相變化內(nèi)存 文章 進入相變化內(nèi)存技術(shù)社區(qū)
相變化內(nèi)存開創(chuàng)新型內(nèi)存系統(tǒng)設計
- 相變化內(nèi)存(Phase Change Memory，PCM)是一項全新的內(nèi)存技術(shù)，目前有多家公司在從事該技術(shù)的研發(fā)活動。這項技術(shù)集當今揮發(fā)性內(nèi)存和非揮發(fā)性內(nèi)存兩大技術(shù)之長，為系統(tǒng)工程師提供極具吸引力的技術(shù)特性和功能。工程師無
- 關鍵字： 相變化內(nèi)存 創(chuàng)新 內(nèi)存 系統(tǒng)設計
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相變化內(nèi)存介紹
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