǎn)率新紀(jì)錄

上海 —— 近日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造設(shè)備及服務(wù)供應(yīng)商泛林集團(tuán)宣布其自維護(hù)設(shè)備創(chuàng)下半導(dǎo)體行業(yè)工藝流程生產(chǎn)率的新標(biāo)桿。通過(guò)與領(lǐng)先半導(dǎo)體制造商合作，泛林集團(tuán)成功實(shí)現(xiàn)了刻蝕工藝平臺(tái)全年無(wú)間斷運(yùn)行。在當(dāng)今半導(dǎo)體工藝環(huán)境中，平均清洗間隔時(shí)間是限制刻蝕系統(tǒng)生產(chǎn)率提高的主要因素。為了保持穩(wěn)定的性能，通常需要每月、甚至每周清洗刻蝕工藝腔室，并更換被等離子體工藝腐蝕的部件。2019 年 4 月，泛林集團(tuán)與客戶攜手達(dá)成了一項(xiàng)宏偉目標(biāo)，實(shí)現(xiàn)設(shè)備在無(wú)需維護(hù)清洗的情況下連續(xù)運(yùn)行 365 天，創(chuàng)下里程碑式紀(jì)錄。泛林集團(tuán)自維護(hù)設(shè)備創(chuàng)生
關(guān)鍵字：泛林集團(tuán) 無(wú)需維護(hù)清洗里程碑式紀(jì)錄

半導(dǎo)體制程在創(chuàng)造力與技術(shù)進(jìn)步下不斷突破

我國(guó)的集成電路制造業(yè)正迎來(lái)大發(fā)展時(shí)代。世界芯片制造的現(xiàn)狀與未來(lái)方向如何?我國(guó)晶圓制造的特點(diǎn)是什么?近幾年人們常談?wù)撃柖?，?dān)憂是否會(huì)走到頭?電子產(chǎn)品世界專(zhuān)訪泛林集團(tuán)副總裁兼中國(guó)區(qū)總經(jīng)理劉二壯博士，為大家分析了芯片制造中包括職稱(chēng)和封裝、多重曝光與EUV光刻等產(chǎn)業(yè)與技術(shù)，并探討了國(guó)內(nèi)市場(chǎng)發(fā)展?fàn)顩r的看法。
關(guān)鍵字：泛林集團(tuán) 劉二壯集成電路 201709

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泛林集團(tuán)介紹

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泛林集團(tuán)推出全球首個(gè)晶圓邊緣沉積解決方案以提高芯片良率

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