深亞微米文章進(jìn)入深亞微米技術(shù)社區(qū)

一種深亞微米工藝條件下的Memory邏輯參數(shù)提取方法

隨著便攜式電子設(shè)備(PDA、射頻卡、GPS等)的廣泛應(yīng)用，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器得到了長(zhǎng)足的發(fā)展。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的性能將直接影響到系統(tǒng)在速度等方面的性能。因此，設(shè)計(jì)能夠高速存儲(chǔ)的存儲(chǔ)器便成為當(dāng)今集成電路設(shè)計(jì)的一個(gè)研究熱點(diǎn)
關(guān)鍵字：深亞微米電流靈敏放大器

因只讀存儲(chǔ)器的基本存儲(chǔ)單元只進(jìn)行一次編程，編程后的數(shù)據(jù)能長(zhǎng)時(shí)間保存，且在編程時(shí)需要流過(guò)mA級(jí)以上的電流，所以 ...
關(guān)鍵字：深亞微米存儲(chǔ)器電荷泵

因只讀存儲(chǔ)器的基本存儲(chǔ)單元只進(jìn)行一次編程，編程后的數(shù)據(jù)能長(zhǎng)時(shí)間保存，且在編程時(shí)需要流過(guò)mA級(jí)以上的電流，所以只讀存儲(chǔ)器編程時(shí)通常采用外加編程高壓，內(nèi)部的電荷泵。在設(shè)計(jì)此類(lèi)電荷泵時(shí)，擊穿電壓和體效應(yīng)的影響
關(guān)鍵字：應(yīng)用于深亞微米存儲(chǔ)器電荷泵

本文分析了傳統(tǒng)IC設(shè)計(jì)流程存在的一些缺陷，并且提出了一種基于Logical Effort理論的全新IC設(shè)計(jì)方法。眾所周知，傳統(tǒng)的IC設(shè)計(jì)流程通常以文本形式的說(shuō)明開(kāi)始，說(shuō)明定義了芯片的功能和目標(biāo)性能。大部分芯片被劃分成便于
關(guān)鍵字：深亞微米 IC設(shè)計(jì) 方法

隨著便攜式電子設(shè)備(PDA、射頻卡、GPS等)的廣泛應(yīng)用，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器得到了長(zhǎng)足的發(fā)展。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的性能將直接影響到系統(tǒng)在速度等方面的性能。因此，設(shè)計(jì)能夠高速存儲(chǔ)的存儲(chǔ)器便成為當(dāng)今集成電路設(shè)計(jì)的一個(gè)研究熱點(diǎn)
關(guān)鍵字：深亞微米電流靈敏放大器

　　前言　　超大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)進(jìn)入到深亞微米工藝后，以時(shí)序驅(qū)動(dòng)為主的開(kāi)發(fā)方法使用更加普遍，面臨的新挑戰(zhàn)也隨之而來(lái)：為了可制造性而要面臨越來(lái)越多的金屬層密度問(wèn)題和天線(xiàn)效應(yīng)問(wèn)題，同時(shí)面積減小了，但由于連線(xiàn)延時(shí)效應(yīng)影響，給布局布線(xiàn)帶來(lái)了困難，以至于不得不根據(jù)布線(xiàn)后時(shí)序的結(jié)果回過(guò)頭重新調(diào)整時(shí)序約束以保證后面布線(xiàn)后滿(mǎn)足時(shí)序要求。這使得整個(gè)后端的時(shí)間進(jìn)度壓力加大，尤其對(duì)物理驗(yàn)證而言，作為后端設(shè)計(jì)人員將設(shè)計(jì)交給代工廠(chǎng)家前的最后一道程序，時(shí)間被壓縮的很緊。因此有必要提出一套成熟的物理驗(yàn)證方法，來(lái)加快
關(guān)鍵字：集成電路深亞微米物理驗(yàn)證天線(xiàn)

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