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磁盤記錄
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日本新技術(shù)實(shí)現(xiàn)磁盤記錄密度和容量增長(zhǎng)
- 山形富士通、富士通研究所、神奈川科學(xué)技術(shù)研究院（KAST）光科學(xué)重點(diǎn)研究所室益田研究小組共同努力，成功地以25nm間隔在氧化鋁上以一維方式排列出了納米孔（發(fā)布資料）。納米孔是通過陽極氧化形成的。不僅有望實(shí)現(xiàn)記錄密度達(dá)1Tbit/平米英寸的磁記錄，還能將硬盤磁記錄介質(zhì)的記錄容量提高到現(xiàn)有產(chǎn)品的5倍以上。 在1月7日于美國(guó)巴爾的摩舉行的磁技術(shù)國(guó)際會(huì)議“JointMMM/Intermag Conference（MMM-
- 關(guān)鍵字： 07展望 磁盤記錄
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