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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 相變化記憶體

          三星電子和Numonyx將聯(lián)合開發(fā)下一代記憶體PCM

          •   6月24日消息,三星電子和Numonyx表示,雙方將聯(lián)合開發(fā)前途光明的下一代記憶體科技--相變化記憶體技術(shù)。   三星電子和Numonyx表示,雙方將合作開發(fā)PCM的通用規(guī)范,該技術(shù)有望用于高級(jí)聽筒、移動(dòng)電話和電腦設(shè)備中。英特爾和意法半導(dǎo)體(STM去年合資組建了Numonyx.。三星電子和Numonyx稱,PCM讀寫速度非常快,但耗電量卻低于傳統(tǒng)的NOR和NAND快閃記憶體。     三星電子和Numonyx還表示,雙方的通用規(guī)范將于今年完成,預(yù)計(jì)明年將推出兼容設(shè)備。
          • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  NOR  PCM  相變化記憶體  
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          相變化記憶體介紹

            相變化記憶體名稱有很多種,包括PCM(Phase Change Memory)、PRAM(Phase-change RAM)等,英特爾、IBM 、意法和三星最先開發(fā)PCM,而三星宣布已開始量產(chǎn)512MbPRAM。PRAM是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù),用的材料為硫系玻璃,基于硫族材料的電致相變。  全球的相變化記憶體分為3大陣營,包括恒憶(NumONyx)/英特爾(Intel)、三星電子(Samsun [ 查看詳細(xì) ]

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