垂直GaN JFET的動態(tài)性能

• 美國弗吉尼亞理工學院、州立大學和NexGen電力系統(tǒng)公司首次對垂直氮化鎵（GaN）功率晶體管的動態(tài)電阻（?RON）和閾值電壓（VTH）穩(wěn)定性進行了實驗表征。研究人員研究了額定電壓高達1200V（1.2kV）的NexGen結(jié)型場效應晶體管（JFET）器件。動態(tài)?RON描述了開關(guān)晶體管的電阻相對于穩(wěn)定直流狀態(tài)下的電阻的增加。該團隊評論道：“這個問題可能會導致器件的導通損耗增加，并縮短器件在應用中的壽命?！毖芯咳藛T將NexGen的650V/200mΩ和1200V/70mΩ級GaN JFET（
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