可控硅dIT/dt測試線路的設(shè)計與測量

• 該測試線路是在傳統(tǒng)的相位控制電路的基礎(chǔ)上增加了兩個配置，利用該線路當可控硅的控制端觸發(fā)導(dǎo)通時可產(chǎn)生一個高的上升和下降斜率的電流波通過可控硅的T1和T2，從而可以測量電流的變化率，當可控硅的電特性(靜態(tài)參數(shù))發(fā)生變化時說明該器件已經(jīng)受損，此前測量的dIT/dt值即為該可控硅能承受的最大導(dǎo)通電流變化率。
• 關(guān)鍵字： 測試線路  可調(diào)電阻